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本文针对Kerr相互作用下系统中量子相干性的动力学分布进行了研究.所讨论系统包含两个没有相互作用的原子,每个原子都被囚禁在各自的光腔中,同时光腔被充满了非线性Kerr介质.研究发现非线性Kerr相互作用能够增加两原子间的量子相干性,而且增大的幅度会随着Kerr相互作用强度的增加而得以提高.其次,借助迹距离的方法,还探讨了非线性Kerr相互作用对于原子与光腔之间的量子信息流动的影响,发现Kerr相互作用可以加快量子信息回流到原子子系统中,抑制原子子系统与其余子系统间的量子信息交换,阻碍量子信息在系统中不同子系统间的流动,从而保护原子子系统中拥有的量子信息. 相似文献
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采用密度泛函(DFT)B3PW91方法在Lanl2dz基组下优化得到CdSe分子的基态稳定构型, 并研究了外电场对CdSe基态分子的总能量、HOMO能级、LUMO能级、能隙、电偶极矩μ、电荷布居、红外光谱的影响. 在相同的基组下用TD-DFT 方法计算了外电场下CdSe分子的前9个激发态的激发能、激发波长和振子强度. 结果表明: 无电场时CdSe分子的激发波长与实验结果符合较好, 相应的激发能也很接近. 随着电场增加, CdSe基态分子键长、偶极矩、红外谱强度先减小后增大; HOMO能级、LUMO能级、能隙随电场增加而减小; 总能量、谐振频率则是先增大后减小. 此外, 外电场对CdSe分子的激发能, 激发波长和振子强度均有较大影响. 相似文献
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本文采用高精度的内收缩多参考组态相互作用方法(icMRCI)计算了NS~±体系基态的势能曲线,为了能够获得精确结果在计算过程中考虑了能量的Davidson修正.之后基于获得的势能曲线求解核的一维Schr?dinger方程,得到了NS~±离子体系基态的光谱数据R_e、ω_e、ω_eχ_e、B_e、α_e.发现本文理论计算结果与已有的实验数据和现有理论值吻合得很好.并进一步计算了NS~+(X~1Σ~+)基态和NS~-(X~3Σ~-)基态的振动能级G(ν)和体系转动量子数J=0时的分子离心畸变常数B_ν、D_ν.与实验数据和其他理论结果的比较表明本文计算结果达到了较高精度能够为这一离子体系的进一步研究提供参考依据. 相似文献
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半导体材料通过掺杂实现n型和p型载流子导电在半导体器件领域具有重要意义,理论上可通过计算电荷转移能级和缺陷形成能来探索半导体材料的n型和p型掺杂效率。基于第一性原理,结合二维带电缺陷计算方法,类石墨烯氮化铝(graphene-like AlN, g-AlN)中的四种(BeAl,MgAl,CaAl,SrAl)潜在p型掺杂缺陷的结构、磁学、电学和缺陷形成能及转移能级被系统地计算。结果表明,所有缺陷体系均表现为深受主能级特性,很难为二维g-AlN提供p型载流子,它们反而会捕获g-AlN中的空穴,从而严重影响二维g-AlN材料的空穴导电率。BeAl在整个电子化学势范围内具有最小的形成能,因此更加容易掺入到g-AlN中,影响g-AlN材料的p型掺杂效率。 相似文献
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采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上旋涂生长了ZnO、Fe, Ni单掺杂及(Fe,Ni)共掺杂ZnO薄膜.产物的显微照片及XRD图谱结果表明, 该方法所制备的ZnO薄膜表面均匀致密,都存在(002)择优取向,具有六角纤锌矿结构,晶粒尺寸平均在13 nm 左右,振动样品磁强计(VSM)测试结果显示掺杂ZnO薄膜均存在室温铁磁性.光致发光(PL)测量表明所有样品薄膜的PL谱主要由较强的紫外发光峰(394 nm)、蓝光峰(420 nm)、绿光峰(480 nm)组成.Fe、Ni单掺杂和共掺杂并不改变ZnO薄膜的发光峰位置,但掺杂后该紫外发光峰减弱,420 nm处的蓝光峰增强. 相似文献
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采用第一性原理赝势平面波方法计算了三斜晶系低对称层状半导体二硫化铼(ReS2)的晶体结构、电子结构及光学性质。结果表明:扭曲的1T结构为ReS2的稳定结构, Re原子与其周围的S原子形成六配位的近似八面体结构,Re-S键长最大偏差为8.3%,Re-S键布局数最大偏差为40.5%,表明ReS2结构的低对称性;ReS2为直接带隙半导体,费米面附近的价带和导带主要由Re的5d及S的3p轨道电子构成,其中Re的5d轨道电子的贡献最大;当入射偏振光沿着[100]和[010]方向时,介电函数的实部(或虚部)非常接近,而当入射偏振光沿[001]方向时,介电函数的实部(及虚部)表现出明显的各向异性,主要是由于ReS2的结构低对称性和弱层间耦合造成的。 相似文献
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基于Hux1ey势函数的拟合势,通过精确度较高的密耦近似方法计算了入射能量为50 meV和150meV时,氦原子的四种同位素3He,4He,9He,10He与HCl分子碰撞体系的激发分波截面.通过分析不同能量下,各碰撞体系分波截面的差异,探讨了不同入射能量时He的同位素对He-HCl碰撞体系的分波截面的影响,总结出其分波截面随量子数和体系约化质量的变化规律. 相似文献
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对称陀螺分子PH30010-0000跃迁带的高温线强度计算 总被引:1,自引:1,他引:0
通过直接计算分子配分函数并将常温下的无转动跃迁偶极矩平方近似为一常数应用到高温,计算了对称陀螺分子PH3 0010-0000跃迁的高温线强度。在296K,计算的分子总配分函数与HITRAN数据库的结果符合很好,只有-0.075%的百分误差。计算的跃迁线强度在2000 K和3000 K的高温与HITRAN数据库的结果也吻合较好,表明分子配分函数和线强度的高温计算是可靠的。在此基础上,进一步计算了更高温度4000和5000 K的跃迁线强度,报道了对称陀螺分子PH3 0010-0000跃迁在极端高温4000和5000 K的模拟光谱。计算结果对大气分子高温光谱的实验测量和理论研究均有一定的参考价值。 相似文献
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