氮杂冠醚取代的单Schiff碱的合成及其钴(Ⅱ)配合物的氧加合性能

由苯并 10 氮杂 15 冠 5出发 ,经 2～ 4步反应合成了氮杂冠醚取代的单Schiff碱HL1,HL2及其异构体HL3 ,HL4.并以元素分析 ,IR ,1 HNMR和MS进行了表征 .在不同温度下 ,测定了它们的钴 (Ⅱ )配合物的氧合反应平衡常数及热力学参数ΔH°和ΔS° ,并与合成的非冠醚类似物CoL2 5 ,CoL2 6和CoL2 7比较 ,考察了配体芳环上取代的氮杂冠醚环及其取代位置对氧加合性能的影响     

密度泛函理论在分子磁学中的应用2.混合桥联三核镍配合物自旋交换作用

用密度泛函理论结合对称性破损方法(DFF-BS)研究了混合桥联三核镍配合物的磁交换耦合作用．这类化合物是由三唑和异硫氰酸根桥联形成的混合桥配合物．计算表明,在标题化合物中,三唑桥传递反铁磁耦合作用,而异硫氰酸根桥传递铁磁耦合作用;并且,随着异硫氰酸根取代三唑桥的数目增加,配合物的铁磁作用增强,在一定意义上说明了混合桥磁耦合作用的加合性．Mulliken自旋布居分析表明,无论是三唑桥还是异硫氰酸根桥,它们的磁交换作用机理都是磁中心的自旋离域．分子磁轨道分析显示,对于三唑桥,在局域磁轨道之间存在着强的轨道作用,导致了反铁磁耦合;对于异硫氰酸根桥,局域磁轨道之间弱的相互作用,表现了铁磁耦合作用．对标题化合物的研究说明了DFF-BS方法可用于三核体系磁交换作用的研究．     

SrCe0.9Yb0.1O3-α陶瓷的导电性

以高温固相反应法合成了质子导电性氧化物陶瓷SrCe0.9Yb0.1O3-α.粉末XRD结果表明,该陶瓷样品为单一斜方相钙钛矿型结构.以陶瓷样品为固体电解质、多孔性铂为电极,采用交流阻抗谱技术和气体浓差电池方法分别测定了样品在600～1000 ℃下、干燥空气及湿润氢气中的电导率及离子迁移数,研究了样品的离子导电特性.结果表明,在600～1000 ℃下干燥空气中,陶瓷样品的最大电导率为0.026 S·cm-1,氧离子迁移数为0.03～0.2,是一个氧离子与空穴的混合导体;在湿润氢气中,陶瓷样品的最大电导率为0.015 S·cm-1. 600～800 ℃时,陶瓷样品的质子迁移数为1,是一个纯的质子导体,而在900～1000 ℃时,陶瓷样品的质子迁移数为0.91～0.97,是一个质子与电子的混合导体,质子电导占主导.     

钌(Ⅱ)卟啉催化顺式二苯乙烯类化合物的选择性合成

由芳醛制得的腙盐在钌(Ⅱ)卟啉催化下发生自身偶合，以较高收率合成了二苯乙烯类化合物(～90％的顺式选择性)。部分中间体及目标化合物的结构经^1H NMR，^13C NMR和MS表征。     

JONES型电导池测量的LCR电桥等效电路选择

JONES电导池系统的交流阻抗由电极过程的相关阻抗和电极间溶液的电阻两部分组成,可用适当的等效电路模拟。采用LCR电桥测量JONES电导池中溶液的电阻时需要选择合适的等效电路为模型解析测量的交流阻抗。通过等效电路的分析发现,选择串联电路作为LCR电桥的解析等效电路测量JONES型电导池中溶液的电阻时引入的误差比并联电路小。     

创新性化学习题的设计

当前化学教学中,习题是培养学生创新意识和创新能力的主要手段。如何根据课程改革和高考改革的要求,编制高质量的创新性试题,是广大化学教师必须认真面对的重大研究课题。本文拟就创新性化学习题的编制做一些探讨。     

AB5型储氢合金的高倍率放电性能及机制

本文研究了储氢合金表面处理，粒度分布，稀土组成和添加剂硼对储氢合金高倍率放电性能的影响及机制的探讨。采用物理方法和化学方法对储氢合金进行表面处理，提高了合金表面电化学反应速度，同时促进了氢原子在合金本体中的扩散，从而改善了合金的活化性能、放电容量和高倍率放电能力。储氢合金粉粒度太粗和太细都使合金电极阻抗增大，导致放电容量和高保率放电能力下降，而且大电流放电平台也较低，选择合适的储氢合金粉粒度分布既可提高合金的活性和放电容量又能改善合金高倍率放电能力。随着合金中La含量的增加和Ce含量的减少，提高了合金的表面活性，使合金的大电流放电性能得到改善。储氢合金中加入元素B，使合金易粉化并形成少量的第二相，不但改善了合金的活性和放电容量而且显著地提高了合金高倍率放电能力。     

双帽Keggin型杂多阴离子[PM12O40(VO)2]n-(M=Mo,n=5; M=V,n=9)的离散变分方法研究

使用密度泛函理论的离散变分方法(DFT-DVM)研究了双帽Keggin型杂多阴离子[PM₁₂O₄₀(VO)₂]^n--(M=Mo,n=5; M=V,n=9),即[PMo₁₂O₄₀(VO)₂]^5- (a)和[PV₁₂O₄₀(VO)₂]^9- (b)的电子结构,讨论了双帽的形成对Keggin型杂多阴离子的电子结构和催化性质的影响,并与其Keggin型杂多阴离子(PM₁₂O₄₀)_n-(M=Mo,n=3; M=V,n=15)的计算结果进行了对比分析,计算结果表明,双帽的形成对Keggin型杂多阴离子的电子结构产生了很大的影响,因而它们在催化活性上可能会表现出较大的差异.     

CeO2-La2O3／γ-A12O3催化还原SO2反应机理的研究

采用浸渍法制备了负载型CeO2／γ-A12O3，La2O3／γ-A12O3和CeO2-La2O3／γ-A12O3催化剂，并用XRD和XPS对催化剂进行了表征，在n(SO2)／n(CO)=1／3，载流气体为N2，气体流量为1L／min，催化剂用量为15g的条件下，考察了催化剂催化CO还原SO2反应的性能，研究了催化剂的活化过程、催化活性和反应物配比对活性的影响．结果表明，CeO2-La2O3／γ-A12O3在催化还原SO2反应中的活化温度比单组分催化剂CeO2/γ-A12O3，或La2O3/γ-A12O3，下降了50～100℃，而且具有更高的活性。这可以解释为由CeO2的redox反应与La2O3的COS中间物反应之间的协同作用所致。还对SO2还原反应机理进行了探讨，发现CeO2的redox反应所生成的单质硫是整个过程中COS中间物反应的重要来源。在此基础上，对CeO2-La2O3/γ-A12O3催化CO还原SO2反应提出了redox-COS叠加反应机理。     

基于二维材料WX_2构建的范德华异质结的结构和性质及应变效应的理论研究

二维材料过渡金属硫属化物(TMDs),因其优越的物理化学特性及其在光电子器件、光催化等领域的潜在应用价值,得到了人们的广泛关注。基于TMDs材料可以构建具有不同性能的范德华(vdW)异质结,但构建的异质结由于其固有的能带带隙大小限制了其在全光谱上的响应,因而对其能带带隙调控变得十分重要。本文基于第一性原理方法系统地研究了WX_2 (X=S, Se, Te)从单层到体相的结构和性质,以及由此组装的vdW异质结构WS_2/WSe_2、WS_2/WTe_2和WSe_2/WTe_2的结构和性质以及应力应变对异质结构的能带带隙的影响。结果表明:结合HSE06泛函和自旋轨道耦合(SOC)效应的计算方案可以精确描述WX_2体系;异质结构WS_2/WSe_2,WS_2/WTe_2和WSe_2/WTe_2呈现type-II能带分类;在施加单轴或双轴的应力应变后,能带带隙大小发生相应改变,当晶格形变大于4%后,异质结构由半导体特性变成具有金属性。这些研究为光电子器件的设计提供了重要的指导意义。