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在本文中, 我们对Haezendonck风险度量进行了修正. Haezendonck风险度量是最小的Orlicz风险度量, 它的命名是为了纪念J. Haezendonck, 实际上, Haezendonck风险度量同样是对风险的一种量化, 它在Orlicz空间中研究, 是用一类函数定义的风险度量, 这种风险度量有一些好的性质. 但是在现实生活中, 当风险增大的时候, 损失或收益会相应地变得更大一些. 所以本文从实际出发, 对Haezendonck风险度量进行了修正, 给出了修正Haezendonck风险度量的定义, 并且论证了它的一些性质. 这是对Haezendonck风险度量的推广和改进, 对实际有一定的指导意义. 相似文献
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针对目前微博倾向性分析的研究主要集中在微博文本上,而没有考虑微博中其他情感因素影响的问题,通过对新浪微博的分析与研究,在传统的情感词典的基础上,通过加入表情符号词典和网络新词,构建专门的微博词典,同时对微博进行修辞分析和句式分析,以有效提高倾向性分析的效果。实验结果表明,该方法在对微博进行倾向性分析时取得了很好的效果。 相似文献
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为了在满足网络覆盖要求的前提下,降低网络配置所需经济成本、延长网络生存时间、提高通信质量,研究由感知能力不同的传感器所组成的传感器网络的节点部署问题.采用了节点配置值、网络配置总值和节点数目3个指标,反映网络的配置水平、经济成本、通信质量和能耗情况.该文给出了问题的整数线性规划模型,并指出这个问题是NP完全的.提出了近似但计算有效的贪婪优化部署算法.通过找出最佳部署位置、传感器类型和感知方向,实现网络的优化配置.仿真结果表明,该算法可以降低网络配置成本和工作节点数,具有较好的优化部署效果. 相似文献
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为研究某渣场污染物对周边地下水的污染状况,通过对渣场场地非饱和土壤弥散、渗流特性试验,并运用模拟地下水溶质迁移的软件Comsol Multiphysics建立渣场污染物在非饱和岩土介质中的迁移模拟计算模型.试验结果表明:土壤水扩散率D(θ)和非吸附性溶质C1-1的水动力弥散系数Dsh(θ)与土壤含水率θ成显著幂函数关系;同一吸力水头下,黏粒含量越高,储水能力越强,脱水速度越慢,即黏土②土样其持水性能远远高于熔炼渣①土样.100年内渣场污染物氟和锌的迁移污染对周边地下水污染浓度满足二类水标准;通过对渣场周边地下水试验结果表明:渣场现状下对周边地下水并未形成污染,这也验证了采用Comsol Multiphysics软件对渣场污染物迁移模拟分析的可靠性. 相似文献
127.
Electrolysis and isoelectric focusing 总被引:2,自引:0,他引:2
This paper consists of two parts. In the first part, the authorsprove the existence of steady-state solutions for a three-specieselectrolyte. The species are subject to both dissociation-associationreactions inside the electrolyte and electrochemical reactionsat the boundary electrodes. This is a common occurrence in electrolysis.In the second part, the authors investigate how to use thismodel to describe isoelectric focusing, which is a common techniqueused to separate large protein molecules. In particular, theisoelectric focusing point for a particular type of proteinmolecule is calculated using formal perturbation analysis. 相似文献
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利用低能电子衍射(LEED)、X射线光电子能谱(XPS)、电子能量损失谱(EELS)、紫外光电子能谱(UPS),对室温下Mn在GaAs(100)4×1表面的淀积过程进行了研究。研究结果表明,当锰的覆盖度θ≥0.25nm时,LEED图案完全消失,表明Mn没有生长成单晶。LEED,EELS的结果都表明淀积初期是层状生长的。对XPS的Ga2p3/2,As2p3/2的峰形、强度进行分析,可以知道在很小的覆盖度下,Mn就与衬底反应。置换出的Ga被局限在离原来的界面约3nm
关键词: 相似文献
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We have investigated the optical transitions above the fundamental gap of a set of GexSi1-x/Si strained layer multiple-quantum wells by electroreflectance (ER). The sam-ples were grown by molecular beam espitaxy (MBE). The thickness of the strained layer of GexSi1-x was 5nm with Ge concentration x in the range from 0.4 to 0.5, and the Si barrier layer greater than 16nm. Considering the energy shift caused by strain and quantum well confinement, we were able to clearly recognize the transitions from different quantum well structures associated with the critical points E0, E′0, and E1. The transitions of the critical points E0 and E′0, which are very weak in bulk mateials, are apparently enhanced in the quantum well structures. 相似文献