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191.
报道了利用兰州重离子加速器国家实验室ECR源引出的高电荷态离子207Pbq+(24≤q≤36)入射到Si(110)表面产生的电子发射的实验测量结果.结果表明,高电荷态离子与固体表面相互作用产生的电子发射产额Y与入射离子的电荷态q、入射角度ψ和入射能量E都有很强的关联.首次发现,电子发射产额Y与入射角度ψ间有接近1/tanψ的关系.理论分析认为,这些过程与基于经典过垒模型的势能电子发射过程密切相关. 相似文献
192.
193.
运用层析法、结晶法从狭苞橐吾全草中分离得到艾里莫芬烷型倍半萜8β-hydroxyeremophil-7(11)-ene-12,8α(4β,6α)-diolide化合物,并通过质谱、核磁共振氢谱和碳谱、氢核-氢核相关谱、异核多量子相干谱和异核多键相干谱进行结构鉴定.其单晶经X射线衍射测试表明,其晶体属正交晶系,空间群为P212121,晶胞参数为: a=6.8519(5),b=10.7191(8),c=18.5942(14)A,V=1365.67(18) A3,Z=4,Dc=1.354 mg/m3.F(000)=592,μ=0.101 mm-1 相似文献
194.
Bo Jin Xi Wang Jing Chen Feng Zhang Xinli Cheng Zhijun Chen 《Applied Surface Science》2006,252(16):5627-5631
The oxidation of SiGe film epitaxial grown on top of SOI wafers has been studied. These SiGe/SOI samples were oxidized at 700, 900, 1100 °C. Germanium atoms were rejected from SiGe film to SOI layer. A new Si1−xGex (x is minimal) layer formed at SiGe/Si interface. As the germanium atoms diffused, the new Si1−xGex (x is minimal) layer moved to Si/SiO2 interface. Propagation of threading dislocation in SiGe film to SOI substrate was hindered by the new SiGe/Si interface. Strain in SOI substrate transferred from SiGe film was released through dislocation nucleation and propagation inner. The relaxation of SiGe film could be described as: strain relaxed through strain equalization and transfer process between SiGe film and SOI substrates. Raman spectroscopy was used to characterize the strain of SiGe film. Microstructure of SiGe/SOI was observed by transmission electron microscope (TEM). 相似文献
196.
197.
介绍了RL&SM通用夹具的寻位系统 ,描述了主动寻位与制造信息转换问题 ,提出和实现了相应的控制方法及其系统实现中的关键技术。理论分析与实验结果表明 ,提出的解决方法和技术是可行的 ,为RL&SM通用夹具系统的实际应用奠定了理论基础和技术支持 相似文献
198.
In this paper, the dimension of the spaces of bivariate spline with degree less that 2r and smoothness order r on the Morgan-Scott triangulation is considered. The concept of the instability degree in the dimension of spaces of bivariate spline is presented. The results in the paper make us conjecture the instability degree in the dimension of spaces of bivariate spline is infinity. 相似文献
199.
200.
Solitary waves and their bifurcations of KdV like equation with higher order nonlinearity 总被引:3,自引:1,他引:2
We investigate the KdV like equation with higher order nonlinearity ut + a(1 +bun)unux + uxxx = 0with n ≥ 1, a, b ∈ R and α≠ 0. The bifurcations and explicit expressions of solitary wave solutions for theequation are discussed by using the bifurcation method and qualitative theory of dynamical systems. Thebifurcation diagrams, existence and number of the solitary waves are given. 相似文献