掺杂N的浓度对SiC薄膜的光敏特性影响

在热丝化学汽相沉积（HFCVD）法制备SiC薄膜过程中，研究不同的N掺杂下制备样品的光敏特性．对薄膜在室温和较高温度（410℃）下进行光敏特性测试，结果表明，薄膜的制备工艺参量对其光敏特性有较大影响；较高温度下其敏感特性和室温下测试的结果大体一致；在合适条件下制备的薄膜对不同波长的光有较好的敏感特性．可以看出，SiC薄膜在研究高温光敏器件领域具有很好的应用前景．     

掺杂N的浓度对SiC薄膜的光敏特性影响(英文)

在热丝化学汽相沉积(HFCVD)法制备SiC薄膜过程中,研究不同的N掺杂下制备样品的光敏特性.对薄膜在室温和较高温度(410℃)下进行光敏特性测试,结果表明,薄膜的制备工艺参量对其光敏特性有较大影响;较高温度下其敏感特性和室温下测试的结果大体一致;在合适条件下制备的薄膜对不同波长的光有较好的敏感特性.可以看出,SiC薄膜在研究高温光敏器件领域具有很好的应用前景.     

金融衍生产品的力学方法分析（Ⅱ）—期权市场价格基本方程

类似固体力学建立基本方程方法,根据期权特点,采用一些假设,建立期权市场价格基本方程：hv0(t)=m1vo^-1(t)-n1vo(t) F,式中h,m1,n1,F为常数,主要假设有：期权市场价格vo(t)的升降由市场供求决定;影响v0(t)的因素如行使价,期限,波幅等用正或反比关系;买和卖用相反规律。文中给出不同情况下基本方程的解,并和期货市场价基本方程的解vf(t)相比较,以及用隐函数存在定理证明vf与v0(t)存在一一对应关系,为研究期货vf对期权价vo(t)的影响提供理论依据。     

高浓度含铜污染土壤的电动修复研究

为了探究电动修复法对高浓度含铜污染土壤修复的可行性,对铜含量为1500 mg/kg的污染土壤进行了电动修复。实验研究了不同修复时间下电流变化、土壤pH值变化和土壤中铜的迁移规律,并采用BCR法对土壤中铜的不同形态进行了分离提取测定。实验结果表明,电动修复技术对于高浓度含铜污染土壤中的铜具有良好的去除效果,在修复电压为30 V,修复时间为7 d时,土壤中的铜含量可以降至400 mg/kg以下。修复后铜的弱酸提取态占比增加,可还原态占比降低,可氧化态和残渣态占比无明显变化。     

DDS信号发生器的设计

利用现场可编程逻辑门阵列(FPGA)实现直接数字频率合成(DDS)原理以及以DDS为核心的信号发生器的设计,并给出了以单片机80C51为内核的FPGA的设计方案及信号发生器产生的仿真波形。     

损伤炸药反应速率及起爆的数值模拟

在PBX炸药冲击损伤和冲击起爆实验的基础上,采用拉格朗日分析方法对损伤炸药的化学反应速率方程进行整体标定,并对损伤炸药的冲击起爆过程进行了数值模拟. 结果表明,损伤炸药冲击波感度提高,得到了损伤炸药化学反应速率方程相关参数的变化规律.     

云南阳宗海砷污染水平、变化趋势及风险评估

云南阳宗海砷污染事件引起社会广泛关注.为了解事件发生后阳宗海砷污染水平及变化趋势,分别于2008年12月、2009年2月、5月及9月四次采样,研究了阳宗海湖水、底泥、周边井水、土壤、农作物及水生生物中的砷含量及其变化趋势.研究结果显示:湖水平均砷浓度分别为176.9、147.3、159.3和161.1μg/L(算术平均),底泥平均浓度分别为32.87、62.41、62.99和46.96μg/g(算术平均).阳宗海湖水砷浓度经历了先升后降再到平稳的变化过程,底泥砷含量迅速升高后缓慢下降,湖水和底泥间砷交换还在进行.阳宗海附近土壤中砷最高浓度为23.33μg/g,未超过国家土壤环境质量三级标准.大米、玉米、花椰菜、小油菜等农作物可食用部分中砷的最高值为0.35μg/g,均未超过国家无公害食品标准.水生植物中砷水平大多在100～200μg/g之间,最高为苦草,砷含量超过300μg/g,说明该植物对砷有一定的富集能力.虾、鱼类等可食用水生动物砷浓度范围为1.52～11.4μg/g.     

野战条件下弹药系统贮存可靠性评估

针对弹药在一定野战条件下的失效特点，建立了弹药系统贮存可靠性统计分析方法。依据弹药各子系统的可靠性数据，评估弹药系统贮存可靠性以及在一定置信水平下的可靠贮存寿命。     

非平衡凝固法制备金属间化合物SbSn的表面结构

锡-锑系统的研究由于其重要的的理论意义和应用价值而受到重视，但是各个相图之间并不是完全一致的。大部分对于金属间化合物SbSn的研究集中在平衡态，对于金属间化合物SbSn的结构研究尚存在着一些不同的看法，对于锡锑的相图和金属间化合物SbSn的晶体结构还需要进一步的研究。     

Ni在非晶Si中扩散机制的原位X射线衍射研究

通过对非晶Ni和Si多层组分调制膜(ML)中Ni和Si互扩散规律的原位X射线衍射法研究,考察了金属Ni在非晶Si(a-Si)中的扩散现象。得到了较低温度下Ni在非晶Si中扩散系数及规律,并且提出了Ni在a-Si中受非平衡缺陷延迟的间隙扩散机制。这个扩散模型较好地解释了Ni在a-Si中的扩散。 关键词：