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112.
介绍了基于CH365芯片的PCI总线接口卡的设计与制作,利用该技术可以对传统ISA总线接口卡进行低成本技术改造,以及设计工业现场控制PCI接口卡,具有较强的实用性和较高的市场推广价值。 相似文献
113.
114.
115.
In this paper a half space problem for the one-dimensional Boltzmann equation with specular reflective boundary condition is investigated. It is shown that the solution of the Boltzmann equation time-asymptotically converges to a global Maxwellian under some initial conditions. Furthermore, a time-decay rate is also obtained. 相似文献
116.
Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 总被引:2,自引:2,他引:0
以硒化氢(H2Se)和二甲基锌为源材料,生长温度是300℃时,用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜的能量色散(EDS)以及光致发光(PL)实验验证ZnSe外延膜的质量,在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰,这说明外延膜是(111)取向的单晶薄膜,在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外,没有观测到其他原子,说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1,有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰,表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。 相似文献
117.
118.
The behavior of a two-level entangled atom in an optical field with circular polarization is studied in this paper. The interaction of an optical field and one of the entangled atoms is analyzed in detail. A general solution of the SchrAo¨Gdinger equation about the motion of the entangled atom is obtained. The properties of the action are dependent on the initial state of the atom. By detecting the entangled atom out of the field, we can obtain the state of the other atom moving in the field. It is shown that the state of the atom out of the field will influence the energies of the split-levels of the atom in the field. 相似文献
119.
Wei-Yan Shao Ying-Nan Cao Wen-Jie Pan Xian-Zhang Bu Lin-Kun An Lian-Quan Gu Albert S.C. Chan 《Tetrahedron letters》2006,47(24):4085-4089
Seventeen unsymmetrical curcumin derivatives were synthesized in good yield and purity by a facile solid phase synthesis strategy. 相似文献
120.
求解非线性方程的一个新方法 总被引:2,自引:0,他引:2
张艺 《宁波大学学报(理工版)》2002,15(3):55-57
提出了一种求解非线性方程的数值方法,此方法不需要导数的计算,其收敛阶与抛物线法相同,但计算量要比抛物线法小得多。 相似文献