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41.
具Hardy-Sobolev临界指数的奇异椭圆方程多解的存在性 总被引:1,自引:0,他引:1
运用变分方法研究了下面问题-Δpu=μupx(s)s-2u f(x,u),x∈Ω,u=0,x∈Ω,多重解的存在性,其中Ω是一个具有光滑边界的有界区域. 相似文献
42.
43.
Bo Jin Xi Wang Jing Chen Feng Zhang Xinli Cheng Zhijun Chen 《Applied Surface Science》2006,252(16):5627-5631
The oxidation of SiGe film epitaxial grown on top of SOI wafers has been studied. These SiGe/SOI samples were oxidized at 700, 900, 1100 °C. Germanium atoms were rejected from SiGe film to SOI layer. A new Si1−xGex (x is minimal) layer formed at SiGe/Si interface. As the germanium atoms diffused, the new Si1−xGex (x is minimal) layer moved to Si/SiO2 interface. Propagation of threading dislocation in SiGe film to SOI substrate was hindered by the new SiGe/Si interface. Strain in SOI substrate transferred from SiGe film was released through dislocation nucleation and propagation inner. The relaxation of SiGe film could be described as: strain relaxed through strain equalization and transfer process between SiGe film and SOI substrates. Raman spectroscopy was used to characterize the strain of SiGe film. Microstructure of SiGe/SOI was observed by transmission electron microscope (TEM). 相似文献
44.
45.
给出了一种仅用偏微分就可导出电磁场相对论变换的方法,避免了四维矢量、张量等运算。同时,也非常直接地显示了电磁场相对论变换是电磁场规律相对论协变性的必然要求。 相似文献
46.
含氟废水处理研究与应用 总被引:2,自引:0,他引:2
本文就近年来国内对含氟废水处理研究及应用概况作了简要综述,可看出含氟废水处理的研究有了较大进展。 相似文献
47.
本文概述了溶胶-凝胶法制备光学石英玻璃的工艺过程,并就二氧化硅在微晶玻璃和膜技术方面的应用热点课题进行了简介。 相似文献
48.
49.
在不同激光脉宽下的高次谐波 总被引:3,自引:2,他引:1
用数值计算方法计算了不同强激光脉冲宽度下高次谐波的产生.我们发现对于激光场强度不高,不能有效电离初态的激光场,长脉冲宽度可以更有效产生高次谐波;而对于高场强的激光场,由于它能够在几个光学周期之内把原子的初态全部电离,所以短脉冲的激光场能够更有效产生高次谐波. 相似文献
50.
本文首先将文[1]中的BLD映射推广为弱(L1,L2)-BLD映射,并证明了如下正则性结果:存在两个可积指数 P1=P1(n,L1,L2)<n<q1=q1(n,L1,L2),使得对任意弱(L1,L2)-BLD映射f∈(Ω,Rn),都有f∈(Ω,Rn),即f为(L1,L2)-BLD映射. 相似文献