三缺位杂多阴离子α-A-PW9O9-34的苯基硅衍生物的合成和晶体结构

合成了三缺位杂多阴离子的苯基硅衍生物(TBA)3[α-A-PW9O34(PhSiO)3(PhSi)]*2H2O(记为1, TBA为四丁基铵阳离子), 并由元素分析、红外光谱、紫外光谱对化合物进行了表征, 研究了化合物的热性质. 结构分析结果表明, 该化合物属三方晶系, 空间群R3, 晶胞参数a=1.416 96(16) nm, b=1.421 63(16) nm , c=1.416 61(16) nm, α=99.801(17)°, β=99.843(17)°, γ=99.844(17)°, V=2.711 1(5) nm3. Z=1, R=0.054 8. 该化合物的阴离子是由1个α-A-PW9单元, 通过6个W-O-Si桥键与3个PhSiO单元相连, 3个PhSiO又通过Si-O-Si桥键与另1个处于帽位的PhSi相连, 形成饱和闭合笼形结构.     

ZnCuCoAlNO3型四元水滑石及其多氧阴离子柱撑物的合成与催化氧化性能

Anionic clay, ZnCuCoAlNO₃ and its polyoxometalate intercalates were synthesized, and were characterized by XRD, IR, ³¹PMAS NMR, DTA and elemental analysis. The pillared products are found to be effective catalysts for oxidation of cyclohexene with molecular oxygen under mild reaction conditions     

氮杂冠醚与碱金属离子配位反应的研究

滴定量效法是研究反应热化学和热力学的重要手段之一．用这种方法对冠醚与金属离子的配位反应热力学性质进行研究一直受到很大关注【且S习．但是对氨杂冠林，尤其是一系列结构相似的氨杂冠醚体系进行系统的热力学性质研究的报导不多．前文K则曾报导了用自组装的消定量热计对银（I）－a吹体系和铜（11）·N，N’一问位取代革基乙二胺体系的配位反应热化学研究结果·本文报导从（对位取代革基）k杂15冠5卜RPW15CS，R＝CIZH；CHa；CHso）与碘化钠和碘化钾在25T、无水乙过溶液中进行配位反应的消定量效研究结果．讨论了配体上取代基的电…     

杂多阴离子的相转移化学 Ⅰ.取代的Keggin及Dawson结构杂多阴离子在非极性溶剂中的溶剂化行为研究

利用四庚基溴化铵将Keggin结构的杂多阴离子ZW_(11)O_(39)M(H_2O)~(n-)(Z=Si,Ge,P;M=Ni~(2 ),C~(2 ),Cr~(3 ),Co~(2 );n=4～6)和Dawson结构的杂多阴离子P_2W_(17)O_(61)M(H_2O)~(n-)(M=Ni~(2 ),Cu~(2 ),Cr~(3 ),Co~(2 );n=7,8)从水溶液中转移至非极性溶剂(苯或甲苯)中,并观察到在水溶液中难以进行的配位水的脱去反应,形成配位不饱和的杂多阴离子.当加入Lewis碱如丙酮、吡啶等,可迅速恢复饱和配位,其电子吸收光谱也相应变化,基本恢复到配位饱和时的数值,有ESR信号.实验表明,在非极性溶剂中,配体之间相互进行的取代反应,吡啶配位能力最强,发生了取代反应ZW_(11)O_(39)M(L)~(n-) Py→ZW_(11)O_(39)M(Py)~(n-) L(L=丙酮、乙腈等).同时我们也研究了温度、杂多阴离子浓度、惰性气体流量对杂多阴离子在非极性溶剂中的溶剂化行为的影响,得到了相转移的一般规律,为杂多阴离子在非极性溶剂中的催化研究提供了理论依据.     

有机/无机异质结薄膜发光二极管

聚合物发光二极管（LED）自从Burrou吵es等于1990年首次报导PPV的电致发光［‘］以来，由于聚合物半导体具有热和化学性能的稳定，克眼了有机小分子材料容易晶化的优点，在平板显示领域必将占有一席之地，从而吸引了许多科学家投身到这一领域来．众所周知，要想实现LED的实用化     

ZnO对Ag/SiO2催化剂银的分散作用及对吲哚合成稳定性的影响

将ZnO助剂加到由苯胺和乙二醇一步合成吲哚的Ag/SiO2催化剂中,发现ZnO助剂能大大提高催化剂的稳定性.XRD和TEM表征首次得到:ZnO是结构型助剂,它能使银很好地分散在SiO2表面上,并可有效地抑制反应过程中银粒子的烧结.     

四（五氟化苯基）卟啉氯化铁选择催化氧化超临界丙烷的反应机理

 以BHT为自由基捕捉剂，研究了四（五氟化苯基）卟啉氯化铁（Ⅲ）将超临界丙烷高选择性催化氧化为丙醇的反应机理．通过GC－MS分析发现，反应产物中有PBHT，故可认为在超临界丙烷氧化反应过程中有丙基自由基存在，初步推断反应涉及自由基机理．同时发现高浓度BHT抑制反应，低浓度BHT促进反应的现象，而以戊烷为底物时没有促进作用．这是由于BHT的位阻效应所致．并对BHT存在时超临界丙烷氧化反应机理进行了初步的推断．     

Pt对Mo基催化剂还原-硫化过程的影响

采用脉冲硫化、连续硫化、程序升温还原、程序升温及程序降温电导及X射线衍射等方法研究了贵金属Pt对MoO3催化剂还原-流化过程的影响及Pt对MOS2配位不饱和活性中心形成的影响．结果表明，Pt担载或在MoO3上可以促进MoO3的还原-硫化，使MoO3的还原-硫化温度大大降低Pt担载在MoSw上可促进MoS2的部分还原形成配位不饱和的钼中心