非因子化方法研究D~+→ ■~0K~+衰变(英文)

在领头阶和αs 修正阶 ,用QCD因子化方法 ,并对它的软胶子效应用光锥QCD求和规则分析D+ → K0 K+ 衰变过程 ,我们分析发现朴素因子化方法的结果远离实验结果 ,QCD因子化方法结果靠近实验结果 ,但是 ,在QCD因子化方法中 ,若考虑软胶子效应 ,其结果与实验结果相一致 .另外 ,计算发现 ,软胶子效应在该衰变道中有相当大的贡献 ,因此不能被忽略     

面向对象的系统活动描述方法

通过实例介绍了系统活动作为一个对象／类的概念，给出了对系统活动进行分析和建模的一般步骤，提出了系统活动描述的形式化方法。     

聚醚醚酮链结构与反应的模型化合物的量子化学研究

利用ＡＭ１方法对聚醚醚酮模型化合物全优化，结果为：芳环平均相互扭转角为３３．０度，桥键角１１７．０－１１８．０度，其分子结构拓扑图形表明：所有苯环（核）为平面构型，但其内角扭曲；其氢原子对苯环构型无实质性贡献，在更长链的计算中，冻结苯核与氢原子也得出满意结果，根据Ｍｕｌｌｉｋｅｎ键序与电荷讨论了醚交换与磺化反应。     

中子辐照对Pd80Si20与Pd77.5Cu6Si16.5非晶态合金结构的影响

本工作用X射线衍射技术示差扫描量热法(DSC)和内耗测量等手段研究金属-类金属非晶态合金Pd₈₀Si₂₀和Pd_77.5Cu₆Si_16.5中子辐照前后的微观结构变化。结果表明,辐照在两种样品的对关联函数g(r)以及径向分布函数RDF(r)上都引起明显的变化;辐照后样品的晶化温度和晶化热有所提高,结构变得更加无序,Pd₈₀Si₂₀非晶态合金的内耗在T关键词：     

高压CMOS管工艺的设计、模拟和验证

模拟和验证了一种低成本的，以标准CMOS工艺为基础，无需对原工艺流程进行改动的高压工艺技术。讨论了低压器件中的各种击穿机理，相应提出了高压器件中所做出的改进，列举了该工艺技术中所用的特殊版图；对此工艺的应用性进行了二维的工艺和器件模拟；将模拟结果与实际测试结果进行了比较，验证了这种高压工艺技术的实用性。     

耗散准模腔场与激子相互作用的量子统计性质

研究了耗散准模腔场与激子相互作用的量子统计特性 ,给出了当腔场初始处于真空态而激子处于真空态与粒子数态大于 2的叠加态时的腔场与激子能量交换的表达式。研究结果表明 ,激子和腔场可以呈现亚泊松分布状态 ,激子与腔场之间的关联是经典的 ,不存在Cauchy Schwartz不等式的偏离现象。     

单晶光纤损耗谱测量装置

本文描述了一套用以测量单晶光纤损耗谱的装置。本装置由卤钨灯,单色仪,积分球,AgORbCs光电倍增管以及数据采集,处理和控制系统组成。可测量300～1150nm的光谱范围。利用本装置可获得单晶光纤的吸收光谱,透过率谱,散射光谱以及散射位置谱。     

生态文明与化学及化学教育--纪念现代化学诞生200周年

在提出生态文明的概念和对现代化学诞生200周年的回顾与反思之后，阐述了生态文明时代对化学与化学教育提出的新要求以及我们如何去适应这些新时代的要求。