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62.
CsLiB6O10晶体光参量振荡器的线宽分析 总被引:1,自引:1,他引:0
采用355nm脉冲激光作为泵浦源,对影响CsLiB_6O_(10)晶体光参量振荡器的信号光线宽的各种物理机制进行了数值模拟计算和分析.结果表明,泵浦光的发散角和偏轴方向对信号光线宽的影响较大。 相似文献
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This paper introduced the concept of L-fuzzy sub lattice implication algebra and discussed its properties. Proved that the intersection set of a family of L-fuzzy sub lattice implication algebras is a L-fuzzy sub lattice implication algebra, that a L-fuzzy sub set of a lattice implication algebra is a L-fuzzy sub lattice implication algebra if and only if its every cut set is a sub lattice implication algebra, and that the image and original image of a L-fuzzy sub lattice implication algebra under a lattice implication homomorphism are both L-fuzzy sub lattice implication algebras. 相似文献
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考虑一类p-Laplacian算子型泛函微分方程的奇异边值问题,利用锥不动点定理,得到了其正解及多个正解存在的充分条件. 相似文献
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67.
Quantum Key Distribution Using Four-Qubit W State 总被引:3,自引:0,他引:3
CAO Hai-Jing SONG He-Shan 《理论物理通讯》2006,46(1):65-68
A new theoretical quantum key distribution scheme based on entanglement swapping is proposed, where four-qubit symmetric W state functions as quantum channel. It is shown that two legitimate users can secretly share a series of key bits by using Bell-state measurements and classical communication. 相似文献
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提出了一种基于模型驱动的元数据管理方案.方案采用了基于模型的形式化描述方法,统一了专业网管子系统间的元数据模式;通过引入模型驱动技术,从元模型的抽象层次消除了不同专业网管子系统之间存在的“信息孤岛”;方案还对综合网管环境下的元数据理论和交换机制进行了研究,并给出了元数据的管理框架以及元数据交换的Java接口映射. 相似文献
69.
70.
Crystal-Orientation Dependent Evolution of Edge Dislocations from a Void in Single Crystal Cu
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The micro-void growth by dislocation emission under tensile loading is explored with focus on the influence of crystal orientations. Based on the elastic theory, a dislocation emission criterion is formulated. It is predicted that the preferential location of dislocation nucleation and its threshold stress are dependent on the crystal orientation. Large-scale molecular dynamics (MD) simulations are also performed for single crystal copper to illustrate the dislocation evolution pattern associated with a nano-void growth. The results are in line with those given by the theoretical prediction. As revealed by MD simulations, the characteristics of void growth at micro-scale depend greatly on the crystal-orientation. 相似文献