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131.
Influence of Rashba SOI and Polaronic Effects on the Ground-State Energy of Electrons in Semiconductor Quantum Rings 下载免费PDF全文
The influence of Rashba spin-orbit interaction (SOI) and polaronic effect on the ground-state energy of electrons in semiconductor quantum rings (QRs) are studied by means of the Lee-Low-Pines variational method. Numerical calculations for GaAs QRs are performed and the results show that the ground-state energy of electrons splits into two branches as E(↑) and E(↓) under the Rashba SOI, which correspond to the spin-up state and spin-down state, respectively. The contribution of the Rashba SOI effect to the ground-state energy of electrons is related to the spin state of electrons and is closely linked to the inner and outer radii of a QR. However, it is independent of the height of the QR. The ground-state energy of electrons decreases due to the polaronic effect in QRs. The energy shift ∆Ee-LO of the ground-state of the electron induced by the polaronic effect decreases monotonically with increase of the height of a QR and fluctuates with the changes of the radii of QRs. The amplitude of the fluctuation is very sensitive and remarkable to the changes of the inner radius R1 and the outer radius R2. 相似文献
132.
We propose one possible mechanism,i.e.,the vector meson(VV)rescattering effects,to interpret the near threshold narrow enhancement observed in J/ψ→γp(p).The estimate indicates that these effects can give sizeable contributions to this channel,and a destructive interference between different rescattering amplitudes is required to reproduce the line shape of the data. 相似文献
133.
通过比较测量方法测量得到绿漆涂层木板探测目标在400~720 nm的光谱偏振二向反射分布函数值,从获得的户外试验测量数据入手,分析与探测角、波长之间的关系,通过有限探测条件得到的光谱偏振二向反射分布函数值(BRDF)建立光谱偏振BRDF模型,来描述探测目标的偏振二向反射特性。其中利用基于小面元的模型建立光谱偏振BRDF模型,利用遗传算法和Levenberg-Marquardt(LM)算法相结合的优化算法来获得非线性模型参数。仿真实验结果表明采用的遗传LM优化算法具有较好的性能,能较快较准确得到非线性的模型参数。真实实验数据证明了基于小面元模型的正确性,表明光谱偏振二向反射分布函数建模方法结果的可靠性。最后与绿漆涂层铁板目标的模型反演参数进行比较得出:2种不同材质、相同颜色涂层的目标,具有较为接近的折射率,其较小差别可以理解为由涂层的厚度、均匀程度的不同导致,而非不同的材质所引起。 相似文献
134.
利用高非线性光子晶体光纤中的自相位调制效应产生的超连续谱,理论上推导了超窄脉冲信号的再生机制。分别从频域和时域上形象的解释了脉冲再生的原理,该本再生方法可以适用于OTDM的信号再生。实验上对劣化了的脉冲宽度为1.7ps的携带信息的超窄脉冲信号进行了再生,再生之后的信号峰值均衡,消光比达到了15dB。再生前信号中心波长是1548.2nm,重复频率是9.96872GHz。实验中,在1554nm—1570nm和1530nm—1543nm范围内都可以得到10dB以上的再生质量。同时拟合了信号峰值功率和波长关系,得到的曲线和超连续谱曲线相吻合。 相似文献
135.
The design and performance of a Micromegas with a resistive anode are presented in this paper. A thin resistive sheet with volume resistivity of 1012 Ω·m cm is glued onto the readout electrode surface and its performance is investigated by using a 55Fe X-ray radioactive source in the operation gas of argon and isobutene mixtures (Ar/Iso=95/5). The gas gain at different mesh high voltage, counting rate and working time are given. Energy spectra at different working voltages are measured and the results are discussed. We have oberved that a Micromegas with a resistive anode can be operated at higer gain than a standard Micromegas without sparks. 相似文献
136.
本文采用不同相成分纳米前驱粉,制备了一系列SmBa2Cu3O7-x块材,并对其制备工艺进行了研究.纳米前驱粉制备采用本中心自行研发的一种简便高效的“凝胶快速分解法”.研究结果表明,采用“凝胶快速分怨法”,经650℃-950℃的适当热处理可以得到不同相成分的纳米前驱粉;在一定的温度和时间范围内,前驱粉的粒度基本不受热处理温度的影响.磁测量的结果表明,化学成分相同时,前驱粉的相组成对最终的SmBa2Cu3O7-x块材的临界超导转变温度(Tc)并无明显影响. 相似文献
137.
一种新型桥路型HTSFCL的实验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在研究一种新型桥路型高温超导限流器的限流原理的基础上,研制开发了一台三相600V、故障电流峰值100A的实验室样机.本文介绍了该限流器的功率电路、控制器、低温容器和高温超导磁体等部分的结构特点和功能.在三相系统中进行了各种短路故障限流实验,结果表明该限流器有较强的限流能力和重合闸能力,说明新型高温超导限流器的研究对改善电网动态性能和提高电网电能质量有十分重要的意义. 相似文献
138.
拉曼光谱技术在中国古玉、古玉器鉴定和研究中的应用 总被引:4,自引:0,他引:4
激光拉曼光谱技术是应用于科技考古研究中的高技术之一,属于无损分析研究,但作为一种很好的无损分析方法它在中国古代玉器研究中的应用并不非常广泛。文章首先介绍了激光拉曼光谱技术的基本原理及近几年来国内外的最新进展,然后从矿物结构与拉曼特征峰之间的关系入手比较了目前国内外5种常见玉石的激光拉曼研究结果。然后分别通过对浙江良渚遗址和河南安阳殷墟遗址出土的4件中国古代玉器与新疆和田地区出产的软玉样品进行对比研究,成功地利用激光拉曼光谱技术对一批中国古代玉器进行了无损鉴定,从而阐明该项技术在中国古代玉器结构测试和材质鉴定中是一种很好的无损分析研究方法。最后,讨论了目前激光拉曼光谱技术在中国古玉和古代玉器研究中存在的局限性并对其发展前景进行了展望。 相似文献
139.
ICP等离子体鞘层附近区域发光光谱特性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
为了独立控制鞘层附近区域离子密度和离子能最分布,采用光发射谱(OES)测量技术,对不同射频功率、放电气压和基底偏压下感应耦合等离子体鞘层附近区域辉光特性进行了研究.原子谱线和离子谱线特性分析表明,在鞘层附近区域感应耦合等离子体具有较高的离子密度和较低的电子温度.改变放电气压和射频功率,对得到的光谱特性分析表明,鞘层附近区域离子密度随射频功率的增大而线性增大,在低压下随气压的升高而增大.低激发电位原子谱线强度增加迅速,高激发电位原子谱线强度增加缓慢,而离子谱线强度增加很不明显.改变基底直流偏压,对得到的发射光谱强度变化分析表明,谱线强度随基底正偏压的增加而增大.随着基底负偏压的加入,谱线强度先减小而后增大;直流偏压为-30 V时,光谱强度最弱.快速离子和电子是引起Ar激发和电离过程的主要能量来源. 相似文献
140.