1994年水下防务技术会议介绍

每年6—7月，北大西洋公约组织水下防务专家都要云集西欧，参加一年一度的水下防务技术会议和展览会，今年开会的地点是英国伦敦，从7月5日到7日举行了学术报告会和展览会，7月8日又举行了一天非公开的学术报告会．参加会议的不仅限于北大西洋公约组织的16国，还有日本，新加坡，马来西亚等国的代表．俄罗斯新近成立的武器装备进出口委员会也在展览大厅中设立了一个摊位．我作为会议参加者之一，参加了多种学术活动并观看了展览会，现就本次会议的主要情况作一介绍．水下防务技术③naerwateroefenseTee5nohyy，简称UDT）会议和展览会是北…     

乳化技术原子吸收光谱法测定汽油中的铅

本文以Span-80与Tween－20为复合乳化剂，将汽油分散成均匀的油水乳化液，可直接喷入空气－乙炔火焰中进行测定，本法简单快速，乳化液稳定时间长。回收率在97－103％之间，相对标准偏差在4％以内，本法测定结果与络合滴定法基本一致。     

电子直线加速器磁控管频率稳定的自适应线性神经元方法

 电子直线加速器电子束能量的稳定与否取决于功率源工作频率的稳定性,磁控管在短时间内的散谱和轻微跳谱造成稳频系统的控制精度下降,最后电子束的扫描均匀度下降。引入自适应线性神经元方法(ADALINE)和噪声对消技术以消除对工作频率长期稳定性的影响,从而保证了电子束的扫描均匀度。     

停流—荧光动力学分析法测定痕量钛的研究

利用自行组装的停流-荧光动力学分析仪,采用停流法汇合流体动力注入技术,研究了钛与3.5-二溴水杨基荧光酮的荧光增强动力学反应性质,讨论了流速、进样时间对方法灵敏度和精密度的影响,提出了一个快速、简便、精确测定钛的分析方法,并用于稀土样品及合成样品中痕量钛的测定.方法检测限为8×10~(-3)ppm,大多数元素的干扰均可用动力学方法消除.     

稳态锁模产生4ps激光脉冲

首次利用ＧａＡｓ光电导开关，控制Ｎｄ：ＹＬＦ激光器腔内Ｑ值，实现稳态锁模，获得脉宽和能量稳定性极高的４ｐｓ激光脉冲。     

Residual stress profiling of an aluminum alloy by laser ultrasonics

A residual-stress profile along the thickness of an aluminum alloy sheet is determined by laser-ultrasonic technique. Surface acoustic waves are generated by a Nd:YAG pulse laser and detected by a Heterodyne interferometer on a lateral free surface of the sheet. The distribution of residual stress is determined by measuring the relative variation of the wavevelocities at different location of the sample along its thickness. This technique is validated by three different residual stress profiles obtained experimentally.     

应用物理类专业电磁学课程教学内容改革

应用物理类专业的培养目标是培养物理学应用型人才，物理学应用型人才是具备实验物理学家和工程师双重素质的复合型人才，物理学应用型人才应着重技术创新和应用能力的培养，应编写区别于物理学专业的、适应应用物理类专业特点的课程教材，应用物理类专业《电磁学》教材遵循电磁理论发展顺序的体系能体现理论发展的规律，符合普通物理的特点、要求和教学目标，文章论述了应用物理类专业课程教学内容改革的指导思想，介绍了我国第一套适应应用物理专业的面向21世纪的《电磁学》教材的特点。     

浅谈技能人才的专业教育与人文教育融合的途径

本文试图从校园文化建设的角度来探讨工学院技能人才的专业教育与人文教育的融合问题，文章以工学院校园文化建设现状，初步提出了技能人才的专业教育与人文教育的融合途径。     

Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation

Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved.