产生特殊聚焦图形的二元光学元件

通过面积编码将伽博（Gabor)波带片的透过率函数的余弦分布等效为二元分布，研制了能产生各种特殊聚焦图形的二元光学元件。根据透镜聚焦的物理原理制作的二元振幅型波带片可以方便地产生多种聚焦线，给出了相应的实验结果，并讨论了改善聚焦效果的优化条件。     

Phase dynamics of a detuned single-mode laser

We report measurements on the phase dynamics of a detuned single mode laser which has in the past shown correspondence to the complex Lorenz equation. The corresponding ranges of periodic pulsing, of detuned chaos and of windows within the chaotic domain are investigated.Invited paper     

叶绿素A较高激发态的发光

采用激发样品表层和样品中心两种激发方式,在300K和77K温度下研究叶绿素A(Chla)的较高激发行为,观测到峰值位于493、520和580nm三条新的荧光发射带.分别测量它们的荧光激发光谱,证明这三条新的荧光带属于Chla的第二激发单线态向基态的不同振动能级的辐射跃迁发光.最后提出电子跃迁模型,同时进行了讨论.     

Wild tiles in ℝ<Superscript>3</Superscript> with spherical boundaries

Wildly embedded tiles in ℝ³ with spherical boundary are discussed. The construction of the topologically complicated, crumpled cube tiles is reviewed. We construct an infinite family of wildly embedded, cellular tiles with Fox-Artin-type wild points. Finally, a condition on the set of wild points on a cellular tile is given to show that certain wild cells cannot be tiles. Several observations are recorded for further investigations. __________ Translated from Fundamentalnaya i Prikladnaya Matematika, Vol. 11, No. 4, pp. 203–211, 2005.     

应变Si1-xGex层中p型杂质电离常温和低温特性

本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.     

浅析欧洲绿党政治

上个世纪70年代以来，绿党在欧洲政坛崛起，这是欧洲社会政治变化的一个新现象。绿党力量的上升乃至绿党政治的出现在某种程度上改变了西欧国家现行的政党格局。研究绿党对于我们了解欧洲政治变化以及绿色思潮与生态政治的影响具有重要意义。     

一类非定常对流占优扩散问题差分-流线扩散法的后处理

讨论了一类非定常对流占优扩散方程的差分-流线扩散格式(FDSD),利用插值后处理技术,提高了特殊网格下该FDSD格式在双线性元空间的精度,从而按L∞(L2(Ω) 模达到最优．