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21.
金属有机化学气相沉积法制备钛酸铅铁电薄膜   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
孙力  陈延峰  于涛  闵乃本  姜晓明  修立松 《物理学报》1996,45(10):1729-1736
利用低压MOCVD工艺分别在(001)取向的LaAlO,SrTiO和重掺杂硅单晶衬底上制备PbTiO铁电薄膜,并通过X射线衍射谱对薄膜的微结构进行分析.X射线θ-2θ扫描显示硅衬底上得到了PbTiO多晶薄膜,另两种衬底上得到了择优取向的PbTiO薄膜.LaAlO衬底上的PbTiO薄膜有a和c两个取向,也就是薄膜中存在着90°畴结构,而生长在SrTiO衬底上的PbTiO薄膜中只存在c方向的择优取向.由于薄膜的尺度效应,发现c轴晶格常数与块材相比均缩短.X射线的φ扫描验证了后两类薄膜的外延特性,利用同步辐射的高强度和高能量分辨率用摇摆曲线方法研究了这两种外延薄膜的品质,进一步证明了SrTiO衬底上的PbTiO薄膜的单畴特性.利用重掺杂的硅衬底作底电极,测量显示直接生长于硅衬底上的PbTiO多晶薄膜具有良好的铁电性能 关键词:  相似文献   
22.
23.
基于GARCH模型的石油价格变动模拟   总被引:1,自引:1,他引:0  
石油是一种特殊的商品,是国家重要的战略物资,世界各国都十分重视其价格变动问题,因为油价变化会影响到各国经济发展,甚至国家安全。因此,本文采用GARCH模型,通过基于Gibbs抽样的MCMC方法分析了国际市场石油价格的分布特征,对石油价格波动的异方差特性进行描述和模拟,实证分析结果说明从石油价格波动序列峰度系数和平方价格波动序列自相关函数的描述来看,基于t分布的模型模拟效果优于基于正态分布的模型,这一结论反映了石油价格波动序列的分布特性。  相似文献   
24.
可允许集上的广义向量拟均衡问题   总被引:2,自引:0,他引:2  
主要讨论可允许集上的广义向量拟均衡问题,推广L in的一些结果.  相似文献   
25.
陶军  王顺金 《中国物理快报》2006,23(12):3131-3134
We investigate an anisotropic Heisenberg spin cluster with five particles controlled by a time-dependent magnetic field. With the algebraic dynamical method, we obtain the exact analytical solution to the time dependent Schr6dinger equation. Based on the analytical solution, it is shown that the system can be used as a universal single qubit logic gate controlled by the strength and frequency of the magnetic field, and the six special single qubit logic gates can be realized physically. We also discuss the anti-decoherence property of the qubit and its logic gates resulted from particle coupling effect and collectivity of the cluster.  相似文献   
26.
陶易 《皖西学院学报》2007,23(6):104-108
对吉林文史出版社1999年版《小窗幽记》译文简注的曲解谬误之处,逐条或作辨正,或为补缺。举凡译文的曲解、标点的讹错、人物典故的误植或缺注等处,皆尽可能予以更正或补充。作为古籍的普及本,应尽可能避免将错误的知识传播给广大受众。  相似文献   
27.
空气比热容比实验的非绝热问题   总被引:4,自引:2,他引:2  
通过一系列的实验数据分析,发现空气比热容比实验中非绝热现象不可以忽略.  相似文献   
28.
微机排版校对中易出现的差错及对策   总被引:1,自引:0,他引:1  
从多方面分析了排版校对过程中容易产生的差错,并从编辑应具备的计算机素养、排版软件所具有的功能及校对技巧出发,提出了如何防止这类差错发生的具体措施.  相似文献   
29.
FI代数的滤子   总被引:14,自引:8,他引:6  
研究FI代数的滤子理论,建立F滤子、P滤子、Q滤子、C滤子之间的联系.  相似文献   
30.
将稀土配合物Eu(asprin)_3phen掺杂到导电聚合物PVK中,制成结构分别为ITO/PVK:RE配合物/LiF/AI(1),ITO/PVK:RE配合物/PBD/LiF/AI(2)的电致发光(EL)器件。发现二者的电致发光谱存在着较大的差别:在器件(1)中,来自Eu~(3 )的位于594nm(~5D_0→~7F_1)和614nm(~5D_0→~7F_2)处的发光强度大致相当,而在器件(2)中,EL主要来自Eu~(3 )位于614nm的发光,594nm处的发光很弱,与薄膜状态下的光致发光谱(PL)一致。并针对此现象进行了初步讨论。  相似文献   
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