多片双三次Bézier曲面片的C2连续拼接探讨

文推导了两片双三次Bezier曲面片G2连续拼接的控制顶点之间的12个 约束条件.在进行多片双三次Bezier曲面片的C2连续拼接时,约束条件之间并不一定相 互独立.本文就一般场合下条件的相关性进行了探讨.     

不可分离凸背包问题的拉格朗日分解和区域分割方法

本文对线性约束不可分离凸背包问题给出了一种精确算法．该算法是拉格朗日分解和区域分割结合起来的一种分枝定界算法．利用拉格朗日分解方法可以得到每个子问题的一个可行解，一个不可行解，一个下界和一个上界．区域分割可以把一个整数箱子分割成几个互不相交的整数子箱子的并集，每个整数子箱子对应一个子问题．通过区域分割可以逐步减小对偶间隙并最终经过有限步迭代找到原问题的最优解．数值结果表明该算法对不可分离凸背包问题是有效的．     

随机偏爱群体决策的随机Borda数法

对于具随机偏爱信息的群体决策问题，本文引入供选方案的随机Borda数和供选方案集上的随机Borda数映射概念．在讨论了随机Borda数映射满足随机偏爱公理的基础上，给出一个对所有供选方案进行群体排序的方法．     

一致条件下具学习因子的几个单机排序问题

n个工件需在同台机器上依次加工，工件j,j=1，2，…，n所需的正常加工时间为pj,如在某序中工件j第r个加工，则机器对其实际加工的时间为pjr^α，其中α≤0为一学习因子．要求适当排列这n个工件的加工顺序，使某目标函数达最小．本文对加权完工时间之和，最大迟后，延误工件数这三个目标函数，给出了在相应的一致条件下，对应的WSPT规则，EDD规则，修正Moore-Hodgson算法可获最优序，并估计了在一般情况下由该三规则所获序的误差．     

纳米尺寸高k/Si1-xGex NMOS场效应管性能的数值模拟研究

本文展开了高介电常数(k)栅介质Si1-xGexNMOS场效应管性能的数值模拟研究,基于有限元法,建立了纳米尺寸(栅长=15 nm)NMOS场效应管模型.为了研究栅介质和衬底材料参数变化对器件性能的影响规律,利用数值分析手段,在衬底Si1-xGex中Ge组分x从0到1变化区间,选取不同介电常数的栅介质,且其厚度在一定范围内变化时,综合分析了纳米尺寸NMOS场效应管的转移特性曲线和输出特性曲线.分析表明,在栅介质的k值和厚度一定时,随着衬底中Ge组分x从0逐渐增大增加,器件阈值电压持续减小,直到x为85;时突然变大,而在Ge组分继续增大时,阈值电压又维持减小趋势.为了尽量避免隧穿效应,研究了高k栅介质厚度高于5 nm时的器件特性,结果表明,随着栅介质厚度的减小,器件阈值电压减小,驱动电流则持续增大.     

一维凸函数牛顿法的全局收敛性及其应用

牛顿法是求解非线性方程F（x)＝0的一种经典方法。在一般假设条件下，牛顿法只具有局部收敛性。本文证明了一维凸函数牛顿法的全局收敛性，并且给出了它在全局优化积分水平集方法中的应用。     

近似全局精确障碍方法:对数障碍函数法

本文给出一种关于不等式约束非线性规划问题的近似全局精确障碍方法,从近似的观点出发,通过引进对数障碍函数,我们得出了关于原始问题和障碍问题关系的几个定理,在近似的意义下,这些定理可以用来构建原始问题和障碍问题关系的基本理论框架。     

关于u″ μ(u-u~k)=0(4≤k∈Z~ )分叉的注记

讨论了一类反应扩散方程 u″ μ(u -uk) =0 ,u(0 ) =u(π) =0 (4≤k∈Z ,μ为参数 )的分叉现象·　运用所谓基于李雅普诺夫_施密特约化的奇异理论方法 ,得到满意的结果     

解线性不适定方程隐式迭代法的r-步拟残差准则

本文给出了解不适定算子方程隐式迭代法后验选取步数的一类准则,称为r-步拟残差准则,证明了它们总导致最佳收敛阶.这类准则包含著名的Morozov残差准则和Gfrerer准则作为特例.     

非自治的Schrdinger方程的吸引子

研究 2维的非自治非线性Schr dinger方程长时间的动力学行为·　证明了一致吸引子的存在性 ,并给出了该一致吸引子Hausdorff维数的上界·