二维氢原子的相对论修正

求解了二维氢原子的狄拉克方程,得到了精确的相对论能级与波函数,并详细讨论了非相对论极限.     

MSO4:Eu2+(M =Mg,Ca, Sr,Ba)的等电子陷阱与热释光特性

在硫酸盐掺入稀土元素的研究中, 得到了几种掺入Eu²⁺的碱土金属硫酸盐磷光体MSO₄:Eu²⁺ (M =Mg, Ca, Sr, Ba), 这组磷光体具有与掺入三价稀土离子(Tm³⁺, Dy³⁺, Eu³⁺)的碱土金属硫酸盐截然不同的热释光特性, 热释光三维发光谱中只呈现一个热释光峰, 对γ和βup辐射的热释光剂量响应为线性-亚线性响应. 结果清楚地显现出Eu²⁺对碱土金属阳离子的等价取代而形成的等电子陷阱对这些磷光体的热释光特性起了关键性的作用, Eu²⁺等电子陷阱与基质中的本征缺陷SO₄^2-形成的缺陷复合体作为热释光多阶段过程的基本作用单元, 基本上产生一次作用热释光事件. SrSO₄:Eu²⁺是一种典型的等电子陷阱发光的磷光体, 它具有相当高的热释光和光释光发光效率.     

广义相对论中不同符号约定的比较与转换

分析比较了在广义相对论中由度规、里奇张量,以及宇宙学常数的定义不同而导致的不同的符合约定,并给出了不同符合约定之间的转换关系.     

热释光和光释光发光谱的测量

介绍了自行研制的计算机化热释光和光释光三维光谱测量装置的系统结构及其工作原理.在计算机的控制下,通过精密加热器或激发光源以热激发或光激发的方式使样品发光.从样品发出的光经过光路和光栅分光系统后,形成光谱,被高灵敏度的CCD采集,再将光谱图像模拟信号变为可以直接用计算机进行数据处理的数据信号.波长范围200~800nm,波长分辨率优于2nm,人机界面友好,操作方便.利用热释光和光释光三维光谱测量装置测量了SrSO₄:Eu(0.1%,摩尔分数)和CaSO₄:Eu(0.1%,摩尔分数)的光释光发光谱和热释光发光谱,得到SrSO₄:Eu的光释光发光波长与热释光发光波长均为375nm,而CaSO₄:Eu的光释光发光波长与热释光发光波长均为385nm,说明热释光和光释光具有相同的发光中心,均来自于Eu²⁺的能级跃迁.同时在CaSO₄:Eu的热释光发光谱中还观察到了Eu³⁺的发光.与二维发光曲线相比较,通过对三维热释光和光释光发光谱的研究,可以得到更丰富的信息,这有助于对热释光和光释光发光机制进行更深入的研究.     

甘油在氧化物/钯复合催化剂上的电氧化研究

应用交替微波加热法制备碳载氧化物和Pd的复合催化剂,并以电化学方法研究这一新型催化剂在碱性条件下对甘油的氧化性能.实验表明,Pd/C催化剂对甘油的电化学氧化有较好活性,但氧化物复合的非铂催化剂对甘油的电化学氧化显示出更高的活性,相对于Pd/C催化剂,其氧化起始电位发生负移及峰电流大幅度提高.本工作还优化了氧化物与Pd的比例.结果证明,氧化物的加入使复合催化剂对甘油氧化产生了协同效应.     

葡萄糖在纳米Pt/C电极上的电催化氧化

用交替微波法制备纳米PVC催化剂,研究和比较葡萄糖在光亮Pt和纳米Pt/C电极上的氧化行为.实验表明,Pt纳米化后,电极反应过电位降低,动力学速率相应提高,从而使电化学性能得到改善.其催化活性和抗毒化能力大于光亮Pt的可能原因即在Pt纳米化后,大幅度提高了表面积,结果不仅增加其电极活性,而且含氧物也容易接近受毒化的反应点,从而较易氧化毒化物而使电极再次活化.     

Fe3O4/C的制备与电化学性能研究

应用共沉淀法并以原位聚合苯胺包覆Fe3O4作碳源制备Fe3O4/C的复合材料.XRD、SEM、TEM等测试显示,样品中Fe3O4纳米颗粒(40～80 nm)均匀分散在无定形碳的内部.在50 mA.g-1电流密度下,经过30次循环充放电测试,该材料的容量仍保持在1000 mAh.g-1左右.     

钛酸钡陶瓷中氧缺位的组态变化对弛豫过程的影响

研究了热历史对四方相钛酸钡陶瓷弛豫性质的影响。结果表明，不同热历史的钛酸钡试样在四方相温区都出现弛豫内耗峰，但不同热历史的试样具有不同性质的弛豫过程。从立方相降温测得的四方相陶瓷的弛豫激活能为0．61eV；而从单斜相升温测得的四方相陶瓷的弛豫激活能为1．12eV，相差几近一倍。用氧缺位的分布和弛豫热力学选择定则提出了四方相的弛豫机理，计算了不同热处理后处于不同对称位置氧缺位的浓度。     

AuPd纳米粒子作为催化剂制备硼纳米线及其场发射性质

利用化学气相沉积法,采用不同组分的金属合金纳米粒子AuPd作为催化剂,在Si(111)基底上成功制备大面积、高密度的硼纳米线薄膜.纳米线的平均长度约为10μm,直径在50—130 nm之间.结构分析表明,纳米线为单晶结构,硼纳米线的直径随着元素Pd在合金催化剂中比例的增加而减少.场发射特性测试结果表明,通过调整催化剂组分可以实现对硼纳米线的尺寸和密度的调控.     

硅片及其太阳电池的光衰规律研究

采用氙灯模拟太阳光源,将光强调至1000 W/m2,研究常规太阳能级单晶硅片、多晶硅片和物理提纯硅片的原片、去损减薄片、热氧化钝化片、双面镀氮化硅(SiN x:H)膜钝化片、碘酒钝化片以及太阳电池的光衰规律.利用WT-2000少子寿命测试仪以及太阳电池I-V特性测试仪分别对硅片的少子寿命和太阳电池的I-V特性参数随光照时间的变化进行了测试.结果表明:所有硅片以及太阳电池在光照的最初60 min内衰减很快随后衰减变慢,180 min之后光衰速率变得很小,几乎趋于零.