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991.
由于高温超导材料的临界温度较高,可以运行在一个较宽的温度范围内,因此高温超导磁体被看作是稳定性较好的磁体,它在超导电力、超导磁体方面的应用占着日益重要的地位.YBCO带材作为第二代高温超导体的代表,近年来其生产工艺水平也得到了迅速发展和提高.磁体失超是影响超导磁体运行稳定性的重要问题之一.本文研究了YBCO单饼线圈在液氮环境中因由热扰动诱发的失超特性,设计了一套高温超导线圈在液氮浸泡下的失超测量系统,通过软件LABVIEW和数据采集卡对线圈的温度和电压进行采集和记录,测量YBCO单饼线圈在不同运行条件下的失超特性.  相似文献   
992.
用密度泛函理论(Density Functional Theory,DFT)方法,在B3LYP/6-31G(d,p)水平上对一种香豆素衍生物分子进行几何结构优化,得到其最稳定构型、分子能量及HOMO、LUMO轨道能量。在优化结构的基础上用同样的方法,在B3LYP/6-31G基组水平上计算了该分子的红外振动光谱和核磁共振1HNMR谱,并对其红外光谱峰位及1HNMR化学位移进行了归属。  相似文献   
993.
In this work, the prediction of wear for revolute joint with clearance in multibody systems is investigated using a computational methodology. The contact model in clearance joint is established using a new hybrid nonlinear contact force model and the friction effect is considered by using a modified Coulomb friction model. The dynamics model of multibody system with clearance is established using dynamic segmentation modeling method and the computational process for wear analysis of clearance joint in multibody systems is presented. The main computational process for wear analysis of clearance joint includes two steps, which are dynamics analysis and wear analysis. The dynamics simulation of multibody system with revolute clearance joint is carried out and the contact forces are drawn and used to calculate the wear amount of revolute clearance joint based on the Archard’s wear model. Finally, a four-bar multibody mechanical system with revolute clearance joint is used as numerical example application to perform the simulation and show the dynamics responses and wear characteristics of multibody systems with revolute clearance joint. The main results of this work indicate that the contact between the joint elements is wider and more frequent in some specific regions and the wear phenomenon is not regular around the joint surface, which causes the clearance size increase non-regularly after clearance joint wear. This work presents an effective method to predict wear of revolute joint with clearance in multibody systems.  相似文献   
994.
介绍了一种氩、氢混合等离子体清洗GaAs基片的实验工艺,深入研究了氩、氢等离子体清洗GaAs表面污染物和氧化层,并活化表面性能的基本原理,同时讨论了气体流量、溅射功率和清洗时间等不同溅射参数对等离子体清洗效果的影响。结果表明,在氩气和氢气流量分别为10 cm3/min和30 cm3/min,溅射功率为20 W,清洗时间为15 min的条件下,GaAs样品的光致发光强度提高达139.12%,样品表面的As-O键和Ga-O键基本消失。  相似文献   
995.
针对激光加工在金属材料焊接、熔覆、表面硬化等工业领域的应用,考虑到半导体激光器体积和重量小、效率高、免维护、成本低以及波长较短等特点,设计了功率达2 kW的半导体激光加工光源。在大通道工业水冷条件下,采用48只出射波长分别为808,880,938,976 nm的传导冷却半导体激光阵列作为发光单元,最终研制出了2 218 W高亮度光纤耦合模块。此高亮度模块可以实现柔性加工,直接应用于金属材料焊接、熔覆、表面合金化等工业领域,对于半导体激光器在工业领域的应用具有重要意义。  相似文献   
996.
CORDIC迭代法快速计算LED显示屏色域边界   总被引:2,自引:0,他引:2  
针对色域映射过程中快速并精确地计算出任意映射线与色域边界交点坐标的问题,提出一种基于改进的CORDIC算法的迭代逼近求解方法。该方法利用CIE LUV颜色空间的特性可沿映射线逼近边缘交点。无需边界搜索和插值计算过程,可大量节省存储器资源和计算时间,并具有较高的计算精度和广泛的适用性。文章详细分析了算法的计算原理、精度和速度,并以LED显示屏为例,在D65标准光源下进行边界拟合并做出误差分析。实验结果表明:12次迭代运算后,拟合边界非常光滑,最大色差值仅为0.16,计算500个映射线交点的总计算时间约为1 s。与插值类计算方法相比,最大色差值降低了2.15,计算时间从10 s降低到1 s,速度提高了近10倍。  相似文献   
997.
研究了一种基于双化学反应体系的绿敏环氧树脂基光致聚合物全息存储材料。通过合理设计并优化双化学反应体系中的低折射率环氧树脂基体体系和高折射率写入单体体系,获得了高透光性的光聚物薄膜,且当薄膜厚度为219μm时,获得了84.3%的衍射效率,5.74×10-3cm2/mJ的感光灵敏度,8.69×10-4的折射率调制度和低至0.32%的缩皱率。最后使用该材料进行了反射式全息图的拍摄,结果表明该材料具有高达5 000 lp/mm以上的分辨率。  相似文献   
998.
在经过Al2O3全钝化发射极钝化局部背接触(PERC)结构电池的背面实现良好的接触电极一直是制约着PERC高效电池向产业化推广的重要因素之一。本文采用532 nm激光烧蚀背面钝化介质层方法和传统的光刻工艺来实现背面电极的局部接触,并对两种方法进行详细的比较与分析。对激光烧蚀和激光烧结两种不同的局部接触电极制备方式进行了对比,发现激光烧蚀是更为适宜的工艺方式。相较于激光烧结,以激光烧蚀方式制备的电池的串联面接触电阻从10.7Ω.cm2降到1.24Ω.cm2,效率从4.2%提高到10.7%。  相似文献   
999.
利用MEMS工艺制备了基于SOI的小尺寸、高集成光波导多环级联谐振腔滤波器,理论分析了多环级联微环腔的光场传输特性与光谱响应特性,实验验证并得到了不同级联环数与谐振谱线滚降垂直度的关系。研究表明:当波导宽度为450 nm、半径为5μm时,单环、双环和十环滤波器响应谱线的-3 dB带宽分别为0.313,0.279,0.239 nm,相应结果与理论吻合,即随着级联环数的增多,谐振谱线顶端趋于平坦,滚降垂直度增高。设计制备了环形与跑道形两种级联谐振腔滤波器,研究了相应的透射谱特性。  相似文献   
1000.
采用二氯甲烷为溶剂,无水碳酸钾为缚酸剂,在25℃温和条件下,以2-苯基-4-甲基喹啉铱(III)氯桥二聚体[(4m2pq)2Ir(μ-Cl)2Ir(4m2pq)2]和乙酰丙酮(Hacac)进行配位,反应合成了新型铱(Ⅲ)配合物[(4m2pq)2Ir(acac)]。通过核磁共振氢谱(1H NMR)、碳谱(13C NMR)、X射线单晶衍射等确定分子结构,利用紫外-可见吸收光谱、发射光谱对其光物理性质进行研究。结果表明:(4m2pq)2Ir(acac)的单晶结构属三斜晶系,空间群为P1;(4m2pq)2Ir(acac)在二氯甲烷溶液中呈橙光发射,发射峰为597 nm,磷光寿命0.33μs,量子效率达50.4%。以(4m2pq)2Ir(acac)为客体掺杂在CBP中,制备了结构为ITO/NPB(30 nm)/CBP:(4m2pq)2Ir(acac)(质量分数6%和8%,20 nm)/BCP(10 nm)/Alq3(20 nm)/LiF(1 nm)/Al(150 nm)的橙色磷光有机电致发光器件,器件的最大亮度达到39 667 cd/m2,发射峰位于597 nm,最大电流效率为14.2 cd/A,最大功率效率为8.1 lm/W。  相似文献   
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