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112.
硼在高压下具有复杂的结构和多样的物理性质,对其结构和性质的深入研究具有很重要的意义,一直引起理论和实验研究领域的关注。高压下进行电学性质测量是获得物质物理性质的有效手段,利用集成在金刚石对顶砧上的微电路,在高压下和两个不同温度范围内对β相硼进行了电导率测量,分析了导电机制随压力的变化规律。在0~28.1 GPa范围内,β相硼的电导率随着压力的增大是逐渐增大的,卸压后样品的电导率不能回到最初的状态,是一个不可逆的变化过程;由室温到423 K的范围内,β硼的电导率随着温度的不断增加有明显的上升趋势,并且随着压力的升高,电导率变化逐渐加快。此外,对样品在14.5 GPa和18.6 GPa压力下,用溅射到金刚石对顶砧上的氧化铝薄膜做绝热层,对样品进行了激光加热实验,最高温度达到2 224 K,电导率随着温度的上升而增大,结果显示,β相硼的电学特征仍然属于半导体的特征范围内。 相似文献
113.
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A new and green method for the synthesis of α,β-unsaturated arylsulfones had been achieved through the condensation of aromatic aldehydes,chloroacetonitrile,benzenesulfinic acid sodium salt in the presence of l-butyl-3-methyl imidazolium hydroxide([bmim]OH) in EtOH under reflux.The ionic liquid was recovered and recycled for subsequent reactions.The advantages of this protocol were non-toxic,easy work-up and good yields. 相似文献
115.
116.
Poly(4-vinylpyridine) is reported as a green,commercial available and efficient basic recyclable catalyst for the synthesis of chromene derivatives.This catalyst can be easily recovered by simple filtration and recycled up to 5 consecutive runs without any loss of its efficiency. 相似文献
117.
Two new guaianolide-type sesquiterpenoids,4β,9β-dihydroxy-1α,5α-H-guaia-6,10(14)-dien(1) and 4β,9β,10α-trihydroxy-1α,5α-H-guaia-6-en(2),along with four known sesquiterpenoids(3a,3b,4 and 5),were isolated from Kadsura interior.Their structures and configurations were elucidated by spectroscopic methods including 2D-NMR and HR-MS techniques.Compounds 3a and 3b were obtained as a pair of enantiomers,and their structure and absolute configuration were established from their extensive NMR spectra and by single-crystal X-ray analysis. 相似文献
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合成了单体甲基丙烯酸-2-(9,9-二乙基)芴甲酯(FMMA)作为捕光天线分子,通过原子转移自由基聚合方法(ATRP)合成了以β-环糊精(β-CD)为核的21臂星形发光聚合物β-CD-g-(PFMMA-b-PDMAEMA)21作为捕光聚合物.通过氢核磁共振谱、基质辅助激光解析电离飞行时间质谱和凝胶渗透色谱对其结构进行了表征.将其与能量受体分子蒽包合,通过紫外-荧光测试检测到了两者的能量传递现象,成功证明了基于主客体包合作用的星形拓扑分子捕捉和传递能量的过程,在光敏器件、太阳能电池和有机发光二极管等领域内具有潜在的应用价值. 相似文献
119.
Simulation of near-infrared photodiode detectors based on β-FeSi_2/4H-SiC heterojunctions 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
In this paper,we propose a near-infrared p-type β-FeSi2/n-type 4H-SiC heterojunction photodetector with semiconducting silicide(β-FeSi2) as the active region for the first time.The optoelectronic characteristics of the photodetector are simulated using a commercial simulator at room temperature.The results show that the photodetector has a good rectifying character and a good response to near-infrared light.Interface states should be minimized to obtain a lower reverse leakage current.The response spectrum of the β-FeSi2/4H-SiC detector,which consists of a p-type β-FeSi2 absorption layer with a doping concentration of 1×1015cm-3 and a thickness of 2.5 μm,has a peak of 755 mA/W at 1.42 μm.The illumination of the SiC side obtains a higher responsivity than that of the β-FeSi2 side.The results illustrate that the β-FeSi2/4H-SiC heterojunction can be used as a near-infrared photodetector compatible with near-infrared optically-activated SiC-based power switching devices. 相似文献