Ni熔体凝固过程中临界晶核和亚临界晶核的分子动力学模拟

本文用分子动力学模拟研究了Ni熔体以不同冷速凝固后微观结构的演变规律, 并通过理论计算确定出了Ni熔体凝固后获得理想非晶的临界条件. 模拟结果发现冷速小于10¹¹ K/s时, Ni 熔体凝固后形成晶态组织; 冷速在10¹¹ K/s到10^14.5 K/s之间时, Ni熔体凝固后形成由晶态结构与非晶态结构组成的混合组织. 冷速小于10¹⁰ K/s, Ni 熔体凝固后形成的晶态组织具有fcc结构; 冷速在10¹⁰ K/s到10^14.5 K/s之间时, Ni熔体凝固后组织中的晶态由fcc和hcp结构层状镶嵌排列构成. 通过分析模拟结果和计算结果, 确定出了Ni熔体凝固后形成理想非晶的临界冷速为10^14.5 K/s. 并发现Ni熔体中临界晶核(冷速等于10^14.5 K/s)和亚临界晶核(冷速大于10^14.5 K/s) 均由fcc和hcp组成层状偏聚结构, 这表明Ni熔体中生长的晶体、临界晶核和晶胚的结构是相同的. 关键词： 分子动力学模拟 晶体团簇 临界冷速 结构     

国内CIDEP研究进展

化学诱导动态电子极化（CIDEP）是检测瞬态顺磁粒子并表征其特征的强有力的手段,对于研究光化学和光物理瞬态过程的微观机理和规律有重要意义. 本文较为详细地总结了4种常见的CIDEP机理,讨论了各种极化谱及相应的极化条件;简要介绍了国内研究小组在CIDEP理论以及在均相溶液和微复相体系中光化学过程的CIDEP研究成果.      

C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度

本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO₂界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响，然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试，提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中，采用不同的扫描速率，分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测 关键词： C-V法 SiC 隐埋沟道MOSFET 沟道载流子浓度     

基于LabVIEW的高温超导材料特性测试实验

高温超导体临界特性的测量是近代物理实验中最为经典的实验之一,本文通过使用GM制冷机,利用Lab-VIEW虚拟仪器软件和高性能采集卡,改进了传统的测量高温超导材料临界特性的实验装置.本测试系统不仅可以测量高温超导体在不同温度下的临界电流,还可以测量其失超传播特性.该实验对于学生了解超导体特性和培养严谨的科学作风十分有益.     

增压条件下浮沉子不可逆下沉的动力学研究

研究了浮沉子在增压条件下发生的不可逆下沉现象,发现浮沉子在液体中存在不稳定平衡的临界位置．从受力的角度解释,浮沉子完全浸没时无法依靠增大气体的体积来增大浮力;从势能的角度解释,临界位置是浮沉子的不稳定平衡点,改变压强会导致不可逆平衡点改变,出现不可逆下沉现象．实验研究了浮沉子不可逆下沉的临界深度与浮沉子未置入水中时的气柱长度、液体的密度、试管的外径与内径之比以及总长度之间的关系,并对实验现象给出了直观的解释．     

纳米NaYb1-xF4:Er3+x中Er3+/Yb3+掺杂浓度变化引起的相变和发光增强

在Yb3+和Er3+共掺杂氟化物纳米体系中,2％Er3+掺杂浓度为上转换发光的最佳浓度,高于这个浓度,随着Er3+掺杂浓度的增加,将发生严重上转换发光浓度猝灭,已为人们广泛认知和接受.本文合成了不同Er3+/Yb3+掺杂浓度比的NaYb1-x F4:Er3+x系列上转换发光纳米粒子.通过扫描电镜、XRD和荧光光谱等分析...     

对一个运动斜面上摩擦力问题解法的探讨

应用牛顿运动定律对一个有关斜面体小车上的物体在摩擦力作用下随小车一起做简谐运动问题的错误解法进行辨析,并给出正确的解答方法.     

12C6+离子辐照对阿维链霉菌代谢效应研究

对12C6+ 离子辐照诱变高产阿维链霉菌株ZJAV-Y1-203 和原始菌株ZJAV-A-1 的摇瓶发酵pH 值、菌体浓度、碳源和氮源代谢进行了测定,研究了12C6+ 辐照对阿维链霉菌的代谢效应。在发酵前期(48h),原始菌株发酵液pH 值低于突变菌株;在发酵96~196 h,诱变高产菌株ZJAV-Y1-203 繁殖快,生长旺盛,N的利用率高;菌体浓度大于原始菌株的浓度,且发酵液的pH 稳定,菌体处于代谢相对更稳定期;在发酵144~240 h,诱变高产菌株ZJAV-Y1-203 对糖源消耗低于原始菌株ZJAV-A-1。这些结果表明,12C6+ 离子辐照对阿维链霉菌代谢影响有利于阿维菌素合成。pH value, mycelium concentration, carbon source and nitrogen metabolism in flask fermentation of the mutant high-producing strain ZJAV-Y1-203 and the original strain ZJAV-A1 have been investigated, in order to show the metabolic effect of avermitilis irradiated by ion beam of 12C6. In early stage (48 h) of the fermentation, pH value of the original fermentation was lower than that of the mutant strains. In 96~196 h of fermentation, the nitrogen utilization in the strains ZJAV-Y1-203 was higher than that in the original strains, its reproductive was fast, and its growing was vigorous. The mycelium concentration of ZJAV-Y1-203 was greater than the original strain, and the pH value of fermentation were stable, so its metabolism was relatively more stable. In 144240 h of fermentation, the strain ZJAV-Y1-203 on sugar consumption was less than the original strains. The effect of 12C6 ion irradiation on metabolism of Streptomyces avermitilis is conducive to the synthesis of avermectin.     

利用正交法提高石灰窑CO_2气浓度

利用正交法提高石灰窑ＣＯ_２气浓度王天保，冯江华，米子川（山西经济管理学院计统系）胡玉科，董震明（山西平定娘子关双氰胺厂）双氰胺是一种重要的化工产品，广泛用于医药卫生、纺织印染、化学试剂及农业生产．近年来，双氰胺在国内外市场上呈现出供不应求的势头．山?..     

Ba-122铁基超导带材扭转下临界性能研究

为推动铁基超导带材实用化发展,本文研制出一种在铁基超导带材纯扭转测试装置,分析了7芯Ba_1-xK_xFe₂As₂(Ba-122)带材在扭转应变下临界性能变化。带材临界电流在扭转应变下会出现衰退行为,并且随扭转应变增大而减小。四对电压信号测量结果一致,表明扭转变形均匀。以95%的初始临界电流为临界扭转标准,带材临界扭转角为120°,相应的临界剪切应变为0.86%和临界扭转螺距为240 mm。扭转应力会损伤超导芯,导致带材临界载流性能降低。