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101.
102.
为提高CCD摄像机的成像质量,同时使镜头结构紧凑、小型化,在大视场光学镜头的设计中,引入标准二次曲面和偶次非球面。根据初级像差理论,分析了非球面的位置、初始结构参数的求解规律。通过理论计算和ZEMAX光学设计软件的优化,给出工作波长为0.4~0.7μm、全视场角为80°,相对孔径为1∶1.5的镜头设计实例。该镜头由7块镜片组成,包括一个标准二次曲面和两个8次方非球面;在40lp/mm空间频率处的MTF值超过0.85,全视场畸变小于3%,像质优良 相似文献
103.
方永得 张玉虎 M.Oshima Y.Toh 周小红 M.Koizumi A.Osa A.Kimura Y.Hatsukawa T.Morikawa M.Nakamura M.Sugawara H.Kusakari 《中国物理 C》2006,30(2):99-104
利用在束γ谱学实验技术, 通过173Yb(19F,4nγ)反应
布居了188Au的高自旋态, 并对其准粒子带结构进行了研究. 基于实验测量结果, 对原有的双奇核188Au能级纲图做了较大的修改. 通过系统性比较, 对15+以上的能级结构进行了讨论. 相似文献
104.
延迟和相关效应对Ne原子2p53s1,3P10-2p6 1S0跃迁的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用多组态Dirac-Fock(MCDF)方法,系统地研究了延迟和相关效应对中性Ne原子2p53s1,3P01-2p61S0电偶极共振和复合跃迁的能量以及跃迁几率(寿命)的影响,给出了相应的跃迁能和辐射寿命,并与最新的实验观测和其他理论计算结果进行了比较. 相似文献
105.
106.
红外光谱对碱土金属二元羧酸盐结构的研究 总被引:16,自引:2,他引:14
研究了三十种二元羧酸金属盐的红外光谱,讨论了金属离子和二元酸的种类对二元酸盐配位结构的影响。发现Mg盐、Ba盐,Sr盐为螯合配位,Ca盐,Zn盐中同时存在螯合配位和桥式配位,二元酸的种类对羧酸盐配位结构没有影响。对羧酸盐在常温和熔融后的栩位方式和结构上的差异的研究结果表明,Mg盐,Ca盐与Sr盐,Ba盐在熔融后的结构变化不同。 相似文献
107.
基于VAGUE集多准则决策的模糊TOPSIS方法 总被引:3,自引:0,他引:3
给出了V AGUE集之间距离的新定义,在此基础上,提出一个基于V AGUE集多准则决策的模糊TOP-S IS方法,它为决策系统提供了一个有用的工具,并通过例子阐明本文方法的有效性. 相似文献
108.
109.
110.
We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics. 相似文献