基于椭圆偏振光注入垂直腔表面发射激光器的正交偏振模式单周期振荡产生两路光子微波

提出了基于椭圆偏振光注入下垂直腔表面发射激光器(VCSEL)输出的正交偏振模式单周期(P1)振荡来同时获取两路光子微波的实现方案, 并进行了相关仿真研究. 结果表明: 在合适的参数条件下, 一个自由运行的VCSEL(定义为主VCSEL, M-VCSEL)可输出椭圆偏振光, 其X偏振分量和Y 偏振分量具有相同的激射频率; 将M-VCSEL输出的椭圆偏振光注入到另外一个VCSEL(定义为副VCSEL, S-VCSEL), 在给定主副VCSEL间频率失谐的条件下, 通过选择合适的注入强度可使S-VCSEL 中两个偏振分量均呈现单周期(P1)振荡, 从而可获得两正交的光子微波信号; 随着注入强度的增加, 光子微波的频率以及功率均呈现增加的趋势; 结合微波频率、功率以及输出光谱中第一边带和第二边带的幅度差在由注入强度和频率失谐所构成参数空间下的分布图, 可确定获取高品质微波信号的优化注入参数范围.     

微波辐射下润滑油类双季戊四醇六酯的合成

世界能源危机的出现,使合成润滑油的研究得到迅速发展。合成润滑油与矿物油相比,以其挥发性低、节省能耗、低温性能好、热氧化安定性好、使用寿命长等优点广泛用于军事、航空、机械等领域。随着高科技密集现代航空器的发展和环保要求的不断提高,国际上对润滑油的性能要求日益苛刻。合成酯类润滑油因其独特的高低温性能、粘温性能、润滑性能、无毒、可生物降解性能被广泛用作航空燃气涡轮发动机润滑油、仪表油、压缩机润滑剂的基础油,被称为环境友好的基础油。     

对堆叠物体保持直立下落条件的探究

相同的物体彼此堆叠,形成独立的塔.通过施加突然的水平力来卸下底部物体,以使塔架的其余部分下降到地面上,并且塔架保持直立.本实验将研究该现象并确定允许塔保持直立的条件.从项目本身出发,选择不同形状的物体进行实验,采用控制变量法对块的数量、块的规格,水平力的大小等相关变量进行实验和探究.先利用所学的动力学知识从理论上分析,...     

基于激子阻挡层的高效率绿光钙钛矿电致发光二极管

金属卤化物钙钛矿材料由于具有高的光致发光量子产率、高色纯度、带隙可调等杰出的光学性能,被作为发光材料广泛地用于制备钙钛矿电致发光二极管(perovskite light-emitting diodes,PeLEDs).虽然取得了较好的研究进展,但是其效率和稳定性还未达到商业化的要求,还需要进一步提高.为了提高PeLEDs的效率和稳定性,本文使用旋涂法,引入了一种具有宽带隙和较好空穴传输能力的有机小分子材料4,4′-cyclohexylidenebis[N,N-bis(p-tolyl)aniline](TAPC)作为激子阻挡层,获得了效率和寿命都得到提高的全无机PeLEDs.研究表明,PeLEDs效率和寿命得到提高的物理机制主要源于两方面:1)TAPC具有恰当的最高占有分子轨道能级,与PEDOT:PSS的最高占有分子轨道能级和CsPbBr3的价带边形成了阶梯式能级分布,有利于空穴注入和传输;同时TAPC具有较高的最低未占分子轨道能级,能够有效地阻止电子泄漏到阳极端,并能很好地将电子和激子限制在发光层内;2)TAPC层的引入可以避免钙钛矿发光层与强酸性的空穴注入材料Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(p-styrene sulfonate)(PEDOT:PSS)的直接接触,进而免除钙钛矿发光层由于与PEDOT:PSS的直接接触所导致的激子淬灭,从而提高了激子的发光辐射复合率.     

12N直接碎裂反应研究

描述了在兰州放射性束流线(RIBLL)上用78.6MeV/u的¹⁴N束流轰击Be靶产生出34.9MeV/u的¹²N次级束流. 利用¹²N轰击Si靶作为次级靶, 利用直接碎裂反应测量它的反应总截面. 利用理论模型进行了计算, 理论计算和实验结果符合的很好. 发现¹²N的质子密度分布相对于中子而言, 有一个很大的弥散.     

磁场对有机电致发光的影响

制备了常规有机发光二极管ITO/NPD/Alq₃/LiF/Al，测量了该器件发光的磁场效应.发现尽管在1T范围内的磁场对发光层Alq₃的光致发光没有影响，但磁场作用下器件的电致发光(MEL)却呈现出明显的磁效应，且MEL与器件的偏压有很强的依赖关系：在小偏压时，随着磁场的增加MEL是单调递增，且在大小约为40kA/m的磁场下达到饱和，之后即使磁场增大到约1T 的情况下也没有变化；但当偏压变大时，MEL则呈现先增加，在40kA/m处达到峰值后却又减弱，而且偏压越大该MEL的减弱则越明显.对所观察到的实验结果进行了定形解释，即三线态激子相互淬灭产生单线态激子和三线态激子与器件中的非平衡载流子相互作用是此效应的物理机理. 关键词： 有机发光 磁场效应 激子淬灭     

电化学制备薄黑硅抗反射膜

采用计算机控制电流密度按指数规律衰减对单晶硅进行电化学腐蚀，得到了折射率随薄膜厚度连续均匀变化的抗反射膜，即黑硅样品. 这种在制取上快速、经济和工艺非常简单的样品，不仅在较宽波段范围内反射率小于5%，且整个薄膜厚度不足1μm. 利用传输矩阵方法对黑硅样品的反射谱进行模拟，得到了理论与实验符合较好的结果.     

PbnSn(n=1-19)合金团簇电偶极矩和极化率的研究

利用基于密度泛函理论的有限电场方法对PbnSn(n=1-19)团簇的电偶极矩和极化率进行研究。PbnSn(n=1-19)合金团簇的高对称性抑制其电偶极矩的产生。在团簇原子总数N＜14时，团簇的电偶极矩与能隙表现出相反的变化趋势（同一尺寸下，高能隙与低电偶极矩相对应），然而在14≤N≤19范围内，由于构型生长方式的转变，能隙与电偶极矩展现出相同的演化趋势。研究所得的极化率与实验值在部分尺寸相符合较好，但总体上与实验值还有一定的差别，这可能是实验中包含混合态或激发态的缘故。     

潮汐现象与三步教学法的应用

以常见的"潮汐"现象为例,说明用"三步教学法"在常见物理现象教学中的应用.     

Half-Heusler合金Cu1-xFexMnSb的电子结构和反铁磁-铁磁相变简

基于密度泛函理论(DFT),使用局域密度近似(LDA)研究了Heusler合金Cu1-xFex MnSb的电子结构和反铁磁-铁磁相变.研究发现,两种磁状态下的合金晶格常数随掺杂浓度x变化很好地满足Vegard定理.当x0.5时,铁磁态合金的总磁矩很好地符合SP规律,然而当x0.5时,却发生了明显的偏离.由于整个体系存在RKKY和超交换磁耦合的竞争,因而在x=0.25时,我们观察到了独特的反铁磁—铁磁相变.进一步的态密度分析发现,Cu的掺杂浓度可以有效调整铁磁态合金的费米面位置,并且反铁磁态合金由于不同自旋方向的Mn原子的分波态密度相互补偿,总态密度形成了几乎完全对称的自旋向上带和自旋向下带.