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991.
文中给出了含边裂纹正交各向异性板问题的特征函数展开式,然后利用变分法及边值条件确定展开式中的未知系数,从而可求得裂端应力强度因子.该方法即可应用于应力边界值和位移边界值问题,又适应混合边界值问题.数值计算结果证实了该方法的有效性.  相似文献   
992.
在经典力学中的中心力场中,除了能量 E 和角动量 L 两个运动积分外,还存在着第三个运动积分,即 Runge-Lenz 矢量,该矢量可算符化。以各向同性谐振子为例,运用 Runge-Lenz 矢量简洁地求解出量子力学中另一类典型问题——谐振子的能级公式,与求解薛定谔方程的结果一致,从中可看出用 Runge-Lenz 矢量处理问题的简洁性。  相似文献   
993.
采用“非零”变位原理设计等高齿曲齿锥齿轮,克服了传统设计方法中的许多限制条件,能够实现传统的设计方法所不能实现的传动要求。理论分析说明:运用“非零”变位原理,在Oerlikon齿形制上应用,以求在同材质、同精度、同尺寸条件下,从设计上提高抗磨损性能和抗点蚀能力。  相似文献   
994.
采用基于真值约束的模糊推理方法简化铁路混凝土梁的可靠性评估过程.针对大量铁路混凝土梁具有很大相似性的特点,该方法在评估混凝土梁可靠性的过程中更展现出其强大的易用性与准确性.通过实例说明了该方法既简便又实用.  相似文献   
995.
材料疲劳损伤过程描述的智能方法   总被引:4,自引:1,他引:3  
对描述材料疲劳损伤过程的智能仿真方法进行了研究,建立了新的模型·它能定量地反映载荷顺序效应和材料疲劳特性,准确地描述材料疲劳损伤的复杂变化历程,材料的疲劳韧性视为常量,可作为失效判据·选用正火35钢进行了两级载荷及随机载荷疲劳试验,两种载荷作用下其寿命估算的最大误差分别为15-74%和8-9%·其寿命估算值与试验值吻合较好,分析精度较高·  相似文献   
996.
制冷系统仿真中定量参数的神经网络辨识   总被引:6,自引:0,他引:6  
尝试用现代人工智能技术来改进现有的制冷系统仿真方法.首先,提炼出与制冷系统仿真结果的量化密切相关的定量参数,然后在已有的定性数值仿真模型的基础上,根据实验数据,采用人工神经网络(ANN)方法对仿真模型中的定量参数进行辨识,识别出最佳的定量参数.这不仅有利于提高仿真精度,改善计算稳定性,而且降低了对仿真软件用户的技术要求,有利于仿真技术的实用化.对房间空调器稳态特性仿真的初步结果表明该方法效果良好.  相似文献   
997.
针对具有激励特征的动态综合评价问题,在分层规则和激励导向的基础上,提出一种具有识别功能的时序增益激励赋权方法。首先根据各被评价对象在各指标上的整体增益速度的趋势和状态,遵照分层规则对评价指标识别并分层;然后将整体增益速度的趋势和状态“积”性集结得到相应的激励量,并根据激励导向以组合赋权的方式确定指标权重。最后,通过中国31个省域的科技发展水平实证分析对方法的应用过程进行了说明。该赋权方法从激励的视角充分考虑了被评价对象在各指标上的发展趋势和发展潜力,据此,被评价对象可判断自身优势和不足,决策者也可统筹把握被评价对象整体发展情况,实现精准引导、统筹兼顾和公平激励。  相似文献   
998.
能带论自洽LMTO方法计算金属铜的零温物态方程   总被引:2,自引:1,他引:1       下载免费PDF全文
用密度泛函框架下的自洽LMTO方法,在计算一系列晶格常数的Cu的能带结构的基础上,计算了Cu的零温物态方程。压缩度为1.0~4.5。计算结果与两种基于实验数据的半经验方法所得结果以及Albers等人的计算结果进行了比较,其高压部分亦与带量子交换修正的TFC模型结果作了比较,说明计算结果是合理的。进一步的研究可为修正半经验方法提供依据。弄清与TFC理论的异同,对多体系统相互作用有更进一步的了解。  相似文献   
999.
为了减轻船舶驾引人员的工作压力,同时提高大型船舶靠离泊作业效率,收集、汇总大型船舶靠离泊知识,结合大型船舶靠离泊特点和影响因素,以靠泊过程为重点,参考知识库相关理论,使用Visual Prolog初步构建大型船舶靠离泊知识库。以引航员和拖轮配置知识子库和环境知识子库为例进行初步演示,结果表明该知识库可为大型船舶靠离泊安全提供保障。  相似文献   
1000.
    
Semipolar {101¯1} InGaN quantum dots (QDs) formed on GaN V-shaped pits by metal–organic vapor-phase epitaxy (MOVPE) with a growth interruption method are reported. The 3D GaN V-pit structures are directly grown on a patterned sapphire substrate (PSS). By adjusting the pattern arrangement direction on the substrate, it is observed in the scanning electron microscopy (SEM) image that elliptical QDs are formed on the {101¯1} semipolar sidewalls of the V-pits with a density of about 5 × 1010 cm−2. The emission wavelength of semipolar InGaN QDs is confirmed by cathodoluminescence (CL). The gradient distribution of In composition and QD size are observed along the sidewall of the V-pits. On this basis, a three-period semipolar InGaN QD sample is prepared. For the temperature-dependent photoluminescence (TDPL) test, the prominent peak of the sample shows a blueshift with the increase in temperature and reaches the green band (≈523 nm) at room temperature (RT). According to time-resolved photoluminescence (TRPL) decay curves, a carrier lifetime of 329.3 ps fit by the stretched exponential model is obtained at RT. Compared with c-plane QDs with the same growth method, the semipolar QDs have a shorter radiative recombination lifetime due to suppressed polarization electric field.  相似文献   
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