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121.
半导体异质结界面能带排列的实验研究 总被引：3，自引：0，他引：3
本文综述半导体异质结界面能带排列的实验研究情况。介绍了九种目前已成功用于这方面研究的实验方法,这包括C—V测试、光致发光谱测量和光电子能谱测量,并讨论了Al_xGa_(-x)As/GaAs、InAs/GaSb、Ge/Si和Ge/GaAs等几种典型系统的一些研究结果。 相似文献
122.
交通部上海船舶运输科学研究所,采用全部国产化元、器件,经过3年多时间的努力,研制成功了新一代超声波玉石加工机,命名为CK-250-1型。前不久在北京通过定型鉴定。 该机由超声波发生器、振动系统和机床部等三大部分组成。超声波发生器:全晶体管化;输出电功率≥250W(连续可调),工作频率为21kHz±2kHz,输出阻抗:45Ω、50Ω、75Ω、100Ω、150Ω五档;有他激、自激两种工作方式,在满负荷功率下可连续工作8小时,功耗不大于450VA。振动系统:由阶梯式压电型振 相似文献
123.
为了进一步提高深亚微米SOI (Silicon-On-Insulator) MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 的电流驱动能力, 抑制短沟道效应和漏致势垒降低效应, 提出了非对称Halo异质栅应变Si SOI MOSFET. 在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构, 栅极由不同功函数的两种材料组成. 考虑新器件结构特点和应变的影响, 修正了平带电压和内建电势. 为新结构器件建立了全耗尽条件下的表面势和阈值电压二维解析模型. 模型详细分析了应变对表面势、表面场强、阈值电压的影响, 考虑了金属栅长度及功函数差变化的影响. 研究结果表明,提出的新器件结构能进一步提高电流驱动能力, 抑制短沟道效应和抑制漏致势垒降低效应, 为新器件物理参数设计提供了重要参考.
关键词：
非对称Halo
异质栅
应变Si
短沟道效应 相似文献
124.
论文根据ZnMgO/ZnO异质结构二维电子气的能带结构及相关理论模型, 采用一维Poisson-Schrodinger方程的自洽求解, 模拟计算了ZnMgO/ZnO异质结构中二维电子气的分布及其对ZnMgO势垒层厚度及Mg组分的依赖关系. 研究发现该异质结构中ZnMgO势垒层厚度存在一最小临界值: 当垒层厚度小于该临界值时, 二维电子气消失, 当垒层厚度大于该临界值时, 其二维电子气密度随着该垒层厚度的增加而增大; 同时研究发现ZnMgO势垒层中Mg组分的增加将显著增强其二维电子气的行为, 导致二维电子气密度的明显增大; 论文对模拟计算获得的结果与相关文献报道的实验结果进行了比较, 并从极化效应和能带结构的角度进行了分析和讨论, 给出了合理的解释.
关键词：
氧化锌
二维电子气
异质结构
理论计算 相似文献
125.
结合了“栅极工程”和“应变工程”二者的优点, 异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET, 通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料, 在应变的基础上进一步提高了MOSFET的性能. 本文结合其结构模型, 以应变Si NMOSFET为例, 建立了强反型时的准二维表面势模型, 并进一步获得了其阈值电压模型以及沟道电流的物理模型. 应用MATLAB对该器件模型进行了分析, 讨论了异质多晶SiGe栅功函数及栅长度、衬底SiGe中Ge组分等参数对器件阈值电压、沟道电流的影响, 获得了最优化的异质栅结构. 模型所得结果与仿真结果及相关文献给出的结论一致, 证明了该模型的正确性. 该研究为异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET的设计制造提供了有价值的参考.
关键词：
异质多晶SiGe栅
应变Si NMOSFET
表面势
沟道电流 相似文献
126.
李亚纯 《应用数学与计算数学学报》1994,8(1):47-54
本文采用整体迭代法证明了带小初值的一阶非线性耗散偏微分方程组的Cauchy问题的整体经典解的存在性及指数衰减性质。 相似文献
127.
一类泛函微分方程周期解的存在性与应用 总被引：5，自引：1，他引：5
本文给出了一类滞后型泛函微分方程有一个周期解的四个充分性定理，其结果明显地优于著名的Ｙｏｓｈｉｚａｗａ周期解定理，最后给出了应用实例。 相似文献
128.
129.
非线性抛物型问题Galerkin逼近的整体超收敛性 总被引：1，自引：0，他引：1
李潜 《高等学校计算数学学报》1994,16(3):288-292
假定Ω可以被剖分成满足逆性质的矩形网格T_h,剖分单元τ的最大直径为h,在T_h上构造连续的分片多项式空间 相似文献
130.
讨论如下抛物型方程模型问题: 这里Ω为具充分光滑边界(?)Ω的平面有界区域.假设对于讨论的f和A,(1.1)的解存在唯一,且具有所需要的正则性.引进q=-grad u,V=H(div,Ω),W=L~2(Ω),则(1.1)的变分形式如下:求{q,u}:t∈[0,T]→V×W,使 相似文献