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本文以SnCl4·5H2O和氧化石墨烯为先驱物, 乙醇水溶液为溶剂, 采用一种简单的水热法一步合成了具有可见光催化活性的SnO2量子点(约3–5 nm)与石墨烯复合结构, 利用透射电子显微镜(TEM), 高分辨透射电子显微镜(HRTEM), X射线衍射仪(XRD), 傅里叶变换红外光谱(FT-IR)等技术对其结构进行了表征, 利用紫外可见吸收光谱(UV-vis)分析了其光学性能, 罗丹明-B染料为目标降解物研究了SnO2量子点/石墨烯复合结构可见光催化性能. 结果表明: 与纯SnO2、纯石墨烯相比, 复合结构显示出了很高的可见光催化活性. 通过对其结构进行分析, 我们提出了SnO2量子点/石墨烯复合结构的形成机制及其可见光催化活性机理. 相似文献
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用化学气相沉积(CVD)法制备了Mn掺杂的SnO2一维纳米结构(纳米线及纳米带),X射线衍射(XRD)显示样品为金红石型SnO2晶体,其生长机理可分别归结为气-液-固(VLS)和气-固(VS)机理,生长温度和气态原料浓度的差别是造成样品形貌及生长机理不同的主要原因.样品的拉曼谱出现了500、543、694和720cm-1四个新拉曼谱峰,分别是由活性的红外模和表面模引起的.纳米线及纳米带发光峰位于520nm处,发光强度随样品中氧空位的增减出现由强到弱的变化. 相似文献
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氧化铁纳米复合材料具有优越的磁学和催化性能,近年来在癌症诊断及治疗[1-3]、污染治理[4-6]、电磁屏蔽[7-8]等多个领域得到广泛研究.目前有许多研究集中于如何对复合材料的组成、结构和形貌进行设计合成,例如:利用机械球磨法将SnO2和α-Fe2O3粉体混合制备α-Fe2O3/SnO2 复合材料[9];通过共沉淀法将SnO2复合在α-Fe2O3 的表面[4];或者在Fe3O4表面复合一层C和相应的盐,然后通过煅烧制备Fe3O4/ZrO2和Fe3O4/TiO2微球[10-11]. 相似文献
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SHI Juan WU Shi-hua WANG Shu-rong 《高等学校化学研究》2005,21(6):641-645
Nanocrystalline tin oxide samples were prepared by using Sn2 (NH4 )2 (C2O4)3 as the precursor. The thermal decompositions were respectively conducted at 250,450 and 650 ℃. TG-DTA, XRD, TEM, FTIR were used to characterize the samples. The indirect heating sensors by using these materials as sensitive bodies were fabricated on an alumina tube with Au electrodes and platinum wires. Sensing properties of these sensors were investigated. It was found that the tin oxide sample obtained by thermal decomposition at 450 ℃ has a higher sensitivity to C2H5OH and a higher selectivity to hexane and ammonia than those obtained via the conventional precipitate method and the working temperatures needed were greatly decreased. 相似文献
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采用低温热解法合成出g-C3N4和In2O3:Sn(ITO)催化剂粉体,通过静电引力作用将少量ITO纳米粉体分散在g-C3N4粉体颗粒表面制成ITO/g-C3N4异质结光催化剂。在可见光模拟系统中以乙醇为牺牲剂,检测氢气生成速率表征催化剂的光催化性能, 并借助X射线衍射(XRD)分析、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、紫外-可见光漫反射吸收光谱(UV-Vis)等对催化剂粉体进行了表征。实验结果表明, ITO附着在g-C3N4颗粒表面有利于光生电子的转移和光解水析氢反应。ITO/g-C3N4催化剂较之纯g-C3N4催化剂活性显著提高。当ITO附着量为4%时,析氢速率可稳定在350 μmol·g-1·h-1。 相似文献
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79.
80.
以SnCl45H2O和SbCl3为原料,采用液相化学共沉淀法制备锑掺杂氧化锡(ATO)粉体。分析了不同Sb掺杂质量分数条件下,ATO粉体的禁带宽度变化,并对材料在0.2~1.6 THz波段的透射时域和频域谱,以及吸收和屏蔽参数进行了对比分析。结果表明,ATO粉体的禁带宽度随着Sb掺杂量的增加先减小后增大;同时,ATO粉体对THz波的吸收系数随着Sb掺杂量的增加先增大后减小,当Sb掺杂质量分数为9%时,ATO的吸收系数在1.25 THz处达到最大值156.5 cm-1,屏蔽效能在1.24~1.60 THz范围内最高达到45.0 dB。 相似文献