Zn1-xCdxSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数

考虑压力下势垒高度、激子结合能的改变等诸多因素的影响后数值研究了Ⅱ－Ⅵ族ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的跃迁能量和压力系数，特别是压力系数随阱宽的变化规律。计算表明在SCPA近似下跃迁能量的计算与实验值吻合较好，而在压力系数的计算中必须计及材料的体积弹性模量随温度和压力的变化。证实了ZnCdSe/ZnSe量子阱重空穴激子的压力系数随阱宽增大而减小的结论。     

无K1,r图中的哈密顿圈（英文）

本文借助对图的本质独立集和图的部分平方图的独立集的研究，对于K1,r图中哈密顿圈的存在性给出了八个充分条件。我们将利用T－插点技术对这八个充分条件给出统一的证明，本文的结果从本质上改进了C－Q.Zhang于1988年利用次形条件给出的k-连通无爪图是哈密顿图的次型充分条件，同时。G.Chen和R.H.Schelp在1995年利用次型条件给出的关于k-连通无K1，4图是哈密顿图的充分条件也被我们的结果改进并推广到无K1,r图。     

Sn-C60薄膜的紫外吸收光谱和X-射线衍射谱分析

对Sn-C60薄膜进行紫外可见光吸收，X-射线衍射和扫描电镜的测定结果显示，薄膜样品紫外可见光吸收的两个短波段吸收峰比纯C60薄膜的吸收峰显著下降，说明Sn-C60薄膜的电子光吸收跃迁为间接跃迁，能带中有杂质能级的存在；样品的X射线衍射峰则对应于面心立方结构；扫描电镜结果显示薄膜为纳米级颗粒组成。     

ICP-AES测定饮用水源中的Cu、Mn、Pb、Cd、Zn

用ICP－AES法同时测定饮用水源中的Cu、Mn、Pb、Cd、Zn等重金属元素，具有基体效应小、测量范围宽等优点。检出限为0．2－4．0μg/L，回收率为91．5％－103．9％，相对标准偏差为0．29％－1．5％，测定密码样与实际样品，结果令人满意。     

一类二元有理插值

应用文[1]新近建立的Gould-Hsu反演的双变量形式,本文研究了一类二元有理插值公式的构造,确定了该类插值函数所表现的函数类,并给出了差分表计算的递归公式     

New Levels in ^118Pd Observed in the β Decay of Very Neutron-Rich ^118Rh Isotope

We investigate the β decay of very neutron-rich ^118Rh isotope using on-line mass-separated sources which are produced by applying 25 MeV proton induced symmetric fission of natural uranium at the IGISOL facility. The β-γ and γ-γ coincidence spectroscopy is employed to establish the level scheme of daughter nucleus ^118Pd. Five low-lying new levels are identified for the first time with tentative spin and parity assignments based on the even-mass Pd systematics.     

Synthesis of a Novel Aromatic Diamino-bridged Bis（β-cyclodextrin） and its Inclusion Complexation with Dyes Molecules

Bridged bis(β-cyclodextrin)s (CDs), as a very important family of CD derivatives, have been known that they can significantly alter the molecular binding ability and selectivity toward a variety of guests in comparison with parent cyclodextrin. Their two…     

InxGa1-xAs-GaAs应变层量子阱结构的流体静压光荧光研究

本文报道了对分子束外延(MBE)生长的In_0.25Ga_0.75As-GaAs应变层量子阱结构在77K下的压力光荧光(PL)研究的结果。流体静压力从0到50kbar.,给出了In_0.25Ga_0.75As-GaAs应变层量子阱的Γ谷压力系数,实验观察到了量子阱中能级与势垒GaAs中X谷的能级交叉。通过对其压力行为的分析,给出了In_0.25Ga_0.75As-GaAs异质结的导带与价带跃变比:Q_c=△E_c:△E_v=0.68:0.32。对(InGa)As-GaAs应变量子阱常压下的理论分析与实验符合很好。本文也对Al_0.3Ga_0.70As-GaAs量子阱进行了讨论。 关键词：