第一讲中子散射与散裂中子源

中子散射是研究物质微观结构和动态的理想工具之一,广泛地应用于凝聚态物质研究和应用的众多学科领域.散裂中子源能是新一代的加速器基脉冲中子源,能为中子散射提供高通量的脉冲中子.文章简明地介绍了中子散射的特点和它作为物质结构和动态探针的优越性,以及散裂中子源的基本原理、发展状况和多学科的应用优势.我国计划建设的散裂中子源CSNS中,靶站将由多片钨靶、铍/铁反射体和铁/重混凝土生物屏蔽体组成.质子束功率100kW下,脉冲中子通量约为2.4×1016n/cm2/s.第一期将设计建造高通量粉末衍射仪、高分辨粉末衍射仪、小角散射仪、多功能反射仪和直接几何非弹性散射仪等五台典型的中子散射谱仪,以覆盖大部分的中子散射研究领域.     

光电倍增管脉冲性能研究

采用外腔式电光开光,调制主动照相探测光源,使光电倍增管处于脉冲工作状态下,以提高光电倍增管的输出幅度和动态范围,改善信号的信噪比,同时避免样品和探测器受长时间强激光照射.对滨松H6780光电倍增管进行了调试,使其线性输出电流由静态的0.1mA提升到脉冲状态的4.4mA,信噪比提高4.5倍.该技术对其他光敏探测有借鉴意义.     

两亲性嵌段聚合物的同步辐射小角x射线散射研究

应用同步辐射小角x射线散射(SAXS)方法研究了不同聚合条件下苯乙烯对乙烯基苯甲酸两亲性嵌段聚合物的聚集行为,结果发现该聚合物在选择性溶液中自组装形成胶束.胶束的形态和结构取决于嵌段聚合物的组成、浓度以及溶剂的性质等因素 关键词： 小角x射线散射 两亲性嵌段聚合物 分形维数 粒径     

New Jacobian Elliptic Function Solutions of Modified KdV Equation: Ⅱ

Recently, we obtained thirteen families of Jacobian elliptic function solutions of mKdV equation by usingour extended Jacobian elliptic function expansion method. In this note, the mKdV equation is investigated and anotherthree families of new doubly periodic solutions (Jacobian elliptic function solutions) are fbund again by using a newtransformation, which and our extended Jacobian elliptic function expansion method form a new method still called theextended Jacobian elliptic function expansion method. The new method can be more powertul to be applied to othernonlinear differential equations.     

ICP-AES测定饮用水源中的Cu、Mn、Pb、Cd、Zn

用ICP－AES法同时测定饮用水源中的Cu、Mn、Pb、Cd、Zn等重金属元素，具有基体效应小、测量范围宽等优点。检出限为0．2－4．0μg/L，回收率为91．5％－103．9％，相对标准偏差为0．29％－1．5％，测定密码样与实际样品，结果令人满意。     

一种带时间窗和车辆数目限制的车辆路线问题及其算法

本文提出了带时间窗和车辆数目限制的车辆路线问题的数学模型,针对该问题的特征构造了一种路线生成算法和禁忌搜索算法,并对Solomon提出的C1、R1、RC1类数据集给出了数值运算的结果,实验结果表明算法是有效的.     

轻型汽车后桥半轴断裂件的组织及断口特征

采用光学显微镜和扫描电子显微镜等手段，对某轻型汽车40Cr后桥半轴断裂件的组织及断口特征进行了分析结果表明：半轴在调质处理时的淬火温度不够高，使其表层和心部组织中存在较多的铁素体相，造成了工件最终的硬度和疲劳强度不足，导致半轴在使用中发生扭转疲劳断裂．     

Photoluminescence characteristics of ZnTiO3: Bi nanocrystals

The photoluminescence properties of the Bi³⁺ in sol-gel derived ZnTiO₃ nanocrystals have been investigated. An ultra-violet emission at 360 nm and a visible emission band at 506 nm have been observed, originating from two kinds of emission centers. The former is ascribed to the ³P₁-¹S₀ transition of Bi³⁺ and the latter to the recombination of the electrons with the photo-generated holes trapped in the zinc vacancies. In all cases the latter contribution is predominant.     

OFDM系统中的峰值平均包络功率比上下界的分析

本文主要对OFDM系统中的峰值平均包络功率比(PMEPR)的上下界进行了推导.推导结果表明,PMEPR的上界仅和数据序列的非周期自相关函数有关,这对于迅速去除PMEPR超过给定门限的数据序列是非常有用的.从推导的PMEPR下界看,只有当子载波数N很少时,它才会随N变化较大.针对一个16子载波的BPSK OFDM系统,本文借助于PMEPR的上界还对一种降低PMEPR的选择性映射技术进行了分析,并给出了所有可能信息序列的PMEPR分布.分析结果表明,最大PMEPR约为6.5dB,比最坏情况下的PMEPR减少了5.5dB.     

极低硫钢的精炼脱硫动力学模型

通过对影响脱硫反应限制性环节的分析,将持续接触和瞬时接触两种反应模式综合考虑,建立了精炼脱硫动力学模型,并通过实验室"极低硫钢精炼脱硫"实验数据对模型进行验证.结果表明,本模型的预测结果与实验结果比较吻合.