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111.
利用溶胶凝胶法在SiO2Si衬底上沉积高取向的V2O5薄膜,在压强低于2Pa,温度高于400℃的条件下,对V2O5薄膜进行真空烘烤,获得了电阻率变化3个数量级以上、弛豫宽度为62℃的VO2多晶薄膜.以X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)图和电阻率转换特性等实验结果为依据,详细分析了溶胶凝胶薄膜在真空烘烤时从V2O5向VO2的转化,它经历了从VnO2n+1(n=2,3,4,6)到VO2的过程.实验证明,根据选择合适的成膜热处理条件和真空烘烤条件是实现溶胶凝胶V2O5结构向VO2结构成功转换的关键
关键词:
溶胶-凝胶法 氧化钒薄膜 VO2膜转换特性 相似文献
112.
任中洲 《数学物理学报(A辑)》1992,12(1):35-40
考虑一个单l能级自旋。同位旋无关的成对力模型,当先辈数为零时,它对应于Winger超多重态对称性,借助子Dyson玻色子表示,我们求得了对应于Wigner超多重态对称性的解析解。 相似文献
113.
115.
肖宇玲 《南昌大学学报(理科版)》2002,26(4):341-344
将利用激发态产生和定义超势的方法应用于Morse,得到Morse势瓣的SUSY伴随势系列。对给定的Morse的第m个激发,它的SUSY—m伴随势可以表示为Morse势函数加上一有理函数,此有理函数为两相邻缔合拉革尔多项式的比的导函数。 相似文献
116.
117.
教学研究:介绍量子力学几个基本概念——兼答《关于量子几何相位的评注》中的几个主要问题 总被引:4,自引:4,他引:0
介绍了量子绝热定理的物理含义及成立的条件,认为有关主要献(Aharonov-Anandan,Bohm,孙昌璞等)的表述是正确的,而《关于量子几何相位的评注》^[1](以下简称《评注》)相应的表述不完全正确。在此基础上,认为这些献和教材(R.Shankar)得出的涉及Berry绝热相位的一些论述(不含Berry绝热相因子的瞬时能量本征态不满足含时Schroedinger方程等)也是正确的,而《评注》的论述与此相反。《评注》认为只有γn(C)才是Berry相位。本作则倾向于把γn(t)叫做Berry绝热相位,而把γn(C)=γn(T)-γn(0)叫做几何相位(geometric phase)^[2]。 相似文献
118.
119.
120.
谱约束下对称正交对称矩阵束的最佳逼近 总被引:3,自引:0,他引:3
讨论了对称正交对称矩阵的广义逆特征值问题,得到了通解表达式和最佳解的表达式。 相似文献