窄缝内汽液两相临界流实验研究

本文实验研究了高过冷水在窄缝内形成的汽液两相临界流动现象,考察了水的泄漏率与容器内压、温度、流道几何尺寸等影响因素之间的关系,给出了一个简单的拟单相流预测关系式,和实验数据的比较表明,该关系式可以较好地预测高过冷水在窄缝内形成的气液两相临界流动现象.     

高性能MgB2长线材制备及性能表征

采用原位粉末装管工艺,分别以Mg粉(99.5%),无定形B粉(99.9%)为原料,以纳米SiC(10-30 nm)作为掺杂材料制备铁基MgB2线.首先将已混合的原料在丙酮介质中球磨,真空干燥后,将粉末填入铁管内,然后通过孔型轧制、旋锻和拉拔等冷加工工艺得到11 m长外径Ф1.75 mm铁基MgB2超导线.用扫描电镜,电子能谱,X射线衍射仪和超导量子干涉仪测试发现,样品微观结构整齐,晶粒大小均匀,内部仅含微量MgO,TC(onset)= 35.1 K,ΔTC＝5.3 K.纳米SiC掺杂后,其中C造成MgB2晶格畸变,形成有效磁通钉扎中心,C元素在MgB2中分布均匀.标准四引线测试结果表明,11 m线均分10段后,各点的Jc(4.2 K,10 T)均超过1.0×104 A/cm2,最高值达到1.2×104 A/cm2.在10-18T范围各点临界电流值分布均匀,变化率小于10%.     

DMABN测定含溴化钠或正丁醇水溶液中表面活性剂的临界胶团浓度

以对二甲氨基苯甲腈(DMABN)为探针, 测定它在含NaBr或n-C4H9OH的表面活性剂十二烷基三甲基溴化铵(C12TABr)、季铵盐Gemini表面活性剂C12-3-C12·2Br和十二烷基硫酸钠(SDS)水溶液中的第二重荧光对应的强度(Ia)和特征波长(λa)对表面活性剂浓度(c)曲线. 由Ia-c曲线的转折点或λa-c曲线对应的一阶导数极小点可以获得临界胶团浓度(cmc), 扩展了DMABN探针测定表面活性剂cmc的适用性.     

局部域反馈神经网络的全局收敛性

本文针对具有-般投影映射的连续型局部域反馈神经网络,给出了在一可验证条件下的临界全局收敛性分析.所获得的结果极大地改进了现有典型的收敛性结论.数值试验进-步证实了所得结果的正确性和可行性.     

颗粒超导体临界电流密度的尺寸效应

假设颗粒超导体内某点临界电流密度是该处磁场强度平均值的某种函数,计算了其实测临界电流密度与样品尺寸的关系.发现对目前实验中所用的烧结样品,实验测得的 YBaCuo超导体的临界电流密度有显著的尺寸效应.     

非局部源耦合抛物方程组中的奇性传播

讨论一个经由非局部源耦合的非线性抛物组的解的奇性传播. 给出解的4种可能的blow-up速率及相应的边界层估计. 还得到此非线性抛物组的临界指标.     

用于中子位置灵敏探测器的SiPM性能研究

为满足中国散裂中子源(China Spallation Neutron Source,CSNS)工程材料衍射谱仪的探测器需求,CSNS探测器组设计并研制了基于硅光电倍增管(Silicon Photomultiplier,SiPM)读出的闪烁体探测器。本工作针对该探测器,选取了Sensl MicroFJ-30035-TSV和Hamamatsu S13363-3050NE-16两种型号的SiPM,开展了其击穿电压、增益、温度特性、暗计数率等关键性能的测试。测试结果显示,两者单光子分辨能力,增益、暗计数率等性能均可满足当前闪烁体探测器需求,相同过偏压下,前者增益高于后者,且Hamamatsu SiPM增益对温度更敏感。测试了两SiPM的温度补偿系数分别为22.0 mV/℃(Sens1)和53.6 mV/℃(Hamamatsu),为后续SiPM温度补偿电路设计奠定了基础。利用研制的探测器工程样机,在CSNS BL09下测试了两种SiPM读出的探测器对2.8 ?中子探测效率分别为76%和68%,为目标探测器及同类型探测器的SiPM选型提供了参考。     

氰乙酸乙酯在近临界水中的水解反应

研究了在近临界水中氰乙酸乙酯(1)无催化剂的水解反应.结果表明,在去离子水11 g, m(1) : m(H2O)=1 : 500, 15 MPa及300 ℃的条件下反应60 min,氰乙酸乙酯可完全分解为乙醇,乙酰胺和乙酸;且在同一实验条件下酯基的水解较腈基容易.     

傅科摆振幅的半衰期与临界摆长的探讨

论述了傅科摆的振动不满足雷诺数Ｒｅ〈〈１的条件，不能由流体力学的斯托克斯公式推导傅科摆振幅的半衰期，并探讨了傅科摆临界摆长的计算。