全文获取类型
收费全文 | 58008篇 |
免费 | 6567篇 |
国内免费 | 10565篇 |
专业分类
化学 | 17258篇 |
晶体学 | 1044篇 |
力学 | 1681篇 |
综合类 | 956篇 |
数学 | 3543篇 |
物理学 | 11037篇 |
综合类 | 39621篇 |
出版年
2024年 | 204篇 |
2023年 | 521篇 |
2022年 | 1432篇 |
2021年 | 1542篇 |
2020年 | 1455篇 |
2019年 | 1261篇 |
2018年 | 1160篇 |
2017年 | 1605篇 |
2016年 | 1574篇 |
2015年 | 2445篇 |
2014年 | 3047篇 |
2013年 | 3840篇 |
2012年 | 4039篇 |
2011年 | 4436篇 |
2010年 | 4359篇 |
2009年 | 4639篇 |
2008年 | 5193篇 |
2007年 | 5042篇 |
2006年 | 4674篇 |
2005年 | 4109篇 |
2004年 | 3148篇 |
2003年 | 2323篇 |
2002年 | 2583篇 |
2001年 | 2558篇 |
2000年 | 2362篇 |
1999年 | 1287篇 |
1998年 | 526篇 |
1997年 | 408篇 |
1996年 | 385篇 |
1995年 | 382篇 |
1994年 | 361篇 |
1993年 | 327篇 |
1992年 | 300篇 |
1991年 | 265篇 |
1990年 | 226篇 |
1989年 | 207篇 |
1988年 | 181篇 |
1987年 | 144篇 |
1986年 | 105篇 |
1985年 | 67篇 |
1984年 | 83篇 |
1983年 | 83篇 |
1982年 | 69篇 |
1981年 | 53篇 |
1980年 | 44篇 |
1979年 | 28篇 |
1978年 | 13篇 |
1976年 | 6篇 |
1959年 | 7篇 |
1955年 | 8篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
11.
在图像相关位移测量方法中一般采用正方型子区搜索中心点的位移.当测量靠近裂纹或缺陷部位的位移时中心型子区失去效果,为了解决这一问题提出了非中心型子区的方法.证明了方法的有效性.认为在相关搜索时测量点既可选定在子区的中心位置,也可选定在非中心位置.进而提出了将测量点确定在子区角点的多种子区的方法.除通常的中心型子区外,至少还有4种子区可以采用,分别是右下角型、左下角型、右上角型和左上角型,这4种子区不但适用于表面裂纹或缺陷部位的位移测量,而且增加了图像有效信息的提取面积. 相似文献
12.
主要讨论一类能表示成最大值函数、最小值函数的分段函数的初等性。证明了只要能表示成最大值函数或最小值函数的分段函数一定是初等函数。 相似文献
13.
专业化是世界教师教育改革的主要趋势,师范教育改革的核心就是要促进教师专业化。分析我国教师教育和专业化进程中存在的问题,探讨教师教育改革。将有助于提高我国教师的专业化水平。进而全面提高我国教育质量。 相似文献
14.
15.
16.
17.
18.
19.
本文采用椭圆偏振光谱法研究了剂量为1×1016—3×1012cm-2的As+注入硅,及其在700℃退火后的光学性质。得出:当As+注入剂量增大到某一程度后,便呈非晶特性。低于临界剂量的样品,其n-λ,ε2-λ关系曲线随剂量的增大而往下方移动,呈有规律变化;退火后,在大于4000?波段,n-λ与ε2-λ曲线基本恢复到单晶硅状态。但在小于4000?的紫外区却未完全恢复,注入剂量越大,偏离单晶硅就越大。并指出,紫外光区是离子注入硅的信息敏感区;用有效质量模型计算出注入剂量与损伤度的关系。计算结果与实验符合得较好。
关键词: 相似文献
20.
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献