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一阶线性常微分方程解法及教学 总被引:1,自引:0,他引:1
在讨论求解一阶线性常微分方程的常数变易法、积分因子法的基础上,导出了函数变换法,对比分析了它们在解决一些实际问题的基本思想和方法策略,提出了对教材相应内容的处理意见,阐述了所述内容在教学中对学生进行思维能力训练的地位和作用. 相似文献
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牛血清白蛋白与锌试剂作用机理的荧光法研究 总被引:2,自引:1,他引:1
采用荧光光谱法、紫外-可见光度法研究了牛血清白蛋白(BSA)与锌试剂(ZCN)作用的机理。牛血清白蛋白(BSA)在280 nm的光激发下能发射345 nm的荧光(即λex=280 nm,λem=345 nm)。当BSA中加入适量的锌试剂(ZCN),BSA的荧光被部分猝灭。由Stern-Volmer方程和双倒数曲线Lineweaver-Burk方程获得了反应的动态猝灭常数、静态猝灭常数,并对猝灭的类型做出了推断。通过计算反应的热力学参数讨论了结合反应的主要作用力类型。根据Frster非辐射能量转移机理,计算了给体(BSA)与受体(ZCN)间距离r=5.07 nm和能量转移效率E=0.67。证实了该体系的荧光猝灭是通过能量转移机制产生的单一静态猝灭过程。 相似文献
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兼具磁共振响应的碳量子点光致发光材料的构筑和性能 总被引:1,自引:0,他引:1
碳量子点作为光功能组分和纳米载体用于构筑磁共振-荧光双模态分子探针的研究才刚刚开始。本文首次以兼作Gd3+源和碳源的钆喷酸单葡甲胺为前驱体,研究了热裂解温度、保温时间和加热速率对前驱体碳化程度、所得产物量子产率和Gd3+掺杂量的影响。结果显示,前驱体在经历合理的热裂解条件(热裂解温度不高于350℃)后,可简便地制得Gd3+螯合物掺杂的碳量子点。该碳量子点除了具有优异的发光能力外(量子产率~7.6%),还表现出磁共振响应(纵向弛豫率~6.5 mmol-1·L·s-1),可用作磁共振-荧光双模态分子影像探针。 相似文献
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采用浸渍法和共沉淀法制备了HoCeMn/TiO2脱硝催化剂并对其结构和性能进行了表征。结果表明共沉淀法增强了活性组分和载体的相互作用,从而增加了 HoCeMnTi-C催化剂表面 Ce3+、Mn4+以及吸附氧的含量,使其表现出优异的低温氧化还原性能。此外,共沉淀法制备的HoCeMnTi-C具有更多的表面酸性位点及更强的表面酸性。催化剂表面酸性和氧化还原性能的提高有助于氨的吸附和活化,从而显著提高其活性。表面酸性位点的增多还抑制了 H2O和 SO2在催化剂表面的吸附,提升了催化剂的抗水抗硫性能。催化剂上的选择性催化还原(SCR)反应遵循Eley-Rideal(E-R)机制,催化剂硫中毒是源于形成的硫酸盐覆盖或破坏了催化剂活性位。 相似文献
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自旋塞贝克效应是由(亚)铁磁体中的温度梯度引起自旋塞贝克电压信号的现象,目前已成为热自旋电子学研究的热点领域之一。本文采用反应磁控溅射工艺在Si衬底上沉积NiO薄膜,分别研究了溅射功率、氧氩比例、溅射气压、衬底温度对NiO薄膜微观结构和表面形貌的影响,实验中反应磁控溅射最适工艺条件为溅射功率110 W、氧氩比例0.15(O2 15 mL/min; Ar 100 mL/min)、溅射气压0.3 Pa、衬底温度400 ℃。研究了Si/NiO/Pt结构中温度梯度(温差)、磁场角度、NiO厚度变化和Pt厚度变化对自旋塞贝克电压的影响。结果表明,自旋塞贝克电压与温差呈简单的线性关系,温差越大测得的自旋塞贝克电压越高;磁场角度与自旋塞贝克电压之间满足余弦函数关系式,即在0°和180°时所得自旋塞贝克电压最大,90°和270°时为零;反铁磁性绝缘层NiO的厚度越大,所测得的自旋塞贝克电压信号越强;顺磁金属层Pt的厚度越大,自旋塞贝克电压信号越弱。 相似文献
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离子交换法制备层状LixNi0.3Mn0.7O2正极材料及其离子交换规律的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
通过共沉淀法高温固相反应在空气气氛中合成出具有P2型结构特征的碱青铜前驱体Na0.66Ni0.3Mn0.7O2,研究了在4种不同离子交换条件下进行离子交换反应得到目标正极材料LixNi0.3Mn0.7O2的离子交换规律,并用XRD、SEM、粒度分析和电性能测试考察了目标正极材料及其前驱体的结构、形貌和电化学性能。结果表明,以熔融LiNO3为介质于300 ℃离子交换4h反应进行得最为完全,离子交换率达98 %,且目标正极材料具有较完善的O2型层状结构,在2.6~2.9 V存在唯一的充放电平台,循环过程中未发现向尖晶石相转变;而离子交换时间过长,目标正极材料将出现尖晶石相而影响其放电容量和循环稳定性。 相似文献
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采用LSDA(Local spin-density approximation)近似及LSDA+U(在位库伦势)近似模拟金属间化合物Ni5Nd2B4的磁性能对于R-M-B合金特性的研究具有重要意义。研究结果显示,LSDA近似下,Ni5Nd2B4具备金属导体性质,晶体结构中最紧邻Ni、B原子间杂化成键,最紧邻Ni-Ni共价成键,Nd、B原子形成成键分子轨道作用,Ni原子间存在自旋消弱现象;LSDA+U近似下,Nd原子磁矩提供体系磁性来源,由于自旋排斥作用Ni原子电子与Nd原子电子自旋方向相反,体系在U值约为6.35eV的作用下能较理想的处理体系电子作用。 相似文献