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11.
考虑电子的反冲并利用康普顿散射,研究了激光同步辐射光源(LSS)辐射的光子波长、光子能量。结果表明,对于不同的γ,LSS辐射的光子波长和能量有不同的近似公式。当γ<<λ1/4λe时,LSS辐射的光子波长λ2≈λ1/4γ2,能量(εc2≈4γ2εc1;当γ>>λ1/4λe时,LSS辐射的光子波长λ2≈λe/γ,能量cε2≈m0γc2;结果表明,LSS辐射的条件是种子激光的波长λ1大于电子的物质波波长λm;LSS辐射的极值波长是λ2m ax=h/m0γv,极值能量是cε2m ax=βeε;本文后半部分提出了利用北京正负电子对撞机的强流高亮度电子束与激光的康普顿背散射产生单色γ射线的建议。 相似文献
12.
CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K.
关键词:
非弹性中子散射
填充式方钴矿
近藤绝缘体 相似文献
13.
14.
简单回顾了Einstein 1905年揭示的第一种波粒二象性(光的波粒二象性)与de Broglie 1923年揭示的第二种波粒二象性(实物粒子的波粒二象性)及其实验验证过程,指出了这两种波粒二象性的本质差别,分析了波粒二象性的逻辑体系并指出:只要把Gan1995年揭示的“经典(电磁)场在结构上的颗粒性”当作“第三种波粒二象性”就能构成“三种波粒二象性”的完美组合,利用“波粒二象性的相变假说”还可以把这“三种波粒二象性”和谐地统一起来。借助于经典条件下光的经典理论与量子理论究竟哪一个更为精确的实验判决(见《光散射学报》)2006年第1期第75.79页《Lorentz-Compton佯谬与一个双赢判决性散射实验设计》)还可以完成“第三种波粒二象性”和“波粒二象性的相变假说”的实验验证。 相似文献
15.
激光等离子体探针及应用研究 总被引:6,自引:1,他引:5
本文介绍用阴影、纹影相干涉方法确定等离子体折射系数变化的原理。分析了等离子体中的非线性效应和对光探测系统的基本要求。并简要叙述了实验上采用的后向喇曼探测束,给出了等离子体干涉、纹影和阴影的测量结果。 相似文献
16.
用MCNP程序和ENDF/B—VI库数据计算了Livermore的^6 Li探测器的中子探测效率,并与国外发表的^6Li玻璃的探测效率数据进行比较,结果基本一致,表明本实验室的计算方法是正确的。 相似文献
17.
为了获得脉冲中子探测系统的中子灵敏度能量响应,编制了适合裂变中子测量探测系统灵敏度能响的一系列专用程序,研究了相应的实验标定技术,采用理论计算和实验验证相结合的方法,对几套探测系统中子灵敏度能量响应进行了研究,初步解决了标定需要的“单能、脉冲、高强度、多个不同能量的中子源”问题,使不确定度大大提高,满足了测量的要求。 相似文献
18.
使用Monte Carlo模拟的方法得出了随机粗糙表面,在Kirchhoff近似的基础上,利用数值分析的方法分析了一维随机粗糙表面的散射特征,得出了一维随机粗糙表面散射分布曲线,我们还考虑了遮蔽效应的影响,并且讨论了Kirchhoff近似的有效性。 相似文献
19.
符合计数的测量量为总中子计数和符合计数,而未知量有(α,n)中子与自发裂变中子之比α、泄漏增殖系数M1以及钚-240的质量。符合计数与源中子泄漏复度分布的二阶矩成正比。对MCNP程序进行修改,加入自发裂变源与(α,n)中子源的跟踪功能,直接得到了中子泄漏复度分布的二阶矩。 相似文献
20.