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3.
采用密度泛函理论B3LYP方法,研究了锡苯和铅苯的[2+2],[4+2]及[4+4]二聚反应的微观机理和势能剖面,考察了Sn(Pb)原子上的2,4,6-三甲基苯基(Mes)取代基对反应势能剖面的影响.研究结果表明,所有反应均为协同过程,且大多数情况下,2个C—Sn(Pb)键同步形成.[2+2]和[4+2]反应在热力学和动力学上均比相应的[4+4]反应容易进行,而[4+2]反应在动力学上比相应的[2+2]反应有利.Sn(Pb)原子上的Mes取代基在热力学和动力学上均不利于反应的进行.铅苯的动力学稳定性与锡苯相当,但其热力学稳定性高于锡苯. 相似文献
4.
在1100℃制备了钙钛矿型非计量系列物Sr_(1-x)Bi_xFeO_(3-y),与文献相比,明显具有温度低、时间短、能耗少的特点。用化学分析方法测得其化学式及Fe离子的平均价态,用XRD、交流阻抗、IR、Mossbauer谱等方法研究了其结构与性质,该类化合物具有Pm3m对称性和半导体性质,铁离子会产生电荷歧化现象。 相似文献
6.
7.
AAS测定纸巾中的铅和镉 总被引:1,自引:0,他引:1
本文采用原子吸收光谱法测定纸巾中铅、镉的含量。结果表明,不同纸巾中的污染元素铅、镉的含量不同。同时还对一种纸巾的铅、镉元素进行了回收实验,回收率在92%-104%之间。 相似文献
8.
9.
Structural and Electrical Characteristics of Pb(Zr0.53,Ti0.47)O3 Thin Films Deposited on Si (100) Substrates 总被引:1,自引:0,他引:1
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Pb(Zr0.53, Ti0.47)O3 (PZT) films were directly deposited on Si substrates without a buffer layer by pulsed laser deposition. Only(110)-oriented PZT peaks (other than Si substrate peaks) were observed from the XRD data. The electrical properties of the PZT/Si capacitor were characterized in terms of both the capacitance versus voltage (C-V) and current versus voltage (I-V) measurements. The clockwise trace of the C-V curve shows ferroelectric polarization switching, as is expected. From the I-V curves, the Schottky emission and spacecharge-limited-current behaviour are found to be the mainly leakage current mechanism in a certain electric field range in the negative and positive bias, respectively. 相似文献
10.
黄龙 《新疆大学学报(理工版)》2003,20(2):130-132
用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位. 相似文献