激光脉冲诱导损伤点对激光传输的影响

高能重复激光脉冲对光学元件损伤点的产生和扩展与损伤点对后续激光脉冲光强的调制作用密切相关。观察激光诱导K9玻璃的损伤点,发现损伤点是从里到外呈现辐射状分布,内部损伤程度最大,可致充分断裂;向外损伤程度减小,呈现辐射的应力相变,引起折射率变化;对损伤点的透射光谱检测发现其透过率下降大于20%,但是下降的幅度与波长无关,说明充分断裂的材料会对激光进行充分吸收,类似黑体吸收,其对入射光的吸收只与损伤点的面积有关。CCD对激光通过损伤点后的光强分布探测发现： 在激光能量传输过程中,损伤点会导致光强分布的不均匀,存在明显的散射效应,这会引起激光光强分布的不均匀性,导致损伤区域的进一步扩散。     

KTP晶体的激光烧蚀特性及Raman光谱研究

高阈值的KTP晶体的研发,对高能激光领域至关重要。采用高重复频率的紫外激光对KTP进行烧蚀,并对烧蚀前后的Raman光谱进行分析,研究发现：激光等离子体效应是造成晶体破坏的主要原因,其逆韧致吸收效应会大大增加激光脉冲能量的沉积,电离效应使得晶体发生充分的离解,高压冲击波效应则把熔化、气化以及电离混合物外排的同时,使得材料发生断裂。烧蚀前后的Raman光谱的特征峰分布基本相同,说明烧蚀作用没有改变KTP材料的整体结构。但是,特征峰的对比值(RIR)都发生了改变,且有所展宽,说明烧蚀后结晶度降低。其中TiO₆和PO₄等主要氧多面体的特征峰向低波数漂移,说明材料的键合力消弱,更易发生离解。     

有限格点一维Holstein极化子研究

利用相干态正交化展开法,得到了一维Holstein模型基态能量的解析表达式.为了便于比较,将系统的基态试探波函数逐级展开到三级近似,计算了不同格点、不同耦合强度下的基态能量,在展开到3级近似时,所得结果与数值计算一致. 关键词： 相干态正交化展开 极化子 模拟退火方法     

精确计算非旋波近似下二能级系统的能谱和动力学性质

利用相干态正交化展开法,精确求解了非旋波近似下Jaynes-Cummings模型的能谱和动力学性质.与近似下解析解比较发现,在弱耦合和强耦合区近似解析解与数值精确解符合很好,但在中间耦合区符合较差. 关键词： 相干态正交化展开 非旋波近似 Jaynes-Cummings模型     

相对论速调管放大器中微波的相位抖动研究

相位抖动对于相对论速调管放大器来讲是一个重要参数,同微波器件的物理过程密切联系,论文从影响器件相位抖动的物理过程出发,结合模拟程序,研究不同条件下放大器的微波相位抖动,给出影响器件微波相位抖动的物理因素.当微波器件实现稳定放大工作时,输出微波相对于注入微波的相位抖动主要由电子束束压波形的抖动和纹波引起,在一定范围内相位抖动与这种波动成线性关系. 关键词： 相对论速调管放大器 相位抖动 微波器件     

3-[二(羧甲基)氨甲基]-1,2-二羟基蒽醌-3-甲基胺-N,N- 二乙酸与腺嘌呤的分光光度法研究

采用分光光度法对腺嘌呤(Ade)与3-[二(羧甲基)氨甲基]-1,2-二羟基蒽醌3-甲基胺-N,N-二乙酸(AFB)反应体系进行了研究.优化了实验条件,建立了Ade的分析方法.本法测定Ade的检出限为6.54×10-5 mol/L,摩尔吸光系数(ε)为3.2×104L·cm-1·mol-1;初步探讨了反应机理.     

微波等离子体法合成SrAl_2O_4:Eu~(2+),Dy~(3+)中激活剂的浓度猝灭研究

采用微波等离子体法合成SrAl_2O_4:Eu~(2+),Dy~(3+)长余辉发光材料,通过对掺杂不同激活剂浓度的产物的光谱性能、余辉性能、相组成结构的分析以及晶胞常数的计算,探讨了微波等离子体法合成srAl_2O_4:Eu~(2+),Dy~(3+)时,激活剂Eu~(2+)的浓度猝灭特性.XRD测试结果表明,Eu~(2+)离子的掺入对基质晶格畸变影响很小;光谱和余辉性能测试表明Eu~(2+)的掺杂浓度对产物的瞬时发光强度影响较大,相对而言对余辉性能的影响程度不大.产物的发光性能随Eu~(2+)摩尔浓度的增大呈现先增强后减弱的趋势,发光中心Eu~(2+)离子的猝灭浓度为4%.结合EDX结果说明,与高温固相法以及其他一些方法相比,采用微波等离子体合成技术可在一定程度上提高Eu~(2+)离子的临界猝灭浓度,从而为进一步提高长余辉发光材料的发光性能提供了可能.     

Y（1-x）LuxMnO3多铁性陶瓷的制备、相关系和介电性能

采用固态化学反应方法制备了Y(1-x)LuxMnO3体系的系列样品. 利用粉末X射线衍射分析(XRD)和扫描电子显微镜(SEM), 研究了Y(1-x)LuxMnO3体系的样品形貌、相关系和固溶区范围. 采用Rietveld结构精修的方法研究了不同掺杂量对晶体结构的影响, 研究表明, 体系的固溶区范围大约为x=0.0～0.32. 介电性能表明: Lu3+离子的掺杂影响了样品的介电常数和介电损耗, 介电常数在固溶区范围达到最大值, 但掺杂量并未改变居里温度.     

卤代异羟肟酸钴（Ⅱ）配合物催化氧化二甲苯的研究

以空气为氧源,一系列卤代异羟肟酸钴(Ⅱ)配合物(CoL21～CoL29)为催化剂,研究了其液相氧化对二甲苯生成对甲苯甲酸的性能和规律,比较了配合物中引入卤原子的种类与位置对催化剂催化活性的影响,考察了氯代异羟肟酸钴(Ⅱ)配合物CoL23催化氧化不同配比的混合二甲苯的选择性.结果表明:在反应温度为110℃、催化剂浓度为1.0 mmol/L、空气流速为2.4 L/L/min的条件下,1.5 h内二氯代异羟肟酸配体的钴(Ⅱ)配合物的催化活性顺序是CoL23＞CoL24＞CoL27＞CoL25＞CoL26,1.5～4 h的催化活性顺序是CoL23＞CoL24＞COL24＞CoL25＞CoL26单卤代异羟肟酸配体的钴(Ⅱ)配合物催化活性顺序是CoL29＞CoL28＞CoL21.当混合二甲苯中各异构体比例为5:3:2(对:邻:间)时,反应有较高的选择性,并能析出纯度达96.7%的对甲苯甲酸固体.     

先驱体聚合物粘结法制备SiC纳米多孔陶瓷

采用SiC纳米粉体与聚碳硅烷(PCS)为原料低压成型低温烧结制备SiC纳米多孔陶瓷,研究了PCS含量对烧成纳米多孔陶瓷性能的影响。SEM和AFM微观形貌分析表明,PCS裂解产物将SiC纳米颗粒粘结起来,烧成陶瓷内部有大量的纳米孔存在。烧成SiC纳米多孔陶瓷孔径分布呈单峰分布、孔径分布范围窄,随着PCS含量的增大烧成多孔陶瓷强度增大,但孔隙率降低、烧结过程中坯体尺寸线收缩率增大。PCS含量为20wt%时三点弯折强度为36.8MPa,孔隙率为39.5%,平均孔径为49.3 nm。