RPA与G矩阵的偏离能壳性

本文考察了G矩阵的偏离能壳性对RPA的影响, 在以下四种情况下计算了¹⁶O的单粒子单空穴激发TDA与RPA谱: (Ⅰ)假定每个G矩阵元都可取成在能壳上的值; (Ⅱ)严格顾及了G矩阵的偏离能壳性; (Ⅲ)考虑了自屏蔽效应, 但G矩阵元均取在能壳上的值; (Ⅳ)G矩阵的偏离能壳性和自屏蔽效应都顾及了.发现例如T=0的第一个0⁺态能谱分别是(单位: MeV)     

本体聚合反应过程中聚甲基丙烯酸甲酯增长自由基的ESR研究

采用TM₁₁₀谐振腔和φ2mm样品管,在17℃室温条件下成功地记录了MMA本体聚合反应过程中增长自由基的ESR谱。当把DMA加入到MMA和BPO中后,立即抽取0.17ml混合液到φ2mm样品管并记谱。以后每隔2分钟记谱一次,波谱从13(5+8)条线逐渐变成9(5+4)条线。我们用阻碍振荡模型和构象重叠模型作了模拟。从全部谱图看,前者似更合理些。ESR实验表明:在聚合过程前期,自由基浓度基本保持不变,但从聚合中期的某一时刻开始,浓度剧增,它正好同步地与本体聚合反应的自加速效应相对应,而且其变化规律和单体转化率相平行。最后,我们用微波功率饱和方法观测到9线谱的协同自旋跳跃所产生的卫线,证明了主导的电子自旋晶格弛豫机理来自电子一核自旋间的偶极偶合角调制。     

∑关系线性理论的应用(Ⅱ)——∑_7关系的应用问题

本文根据“Σ关系线性理论”的原则,提出了可行的Σ_7关系运算方案。用五个不同类型的已知结构进行了验证。文中对Σ_7和Σ_3关系作了比较,并讨论了这一类关系式的实际应用价值。     

γ矩阵的Gordon约化及其某些应用

本文在Gordon恒等式的基础上, 推导出一些γ矩阵的约化公式. 应用这些公式来推导夸克反夸克间的单胶子交换势和约化夸克体系Bethe-Salpeter方程中的γ矩阵, 分别得到了与Faessler等人和Mitra等人不同的结果.     

原子核的单粒位阱(Ⅰ)——一个定理

本文证明了一个定理并讨论了它的一些应用。定理给出了单粒子能量与分离能的严格关系。     

统计热力学的系综变换

本文由三个变数热力学体系的微正则系综基本公式 Ｓ＝ｋｌｎ Ω（Ｕ，Ｖ，Ｎ），导出所有可能系综的基本公式．热力学中特性函数Ｓ（Ｕ，Ｖ，Ｎ）经Ｌｅｇｅｎｄｒｅ变换得到其他特性函数，本文模仿Ｌｅｇｅｎｄｒｅ变换定义配分函数变换，由微正则系综配分函数Ω（Ｕ，Ｖ，Ｎ），通过变换得到其他系综的配公函数，定义各系综的分布函数．并按平均值定义，导出各系综的配公函数与特性函数的关系．上述方法可推广用于其他平衡体系．     

原子核的单粒位阱（Ⅲ）——非厄米位阱uαβ=Mαβ（εβ）的本征值

本文证明了以下结果:虽然单粒位阱 u_αβ=M_αβ（εβ）[或 u_αβ=M_αβ（εα）,M_αβ（ω）为质量算符]是非厄米的,但由它所确定的断续本征值ε_γ却一定是实的,而且严格满足以下关系:ε_γ,=±[E_nγ（N±1）—E₀（N）]其中 E₀（N）与 E_nγ（N±1）分别表示满壳核（核子数为 N）基态与（N±1）核的严格能量本征值.此外,为了判断任一单粒位阱的本征值是否也可能满足上述关系,文中给出了一个计算其判据的简便方法.应用这方法还可很容易地算出单粒格林函数的振幅修正.     

原子的解析波函数

我们设计了一套变分波函数,用来计算了周期表中前面十个原子的能量。我们设计的单电子试探波函数具有下列形式:1s:ψ₁(r)=N₁e^-μαr[1+(μbr)²], 2s:ψ₂(r)=N₂[(μr)e^-μr-Ne^-μcr], 2p:ψ₃(r)=N₃(μdr)cosθe^-μdr, ψ₄(r)=N₄(μdr)sinθe^iφ-μdr, ψ₅(r)=N₅(μdr)sinθe^-iφ-μdr。式中的a,b,c,d及μ为五个变分参数。N₁,N₂,N₃,N₄与N₅为归一化因子;N由ψ₁与ψ₂的正交条件来决定。用这种波函数来计算原子的能量,所得的结果比莫尔斯等人(P.M.Morse,L.A.Young and E.S.Haurwitz)用他们设计的四参数波函数所算得的结果为好,更接近实验值,同时也接近于由自洽场所算出的结果。若我们的波函数中固定c等于1不变,这时就变为只有四个参数的波函数,结果仍比莫尔斯等人的好。     

氖等电子序列2p^5nl（l=s,d）系列的高激发态结构

本文用本征通道量子亏损理论方法（ＥＱＤＴ方法）计算了氖等电子序列２ｐ＾５ｎｌ（ｌ＝ｓ，ｄ）系列的高激发态结构。得到基本结构参量（ＥＱＤＴ参量）随净电荷数Ｚｃ增大的变化规律，并从静电相互作用下自旋－轨道相互作用之间的竞争角度给出确切的物理解释。以ＮｅＩ为实例，给出其高激发态结构的具体数值结果。     

LP-MOCVD生长InGaAs/InP应变量子阱的研究

本文研究了LP-MOCVD对不同x值的In_1-xGa_xAs/InP生长条件,并且生长了压缩应变为0.5%三个不同阱宽的InGaAs/InP量子阱结构,利用77KPL光谱分析了能级同阱宽的关系,实现最窄阱宽为4.4nm,最小全半高峰宽为17.0mev.