倾斜下降管气液两相分层流截面含气率的计算与液层高度的预测

分层流是气液两相流中常见的流动型式，分层流中液层高度是计算的基本数据，由于界面波的存在，对液层的测量和预测都很困难．Ｖｌａｃｈｏｓ提出了预测气液两相分层流液层厚度的关系式，但这一关系式并不适用于倾斜下降管气液两相流．本文提出了计算倾斜下降管气液两相分层流截面含气率的理论模型，在这种模型下得到的截面含气率和实验结果符合良好．在大量实验的基础上，考虑了倾角、管径、气液各相折算速度的影响，根据实验数据提出了预测液层厚度的关系式。     

正电子产生靶上初级电子束半径的最小化研究

为获得尽可能高的正电子(e⁺)产额,严格控制初级电子(e^－)束在e⁺产生靶上的束半径是至关重要的.首先分析了使e^－束半径增大的各因素和对这些因素的制约;然后以北京正负电子对撞机(BEPC)的正电子源为例,给出了束半径的实测值和计算值的比较,以具体说明这些因素的影响;最后讨论了北京正负电子对撞机二期工程(BEPC-Ⅱ)的相应优化设计研究,提出了获得靶上最小束半径的若干途径.     

一种基于能带工程设计的CaAsSb/InP异质结双极晶体三极管

异质结晶体三极管（HBT）的性能与其材料体系密不可分，利用能带工程可以大大优化器件的结构，提高器件性能，文章从分析HBT的能带结构及设计要求入手，介绍了一种利用能带工程设计的基于GaAsSb/InP材料体系的新型HBT器件的结构及其性能，分析了该器件与其它材料体系器件相比所具有的优异特性，说明了对HBT的各区材料，其带边的相对位置所起的重要作用，最后，文章还报道了近期的实验情况，说明了GaAsSb/InP体系HBT的实际性能与理论预言一致。     

碰撞能量对He-N2的散射截面的影响

用密耦近似方法计算了He和N2体系的微分截面和总截面及转动激发分波截面,得出微分截面及总截面随入射能量变化的规律.     

试论新时期反腐力度与反腐目标

研究新时期反腐败力度有助于我们正确评价当前腐败现状和反腐形势，了解反腐工作的成绩和不足，制定更加行之有效的反腐策略，从而更好地扼制腐败。当前，从反腐强度和反腐深度来看，从各种反腐策略的运用所达到的反腐目标的程度来看，新时期反腐已达到了一定的程度，但与反腐目标的实现相比，仍不足，需要进一步加强。     

上皮生长因子预防心脏术后心包粘连的实验及临床研究

目的探讨上皮生长因子(EGF)对心脏术后心包粘连的预防作用.方法术中对犬心包内喷洒上皮生长因子3个月后,观察心包粘连情况;选先天性心脏病、房缺及室缺病人40例,术中心包内喷洒上皮生长因子,术后6个月、12个月经CT检查,判定心包粘连、增厚结果.结果在动物实验和临床研究中,实验组粘连程度显著低于对照组(P<0.01).结论 EGF心包内应用有明显预防心脏术后心包粘连的作用.     

基于DELPHI5的高校选修课管理系统的设计与实现

主要介绍高校选修课管理系统的设计思想，并着重分析和讨论了后台数据库的设计方法和原理，最后讨论了运用Delphi5开发该系统的整个过程。     

Comparison of the boundary theory with the contact rule of phase regions and Gupta’s method

The phase boundary theory and the contact rule of phase regions are compared, and some weaknesses of the latter are manifested. The comparison between the Gupta’s method and the boundary theory method for constructing multicomponent isobaric sections is also presented.     

Concurrence and Wigner-Yanase Skew Information

A measure of entanglement on n qubits is defined in terms of Wigner-Yanase skew information. It is shown that the measure coincides essentially with the concurrence on two qubits. This uncovers the information-theoretic meaning of the concurrence of entangled states.     

InxGa1-xAs-GaAs应变层量子阱结构的流体静压光荧光研究

本文报道了对分子束外延(MBE)生长的In_0.25Ga_0.75As-GaAs应变层量子阱结构在77K下的压力光荧光(PL)研究的结果。流体静压力从0到50kbar.,给出了In_0.25Ga_0.75As-GaAs应变层量子阱的Γ谷压力系数,实验观察到了量子阱中能级与势垒GaAs中X谷的能级交叉。通过对其压力行为的分析,给出了In_0.25Ga_0.75As-GaAs异质结的导带与价带跃变比:Q_c=△E_c:△E_v=0.68:0.32。对(InGa)As-GaAs应变量子阱常压下的理论分析与实验符合很好。本文也对Al_0.3Ga_0.70As-GaAs量子阱进行了讨论。 关键词：