聚偏氟乙烯辐射效应的研究——II.晶区辐射损伤点的研究

研究了聚偏氟乙烯 (PVDF)晶体结构与辐射效应的关系 .利用不同的热处理条件 ,获得了 7种不同规整性、不同结晶度的样品 ;通过对其辐射效应的研究 ,探讨了材料结晶区和晶区内不同部位的辐射效应以及这些不同的结构对材料辐射效应的影响 .使用示差扫描量热分析 (DSC)测量样品零熵产生相变温度、结晶度等随吸收剂量的改变 ,以及不同退火条件样品的辐射效应 .讨论了PVDF样品晶体辐射损伤与样品结构的关系 .利用电子自旋共振谱仪 (ESR)测量不同辐照后样品残余自由基的浓度及这些残余自由基加热条件下的不同命运 .结合DSC分析及X射线衍射分析得到晶体辐射损伤是从晶体表面折叠圈区和晶体茎杆内部缺陷区同时开始的结论     

X光光电子能谱法测定胶片中氟,硅和铝的研究

应用Ｘ光光电子能谱法测定了几种彩色胶片表面层中氟的１ｓ能级的结合能；分别比较了水处理前后、溅蚀前后胶片护膜层氟的变化，表明氟化物分布在护膜最表层，是一种易溶于水的氟化物；测定了彩色片护膜层所含硅２ｐ能级的结合能，与自制彩色片护膜层测定结果比较，优质片含一种较多负电性，用与自制片的无机硅不同的硅化物作毛面剂；对溅蚀前后优质片和自产彩色片中的硅铝比变化进行比较，提出优质彩色片Ｆ－４００的护膜层可能是双     

对称双吡咯甲烷的合成与分子内氢键的研究

５－甲基吡咯－２－羧酸酯在磺酰氢，溴或四乙酸铅作用下，生成相应的在５－甲基上含取代基的产物，后者不经分离不便可自缩合得标题化合物，核磁共振氢谱研究和分子构象木匠，当３，３位的取代基为甲酸（酯）基或乙酸（酯）基时，可形成３，３位酯基与另一吡咯环上的氮氢之间的分子内氢键，而３，３位是其它取代基，如乙酰基，丙酸（酯）基，丁酸（酯）基时不能形成类似的分子内氢键。     

关于离子造反性电极分析中的等电位差—标准加入法的探讨

本文提出了一种离子选择性分析方法，即等电位差－标准加入法。本文法已用于氟的测定。本文法的影响因素少，准确度好，操作及计算简便。     

聚合手性Salen-V（V）配合物催化醛的不对称三甲基硅氰化反应

以聚合手性salen-V(V)为催化剂，对醛的三甲基硅氰化反应进行了研究，在-20℃和1．2％催化剂量下，以苯甲醛为底物获得了91％的ee值和98％的转化率，对其它几种芳香醛和脂肪醛也取得较好的反应结果．催化剂可以方便地回收，重复使用8次仍然保持很好的反应活性和对映体选择性．     

三缺位杂多阴离子α-A-PW9O9-34的苯基硅衍生物的合成和晶体结构

合成了三缺位杂多阴离子的苯基硅衍生物(TBA)3[α-A-PW9O34(PhSiO)3(PhSi)]*2H2O(记为1, TBA为四丁基铵阳离子), 并由元素分析、红外光谱、紫外光谱对化合物进行了表征, 研究了化合物的热性质. 结构分析结果表明, 该化合物属三方晶系, 空间群R3, 晶胞参数a=1.416 96(16) nm, b=1.421 63(16) nm , c=1.416 61(16) nm, α=99.801(17)°, β=99.843(17)°, γ=99.844(17)°, V=2.711 1(5) nm3. Z=1, R=0.054 8. 该化合物的阴离子是由1个α-A-PW9单元, 通过6个W-O-Si桥键与3个PhSiO单元相连, 3个PhSiO又通过Si-O-Si桥键与另1个处于帽位的PhSi相连, 形成饱和闭合笼形结构.     

6-甲基-4-羟基-喹啉酸盐羟基钒(V)(英文)

V anadium髨coordination com pound1is achievedby the hydrotherm al reaction of V2O5and ethyl6-m ethyl-4-hydroxy-3-quinolinecarboxylate(em hq)w ithwater as solvent.X-ray single crystal diffraction studyof com pound1(Fig.1)shows that com pound1crystal-lizes …