用模拟万用表测电容

介绍了用模拟万用表和秒表测量电容的简单方法，对测量结果的误差原因进行了分析，给出了提高测量精度的几点措施。     

Design and performance analysis of beam steering birefringent mercurous chloride acousto-optic device

I.IntroductionThepcrformanccsofAcousto-optic(AO)dcviccareoftenlimitcdbythepropertiesofAOmcdiawhenitisusedinAOsigna1processingsystems.Thespectrumanalyzersandcorre1ationreceivers,forinstancc,areexpcctcdtoimprovcthereso1utionanddynamicrangcwhilereducingtheproccssorvolume.Rccent1y,ancwclassofmateria1s,themercurousha1ides,promiscstocontributeimportantsolutionstosuchnccdsandisrefincdtopractica1uti1izations.Themecurousha1ideweconsidcrinthispapcrismecurouschloride(Hg,C1,).Thesing1ecrystalofHg,Cl…     

γ-LiAlO2晶体生长、改性和热学性质研究

采用快速提拉法生长出了透明、完整的γ-LiAlO2晶体,但是晶体的高熔点和易挥发性限制了γ-LiAlO2晶体质量.采用气相传输平衡法(vapor transport equilibration technique,VTE)工艺对晶体改性,半高宽(FWHM)值从116.9arcsec降至44.2arcsec,继续升高VTE处理温度至1300℃,FWHM值反而升高至55.2arcsec.快速提拉法生长出来晶体,[100]方向和[001]方向的热膨胀系数分别为17.2398×10-6/K,10.7664×10-6/K.经过三步VTE处理后[100]和[001]方向热膨胀系数降至16.6539×10-6/K和10.1784×10-6/K.     

Orlicz范数下的Hardy-Hilbert不等式

给出了Orlicz范数下的Hardy-Hilbert不等式的一种形式,建立了当N-函数M(u)及其余N-函数N(u)均满足Δ′条件时Orlicz范数下的积分型及双级数型Hardy-Hilbert不等式.     

入世与出世--儒家文化与基督文化之比较研究

从文化背景、精神意向、人生态度、思维方式等方面，对儒家文化与基督文化进行了比较研究。并试图对这两种文化分别进行扬弃与整合。     

Lorentz-Compton佯谬与一个双赢判决性散射实验设计

通过对“可见光区域是否存在Compton效应”的讨论而进一步深化到经典条件下“光的量子理论能否包含光的经典电磁理论”的实验验证,发现了Lorentz-Compton佯谬,并基于逆Compton散射设计了一个敏感而又可行的双赢判决性散射实验来解决此佯谬。     

双奇核188Au的准粒子带结构研究

利用在束γ谱学实验技术, 通过¹⁷³Yb(¹⁹F,4nγ)反应 布居了¹⁸⁸Au的高自旋态, 并对其准粒子带结构进行了研究. 基于实验测量结果, 对原有的双奇核¹⁸⁸Au能级纲图做了较大的修改. 通过系统性比较, 对15⁺以上的能级结构进行了讨论.     

19F+27Al耗散反应中双核系统的转动与形变

测量了¹⁹F+²⁷Al耗散反应产物B,C,N,O,F和Ne的激发函数,入射束流的能量从110.25MeV到118.75MeV, 能量步长为250keV. 从产物的 能量自关联函数中提取了反应中所形成的中间双核系统的转动惯量, 与相粘模型计算的刚体转动惯量相比较, 结果表明形成的双核系统有大的形变.     

关于矩阵和算子迹的一组不等式

给出关于半正定矩阵迹和正算子迹的一组不等式,得到与邱贤忠关于实数的不等式的类似结果.     

Theoretical Studies on the Si（001）-SiO2 Interface Structure

1 INTRODUCTION Silicon and its alloy have been widely applied in such fields as electronic industry, high-temperature structural ceramics, etc. In addition, the researches on silicon and its relevant materials greatly promote the rapid development of modern optics and infor- mation technology. Therefore, more and more at- tention is focused on the structure of silicon, oxide of silicon and the interfaces between silicon and metal or nonmetal. As an ideal passive film on the Si surface, S…