用γ计数率的变化定位核元件的技术研究

用标准放射源进行模拟核材料库房监控实验,当放射源被转移出系统的时候,在不同位置探测了γ计数率变化,根据γ计数率变化的距离平方反比规律实现了被转移的放射源的定位,并估算了该放射源的源强.     

基于CAPPFramework的CAPP系统的开发与应用

在国家863CIMS目标产品CAPPFramework系统的基础上，研究了面向对象的信息建模技术、信息模型驱动的所见即所得工艺设计技术、工作流技术．并在此基础上进行集成化、智能化计算机辅助工艺设计(CAPP)的应用与开发，实现了工艺设计的自动化，基本达到了在信息集成基础上的工艺设计与工艺信息管理一体化的目的，对企业的CAPP实施具有一定的参考价值．     

一种基于图论与熵的专家判断客观可信度的确定方法

本文给出一种群决策中确定专家判断可信度的方法，其主要思路是首先通过图论中最小生成树的方法提取专家判断矩阵的全部信息，其次，使用相对熵指标确定获得专家判断的最终结果，并同时衡量专家自身判断的统一程度，从而确定专家判断的相对客观可信度。最后，文章给出一个典型的算例以说明该方法的可行性和有效性。     

农户信用评估系统的设计与运用研究

农户信用评估的研究对推动农村消费信用的发展，促进农村经济良好运行十分重要。本在构造农户信用评估的指标体系的基础上，提出了农户信用评估神经网络模型的算法，利用实际搜集到的农户资料进一步建立了农户信用评估模型，继而构造了农户信用评估系统，并举例说明了该系统的实际运用，以期能为农村经济发展中的农户信用评价及相关研究提供一丝基础性启发。     

高压增氧T′相R_2CuO_(4+δ)(R=Nd～Tm)低温磁性研究

T′相R2CuO4稀土铜氧化合物由于尺度效应而产生弱铁磁性行为已经被人们关注,报导了通过高温高氧压(6GPa,1000℃)合成稀土T′相R2CuO4(R=Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er和Tm)化合物的结构和磁学性能。磁化率曲线显示,在低温下所有的高压增氧R2CuO4样品都出现新的低温弱铁磁性反常行为,转变温度在28K附近。新的低温弱铁磁性行为是由于CuO2面上微量氧空穴的掺入,使处于反铁磁有序CuO2面形成局域化的铁磁性团簇造成。实验证明新发现的低温弱铁磁性行为与尺度效应产生弱铁磁性行为属于完全不同的物理机制。结果还预示T′相R2CuO4稀土铜氧化合物很难通过空穴掺杂而实现超导。     

磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜

采用RF磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了择优取向的ZnO薄膜;通过台阶仪、X射线衍射技术、原子力显微镜和分光光度计分别测量了不同溅射功率条件下淀积的ZnO薄膜厚度(淀积速率)、结晶质量、表面形貌与粗糙度、透光光谱,报道了该薄膜结晶质量、薄膜粗糙度与其在可见光区透光率的关系.     

互联网企业投资的跟进者策略分析

在网络经济中电子商务投资的先行者已占得先机的情况下,跟进者应如何选择竞争策略?为解决这一问题,该文在对互联网企业投资的跟进者优劣势进行分析的基础上,建立了基于物种相互作用模型的互联网企业投资跟进者策略选择模型。结果表明,资源获取能力是影响跟进者策略选择的重要因素,跟进者在具有强竞争力的条件下,并购、合围策略是适合的战略选择;相反,则宜采取市场细分“拾余补漏”策略将与先行者的竞争关系转化为互惠共生关系。     

两类整函数的素性

本文就用Nevanlinna理论研究了两类整函数的素性，所得结果推广了Prokopovich和华歆厚的有关定理。     

化工传热过程计算方法的分析

通过分析比较化工传热过程计算中的平均温度差法(MTD法)和传热单元数法(NTU法),找出了它们之间的内在联系,结合这两种方法的优点,组合成了一种新的计算方法,应用于化工传热过程的计算,可使计算过程大为简便,同时又可评价换热设备流动型式的合理性。     

Spin-transfer switching in MgO magnetic tunnel junction nanostructures

Spin-transfer driven switching was observed in MgO based magnetic tunnelling junctions (MTJ) with tunnelling magnetoresistance ratio of up to 160% and the average intrinsic switching current density (J_c0) down to 2 MA/cm², which are the best known results reported in spin-transfer switched MTJ nanostructures. Based on a comparison of results both from MgO and AlO_x MTJs, further switching current decrease via MgO dual structures with two pinned layers is discussed.