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312.
本文在Menser概率赋范空间中引入了(Φ,Δ)型概率收缩的概念,研究了Menger概率赋范空间中具有这类概率收缩的非线性算子方程的解的存在性与唯一性.发展和改进了引文[1]、[4~8]的相应结果. 相似文献
313.
314.
利用X射线衍射研究了CoNiZ(Z=Si,Sb,Sn,Ga等)合金在不同热处理条件下的相组成.当Z元素为Sn,Sb时,材料是完全的B2结构;但Z为Si时,材料变成面心立方的γ相.形成B2还是γ相由电子浓度和原子尺寸效应两种因素共同决定.而CoNiGa的研究结果表明,在合金中除了形成B2结构的同时还容易形成γ相,常表现出两相共存的特性.对材料进行不同方式的热处理可以使合金中两相的含量有所消长,γ相含量的多少对CoNiGa合金的马氏体相变有很大的影响.分析指出,两相共存及其所带来的物性变化是CoNiGa铁磁性形状记忆合金非常有利用价值的物理性质. 相似文献
315.
利用“一锅法”合成了标题化合物,经元素分析,IR和^1H NMR确定了结构,并对产物进行了初步的生物活性测定。 相似文献
316.
在c~*-代数的定义中,要求范数是次乘的。但是这一点可以从其他条件推出来。 Araki-Elliott的定理1 设(A,||·||)是Banach空间,A并且是复数城上的*代数,及满足 相似文献
317.
本文中所沿用的概念和符号除特别说明外,其意义与[4,5]相同.本文主要给出了集Pδ(A)的结构以及正规算子A有唯一最佳ω-非负逼近的特征. 相似文献
318.
319.
High—Efficiency Organic Double—Quantum—Well Light—Emitting Devices Using 5,6,11,12—Tetraphenylnaphthacene Sub—monolayer as Potential Well
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XIEWen-Fa LIChuan-Nan LIUShi-Yong 《中国物理快报》2003,20(6):956-958
The double-quantum-well organic light-emitting devices of indium-tin-oxide (ITO)/NPB (50nm)/rubrene (0.05nm)/NPB (4nm)/rubrene (0.05nm)/Alq3 (50nm)/LiF (0.5nm)/Al were fabricated, in which N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N‘-diphenyl-1,1‘-biphenyl-4,4‘‘‘‘‘‘‘‘-diamine (NPB) is used as a barrier potential or hole transport layer, tris (8-hydroxyquinoline) aluminium (Alq3) used as electron transport layer, and 5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene (rubrene) as a potential well and emitter. The brightness can reach 18610cd/m^2 at 13V. The maximum electroluminescent efficiency of the device was 6.61cd/A at 7V, which was higher than that of common dope-type devices. In addition, the electroluminescence efficiency is relatively independent of the drive voltage in the range from 5 to 13V. 相似文献
320.