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用光电化学电流法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋合金在4.5mol·L-1H2SO4溶液(22℃)中,以0.9V(vs.Hg/Hg2SO4)极化7h而形成的阳极膜中的氧化铅的半导体性质,合金添加剂砷、锑和铋对t-PbO(四方氧化铝)和o-PbO(斜方氧化铝)的禁带宽度没有影响,从量子效率和电位的关系可求Pb,Pb-lat%As(at%表示原子百分比,全文同),Pb-lat%Sb和Sb-lat%Bi上膜中t-Pbo的施主密度(ND)分别为9.3×1015,1.0×1016,3.1×1016和1.3×1017cm-3,平带位分别为-0.20,-0.22,-0.28和-0.08V(vs.Hg/Hg2SO4).比较VA元素砷、锑和铋对上述膜中t-Pbo的ND(从而自由电子密度)和膜中t-Pbo的生长速率的影响,可认为法添加剂砷、锑和铋对阳极膜中t-Pbo的作用符合Hauffe规则. 相似文献
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聚合黄素修饰电极的制备和性质 总被引:2,自引:0,他引:2
1引言黄素是生物体内氧化还原过程中的重要辅基。黄素修饰电极的制备方法有吸附法和化学键合法。用本文研究的电化学聚合法制得的黄素修饰电极,活性中心浓度大,稳定性好,可催化还原型辅酶I(NADH)的氧化,使其氧化过电位降低~200mV。可用于NADH的选择性测定。2实验部分2.1仪器与试剂BAS100A电分析仪(美国BAS公司)。黄素由复旦大学化学系有机化学教研室提供。H2SO4、NaCIO4、K2HPO4及NaH2PO4均为分析纯,乙腈、N,N-二甲基甲酸胺(DMF)为化学纯。水为去离子水。2.2实… 相似文献
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采用X射线衍射、光电流谱、线性电位扫描和开路电位衰退等方法研究了Pb电 极在0.9 V(vs.Hg/Hg_2SO_4), 4.5 MOL/l h_2so_4溶液中生长2 h所得的阳极Pb (II)氧化物膜的阴极还原行为。实验结果表明;阳极Pb(II)氧化物膜主要由PbO微 粒和PbO·PbSO_4微粒组成,微粒间液膜可供离子输运;在LSV负向扫描过程中,阳 极Pb(II)氧化物膜是按溶解-沉积机理还原的,首先PbO微粒借助该微粒间的液膜 还原为金属铅,而待PbO微粒表面层转化的金属铅与PbO·PbSO_4微粒接触后,则 PbO·PbSO_4就和PbO一起还原,而以PbO·PbSO_4的还原进程略快。 相似文献
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