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141.
设计并分析了TE01斜接弯头结构,该结构由两段相同且垂直的模式变换段及与模式变换段呈45°斜接的金属镜面组成。整个结构等效于两个模式变换段对接,但中间存在间距为波导直径的缝隙。模式变换段将纯TE01模式转换为TE01和TE02的混合模式,该混合模式在缝隙中传播时电场呈现对称分布,从而降低了模式转换损耗,提高了传输效率。对设计的Ka波段TE01斜接弯头结构的理论仿真和加工实测结果表明:中心频点转换效率在98%以上,在2 GHz带宽内传输效率95%以上,插损小于0.2 dB,驻波小于1.2。 相似文献
142.
143.
构建了一种基于光纤传输高功率激光的飞片发射系统,并测试了飞片速度.飞片膜层为三明治结构:铝烧蚀层、氧化铝隔离层和铝飞片产生层.飞片膜层采用磁控溅射技术沉积在玻璃衬底上,总厚度为5.5 μm.激光辐照铝膜层产生高温高压等离子体,驱动剩余膜层产生高速飞片,速度达数km/s.同时,实验研究了光纤传能系统的输出激光空间分布特性和传输激光能量容量,它们决定了飞片的平面性和最大速度.光纤端面损伤是限制光纤传输激光能量容量的关键因素,光纤端面通过精密机械抛光和激光预处理可以获得理想的抗激光损伤能力.采用基于光纤阵列探针的时间序列测试技术获得了飞片的平均速度,并评估了飞片的平面性.采用搭建的基于光纤传输高功率激光的飞片发射系统获得了速度达1.7 km/s、直径接近1 mm的高速飞片.
关键词:
激光驱动飞片
激光辐照
光纤阵列探针
激光等离子体 相似文献
144.
利用ZF-300keV中子发生器,采用伴随粒子法研究了氘钛靶的中子产额随D+离子束轰击时间的变化特性;利用慢正电子湮没技术和扫描电镜分别研究了D+离子束轰击前后靶辐射损伤特性和表面形貌特征.结果表明,束流轰击引起氘钛靶缺陷结构和表面形貌的改变 ,但轰击时间的不同并未引起氘钛靶的中子产额、缺陷结构和表面形貌有明显差异;数值模拟了D+离子束在氘钛靶的辐射损伤特性和能量损失规律并与实验结果进行了比照分析和讨论.
关键词:
中子发生器
氘钛靶
伴随粒子法
慢正电子湮没技术 相似文献
145.
介绍了0.14 THz超高速无线通信实验系统的主要组成部分和主要实验结果。从太赫兹电子学出发,基于太赫兹半导体器件和宽带数字调制解调技术,采用一种“低频段高速矢量调制+谐波混频+放大”的太赫兹高速信息传输技术路线,在国内首次成功实现了0.14 THz 0.5 km 10 Gb/s高速信号实时传输和软件化事后解调,同时进行了4路高清视频信号的传输与解调。 相似文献
146.
采用铑(Rh)靶45 kV X射线源进行了碲锌镉(CdZnTe)面元像素阵列探测器成像实验。实验结果表明:在探测距离1 mm,管电压45 kV条件下,管电流增大至20 μA时,辐照中心区域像素单元信号丢失,出现围绕辐照中心区域的边缘高事件计数环形探测图像。随着管电流的增大,无响应像素区域扩大,探测器总体事件计数明显降低。进一步根据泊松方程建立了CdZnTe晶体内部电势分布模型,仿真结果表明:单位面积光子通量为5×105 mm-2·s-1时,由于CdZnTe晶体较低的空穴迁移率,晶体内部存在堆积空穴载流子形成的高空间电荷密度分布区域。晶体内部电场产生扭曲,电子载流子无法迁移至对应阳极位置,导致辐照中心区域产生信号屏蔽效应。 相似文献
147.
采用固相法合成了纯六方相的TiS2粉体.X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)结果表明该材料具有特征层状结构,其颗粒大小在10-20μm之间.作为锂离子电池负极材料,TiS2在3.00-0.00 V(vs Li/Li+)之间有3个明显的放电平台,首次可逆容量达668 mAh·g-1,在第一个放电电压范围(3.00-1.40V)内具有优异的循环可逆性.深度放电时由于Li2S的生成和材料颗粒严重破碎,在低于0.50 V时材料的循环性能不佳.通过减小材料颗粒度和提高导电剂含量,TiS2的电化学性能得到显著改善. 相似文献
148.
抗干涉齿轮集(CMG)机构是一种精巧的密码鉴别机构,可用于确保要害系统保证性的机械组合锁中。CMG机构的密码鉴别功能取决于两个配对的、多层密码齿轮固定堆叠而成的编码复合齿轮。复合齿轮层数的最小化有利于工程应用优化;对复合齿轮最小层数问题的认识,也是基于CMG机构的机械组合锁的关键科学问题之一。此前已证明第一类CMG机构复合齿轮的最小层数为3;对于有一个独特的指纹特征的第二类CMG机构,其最小层数的问题更为复杂。由于任意一个"NA+NB"的解锁符号序列都可以简并为"MAB"(M≤N)的形式且保持编码二维迷宫映射图中关键陷阱格点(CTG)的色数不变,且CTG互斥约束关系随着"MAB"持续增/减任意数量的"3AB"呈现出周期性,因此首先应用二维迷宫映射变换和CTG互斥的"十字叉"判据,将第二类CMG机构"3AB"(或"6AB"),"4AB"和"5AB"三种基本模式中复合齿轮最小层数的证明过程转换为求解无向图G(V,E)顶点着色的色数,得到其色数分别为3,5和6。进一步得到最终结论,第二类CMG机构必须细分为与简并解锁符号序列对应的三种模式"(3n)AB","(3n+1)AB"和"(3n+2)AB"(n是自然数1,2,…),最小齿轮层数分别为3,5和6。这意味着第二类CMG机构复合齿轮的最小层数受控于解锁符号序列结构的周期性。最后还给出了最小层数第二类CMG机构快捷编码的"三模板着色方法"。 相似文献
149.
分别对裸的直玻璃管和外壁与出入口两端面涂导电银胶的直玻璃管进行了低能电子穿透实验.穿透电子的倾角分布显示,穿透电子强度随倾角增大而减少,并且穿透倾角不会超过玻璃管的几何张角.还测量了玻璃管在倾角为-0.2°时的充电过程.对于裸玻璃管,在充电过程中,穿透率和角分布有显著的振荡现象.整体来看,穿透率随时间先下降后上升,最后在某个平均值附近振荡;角分布随穿透率变化同步变化,先向正角度移动再向负角度移动,最后在玻璃管的倾角附近振荡.对于涂导电胶的玻璃管,在充电过程中,穿透率和角分布稳定变化.穿透率随时间先下降后上升最后平稳,角分布随时间先向负角度移动再向正角度移动,最后在玻璃管倾角附近稳定.通过模拟电子与SiO2材料的碰撞过程,提出了电子在裸玻璃管和涂导电胶玻璃管中的充电过程的物理图像.该物理图像能很好地解释电子在裸玻璃管和涂导电胶的玻璃管中充电过程的实验结果.最后,依据实验结果和物理图像给出了低能电子在玻璃毛细管中稳定输运的条件. 相似文献
150.