微小型组合导航系统软硬件协同设计

针对机载制导武器对组合导航系统小体积、低功耗、高实时性以及高可靠性的要求,设计了组合导航系统双CPU总体方案。基于Zynq全可定制平台搭建了组合导航系统硬件环境。在分析组合导航系统软件结构的基础上,对任务块、任务优先级以及任务间的同步机制进行了合理设计;同时基于对组合导航滤波器内数据交换的分析,通过设置消息队列实现了任务间通信,且在保证数据一致性的同时,避免了“死锁”问题的出现。     

尖晶石铁氧体TixNi1-xFe2O4中阳离子分布和Ti离子磁矩的实验研究

采用固相反应法制备了系列样品Ti_xNi_1-xFe₂O₄ (x=0.0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4). 室温下的X射线衍射谱表明样品全部为(A)[B]₂O₄型单相立方尖晶石结构, 属于空间群Fd3m. 样品的晶格常数随Ti掺杂量的增加而增大. 样品在10 K温度下的比饱和磁化强度σ_S随着Ti掺杂量x的增加逐渐减小. 研究发现, 当Ti掺杂量x≥ 0.2时, 磁化强度σ随温度T的变化曲线出现两个转变温度T_L和T_N. 当温度低于T_N时, 磁化强度明显减小; 当温度达到T_N时, dσ/dT具有最大值. σ-T曲线的这些特征表明, 由于Ti掺杂在样品中出现了附加的反铁磁结构. 这说明样品中的Ti离子不是无磁性的+4价离子, 而是以+2和+3价态存在, 其离子磁矩的方向与Fe和Ni离子的磁矩方向相反. 利用本课题组提出的量子力学方势垒模型拟合样品在10 K温度下的磁矩, 得到了Ti, Fe和Ni三种阳离子在(A)位和[B]位的分布情况, 并发现在所有掺杂样品中, 80%的Ti离子以+2价态占据尖晶石结构的[B]位.     

硅晶体表面石墨烯褶皱形貌的分子动力学模拟研究

本文利用分子动力学的方法和模拟退火技术从原子尺度分析研究了Si (100), Si (111)和Si (211)表面单原子层石墨烯的褶皱形貌及其演化特点. 研究表明, 分别置于Si晶体的三种不同原子表面的石墨烯都展现出原子尺度的褶皱形貌. 石墨烯与Si晶体表面原子的晶格失配是引起石墨烯褶皱的主要原因. 研究发现, Si晶体表面石墨烯的褶皱形貌强烈的依赖于退火温度. 石墨烯的褶皱形貌还将直接影响其在Si晶体表面的吸附稳定性. 这些研究结果有助于人们认识基于Si晶体衬底的石墨烯的结构形貌及其稳定性, 为石墨烯的进一步应用提供理论参考.     

Nd:YAG陶瓷与单晶4F3/2–4I13/2跃迁的弱谱线多波长激光性能对比

报道了基于半导体激光端面抽运Nd:YAG的⁴F_3/2–⁴I_13/2 跃迁的弱谱线多波长激光输出. 实验对比了透明陶瓷与单晶材料的激光输出特性, 表明透明陶瓷和单晶材料荧光谱强度的略微差异, 导致了多波长输出时相同两个波长之间的激光强度比在两种材料中的差异. 基于两种耦合输出镜片, 激光阈值都在2 W左右. 在13.5 W的抽运功率下, 基于Nd:YAG透明陶瓷获得了输出功率4.05 W、强度比1 :2的1338与1356 nm双波长激光和输出功率3.65 W、强度比13 : 1的1356与1414 nm 双波长激光, 斜率效率分别达33.9% 和31.9%.     

表面活性剂辅助二氧化硅纳米颗粒在非水基液中的分散研究（英文）

研究了粒径10~100nm的二氧化硅纳米颗粒在非水基液中的表面活性剂辅助分散。结合颗粒表面特定官能团结构,针对性选择了合适的表面活性剂,氢键桥梁作用和长链分子空间位阻作用抑制了颗粒团聚行为。当表面活性剂体积分数6%的时候,动态光散射测试结果表明颗粒中位尺度30.2nm,与透射电镜测试结果吻合,展现了良好的分散性。     

SOI环形光波导谐振腔双层石墨烯调制器（英文）

在片上光互连系统中,电光调制器起到将电信号调制为光信号的作用,是光互联系统中的核心部件之一。调制器的3dB带宽决定着载波所能携带的最大信息量,是衡量调制器性能的核心参数。利用石墨烯和高Q环形谐振腔设计成具有CMOS结构的新型调制器,其集成了石墨烯的宽带吸收、载流子迁移率高等材料优势和高Q值环形光学谐振腔的光程放大的结构优势,通过理论计算,其3dB调制带宽可以达到100GHz。同时,基于微环谐振腔的石墨烯电光调制器结构可以方便的与光互联系统中的波分复用器相集成,从而提升片上光互联系统的集成度和降低技术复杂性。     

混合微球谐振腔热非线性效应的增强方法（英文）

提出并实现了一种可增强微球谐振腔热非线性效应的方法。通过在微球谐振腔表面涂覆低折射率紫外胶形成并制备了混合谐振腔。通过分析混合谐振腔结构的热光系数,从理论和实验论证了混合谐振腔结构可获得更大的热非线性效应,同时验证了混合谐振腔的品质因素对热非线性的影响。应用此混合谐振腔结构于温度传感实验,结果表明通过增强方法制备的谐振腔其检测灵敏度提高了2.8倍。因此,此方法在传感应用、生物化学检测、通讯等领域也有广泛的应用前景。     

基于HRTEM和Raman分析定向多壁碳纳米管阵列的生长机理

以二茂铁、二甲苯为前驱体,石英为衬底,在850 oC的管式炉内采用化学气相沉积法制备出了定向碳纳米管阵列. 高分辨透射电子显微镜和拉曼光谱的结果表明：碳纳米管阵列具有良好的定向性和多壁管状结构,石墨化程度高,并且只在表面存在少量单壁碳纳米管.定向多壁碳纳米管阵列的生长模式为“底部”生长模式,即在生长的初期,当催化剂颗粒较小时,析出的碳原子生成了单壁碳纳米管或与其性质类似的多壁碳纳米管(一般层数小于5层);催化剂颗粒逐渐长大后,大量的碳原子析出后生成了普通的多壁碳纳米管,从而形成了单壁碳纳米管只存在于碳纳米管阵列膜表面和多层碳纳米管膜表面与界面的现象.     

Optimum step-stress accelerated degradation test for Wiener degradation process under constraints

To assess a product's reliability for subsequent managerial decisions such as designing an extended warranty policy and developing a maintenance schedule, Accelerated Degradation Test (ADT) has been used to obtain reliability information in a timely manner. In particular, Step-Stress ADT (SSADT) is one of the most commonly used stress loadings for shortening test duration and reducing the required sample size. Although it was demonstrated in many previous studies that the optimum SSADT plan is actually a simple SSADT plan using only two stress levels, most of these results were obtained numerically on a case-by-case basis. In this paper, we formally prove that, under the Wiener degradation model with a drift parameter being a linear function of the (transformed) stress level, a multi-level SSADT plan will degenerate to a simple SSADT plan under many commonly used optimization criteria and some practical constraints. We also show that, under our model assumptions, any SSADT plan with more than two distinct stress levels cannot be optimal. These results are useful for searching for an optimum SSADT plan, since one needs to focus only on simple SSADTs. A numerical example is presented to compare the efficiency of the proposed optimum simple SSADT plans and a SSADT plan proposed by a previous study. In addition, a simulation study is conducted for investigating the efficiency of the proposed SSADT plans when the sample size is small.     

Excellent passivation of thin silicon wafers by HF‐free hydrogen plasma etching using an industrial ICPECVD tool

In this work, hydrogen plasma etching of surface oxides was successfully accomplished on thin (～100 µm) planar n‐type Czochralski silicon wafers prior to intrinsic hydrogenated amorphous silicon [a‐Si:H(i)] deposition for heterojunction solar cells, using an industrial inductively coupled plasma‐enhanced chemical vapour deposition (ICPECVD) platform. The plasma etching process is intended as a dry alternative to the conventional wet‐chemical hydrofluoric acid (HF) dip for solar cell processing. After symmetrical deposition of an a‐Si:H(i) passivation layer, high effective carrier lifetimes of up to 3.7 ms are obtained, which are equivalent to effective surface recombination velocities of 1.3 cm s^–1 and an implied open‐circuit voltage (V_oc) of 741 mV. The passivation quality is excellent and comparable to other high quality a‐Si:H(i) passivation. High‐resolution transmission electron microscopy shows evidence of plasma‐silicon interactions and a sub‐nanometre interfacial layer. Using electron energy‐loss spectroscopy, this layer is further investigated and confirmed to be hydrogenated suboxide layers. (© 2015 WILEY‐VCH Verlag GmbH &Co. KGaA, Weinheim)