高温高压下cBN单晶转变机理的密度泛函理论研究

为研究Li3N-hBN体系中cBN单晶的转变机理,本文采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法和广义梯度近似法(GGA)系统计算了高温高压条件下hBN和cBN的低指数晶面的晶面能,分析了hBN和cBN各晶面之间的能量关系.结果表明:在1800K,5.5 GPa和2000 K,6.0 GPa下,hBN的(1010)晶面与cBN的(100)晶面的相对晶面能差分别为0.7;和1.2;,两组晶面的晶面能连续,即微观上电子密度连续.根据改进后的密度泛函理论(TFDC)可知,hBN能够向cBN直接转变.因此推断:在Li3N-hBN体系中,以Li3N为触媒,cBN单晶是由hBN直接转变而来.     

三维显示中基于彩色叠栅条纹的视差障栅参数设计

为确定三维显示中视差障栅(PB)的最优参数,提出一种基于彩色叠栅条纹的PB参数设计方法。液晶显示器(LCD)和PB简化为相应参数的黑白光栅模型,而具有特定参数的特定辐射光栅作为周期和倾角变化的PB模型,通过序数方程和傅里叶分析方法分析特定辐射光栅和LCD单色等效黑白光栅的叠加图样,由此推断出不同PB周期的低频主导条纹频率组项,然后利用傅里叶理论的部分和提取方法(PSE)分析不同PB周期的低频主导叠栅条纹的强度轮廓,得出PB的最佳节距和相应倾斜角度。实验结果表明,所设计的PB三维显示系统没有出现降低像质的叠栅条纹,具有较好的三维显示效果。     

N掺杂富含(001)晶面TiO_2纳米片的制备及N掺杂浓度对可见光催化活性的影响(英文)

采用水热法制备了富含(001)晶面的锐钛矿型TiO2纳米片,并通过改变热处理过程中NH3流速制备不同N掺杂浓度的TiO2纳米片.运用X射线衍射、场发射扫描电镜、高分辨率透射电子显微镜、紫外-可见漫反射光谱、X射线光电子能谱和荧光光谱对光催化剂进行了结构和性能表征,并以罗丹明B为目标降解物,考察了N掺杂浓度对TiO2纳米片可见光催化活性的影响.结果表明,NH3流速为40ml/min时制备的N掺杂TiO2纳米片具有最低的光生电子-空穴复合速率,最高的OH产生能力并表现出最高的光催化活性.同时,讨论了N掺杂浓度对TiO纳米片可见光催化活性影响的机理.     

纳米TiO_2催化剂微晶结构对光催化反应的影响

采用正交试验方法,调控Ti（SO4）2原料浓度、沉淀剂NH4HCO3浓度、沉淀pH值、焙烧温度和焙烧时间等制备条件制备得到了25个锐钛矿相TiO2光催化剂.对TiO2光催化降解十二烷基苯磺酸钠（SDBS）的催化活性与TiO2锐钛矿相10个晶面的法向粒子尺寸、晶格畸变应力、X射线衍射强度之间的关系进行了分析.发现TiO2光催化SDBS的降解遵循一级反应动力学;其主要影响因素为（101）晶面结晶情况,而与其余晶面的相关性不大;光催化反应需要晶格畸变较少的结晶较完整的（101）晶面;晶粒尺寸减小,比表面积增大有利于提高反应速率;光催化反应过程主要在结晶的锐钛矿相（101）晶面表面上发生,而无定形TiO2催化活性较低.     

常温常压下五元杂环的催化加氢反应

 考察了常温常压下吡咯、呋喃和噻吩的催化加氢反应;用紫外吸收光谱、气相色谱和酸碱度测定分析了反应物质;用比表面积测定、X射线衍射、透射电镜及高分辨电镜表征了催化剂．结果表明,在纳米量级的镍基催化剂作用下,双键五元杂环的加氢反应过程是多反应同时进行：主要有环上双键先加氢生成四氢化物单键环,继而开环加氢生成若干小分子气体;也有直接开环反应．总体上是在还原条件下实现降解反应．超声波的介入有利于保持催化剂的活性．对反应机理进行了探讨．     

八面体的各晶面的夹角不是90°

编辑同志:文献[1]在讲述晶面角守恒时,对于岩盐晶体画出了图1所示的几种常见外形(在不同条件下,食盐结晶可有不同的形状):立方体、八面体和立方八面混合体.并指出晶面ａ、ｂ之间,ｂ、ｃ之间和ａ、ｃ之间的夹角总是90°.文献[2]也指出,不管外形是立方体、八面体、还是立方和八面混合体各晶面夹角都是90°.但由图可以直接看出八面体的各晶面之间的夹角不是(不可能是)90°.八面体中的晶面之间的夹角以及混合体中与八面体相应的那些晶面(图1(ｃ)中未标字母的那些面)之间的夹角相等,但不等于90°.实际上,八面体中的晶面ａ、ｂ之间和ｂ、ｃ之间的…     

教师主导的数学深度学习课堂——以“等式与不等式性质”为例

笔者探究高中数学教学中实现深度学习的课堂教学流程,并以“等式与不等式性质”第二课时教学为例,提出指向学生深度学习的教学设计与思考.     

晶面指数必互质

通过平面方程证明了晶面指数必无公因子.     

单晶硅各向异性仿真刻蚀模型构建与形貌模拟

本文针对单晶硅在不同温度、浓度、表面活性剂等多种刻蚀条件下的形貌模拟问题，构建了硅原子结构模型并分析了其主要晶面刻蚀速率和对应原子结构之间的关系，提出了适应于单晶硅刻蚀模拟的表层原子刻蚀函数(Si-RPF),明确了晶面宏观刻蚀速率与原子微观移除概率之间的数值联系，构建了基于遗传算法的动力学蒙特卡罗各向异性湿法刻蚀工艺模型(Si-KMC)。该工艺模型可以基于台阶流动理论，从原子角度解释单晶硅刻蚀各向异性的成因，能够明确不同类型的原子在刻蚀过程中的作用和实现对不同刻蚀条件下单晶硅衬底三维刻蚀形貌的精确模拟。对比有无表面活性剂添加条件下的单晶硅刻蚀实验数据和模拟结果表明，Si-KMC刻蚀工艺仿真模型模拟结果可以达到90%以上仿真精度。     

Pt单晶(210)、(310)和(510)阶梯晶面上CO2电催化还原的表面过程

研究Pt单晶 (210)、(310)和(510)三个阶梯晶面上CO₂电催化还原的表面过程. 通过改变处理条件获得单晶电极不同的表面结构. 研究结果指出, 当铂单晶电极表面保持其确定原子排列结构时, 对CO₂还原的电催化活性随晶面上(110)台阶密度的降低而减小, 即Pt(210) > Pt(310) > Pt(510); 当三个电极表面发生氧的吸附导致原子排列结构重建时, 其电催化活性均有不同程度的提高. 虽然其活性顺序未发生变化, 但(110)台阶位密度越大的表面其电催化活性增加的程度越高. 研究指出Pt单晶电极的表面结构越开放, 其电催化活性也越高, 并且在外界条件诱导下更易于转变为具有更高反应活性的表面结构. 而相对有序的表面结构则比较稳定. 研究结果从微观层次获得CO₂与Pt单晶电极表面相互作用的规律, 深化了对CO₂电催化还原表面过程的认识.