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21.
采用传统固相烧结法制备了Pb0.92Sr0.08-xBax(Sb2/3 Mn1/3)005Zr0.48Ti0.47O3(PSBSM-PZT)压电陶瓷样品.研究了不同Sr2+、Ba2+掺杂含量对样品的相结构、微观形貌、压电和介电性能的影响.结果显示:所有样品均为钙钛矿结构.而当x=0.02~0.06时,陶瓷样品组分位于准同型相界区(MPB).由于位于准同型相界区域的陶瓷样品对于电畴的转向具有促进作用,所以处于MPB区域的陶瓷样品具有较大的压电和介电性能,但同时由于电畴转向带来的较大内摩擦和结构损耗,从而提高了材料的机械损耗和介电损耗.当x=0.02时的陶瓷样品获得最佳的综合性能:d33=346 pC/N,kp=0.58,Qm=1217,εr=1724,tanδ=0.774;. 相似文献
22.
以AlN作为靶材,使用射频磁控溅射法在Si(100)和玻璃衬底上,在纯氮气气氛条件下制备得到AlN薄膜,并研究了衬底温度对溥膜的结构,形貌和性质的影响.实验表明,衬底温度为370℃的条件下制备的AlN溥膜具有C轴择优取向,薄膜表面均匀、致密和平整,均方根粗糙度为4.83nm.随着基片温度的增加,溥膜的折射率增加,对应着薄膜从非晶态到晶态过程的演变. 相似文献
23.
详细介绍了近距离升华(CSS)薄膜装置的研制及其特性,并对利用该装置及利用射频溅射沉积的CdTe膜的结构进行了XRD分析。结果表明,CSS方法所得的CdTe膜具有较大的晶粒尺度,结晶效果更好。 相似文献
24.
25.
采用水热法一步合成了二硫化镍粉晶,利用XRD、SEM对样品进行了表征并使用Rieteveld粉末衍射峰形全谱拟合方法对不同水热反应条件下合成二硫化镍粉晶的晶体结构进行了研究.并用多相全谱拟合相定量分析法对水热合成二硫化镍粉晶中的杂相质量百分比进行了计算,分析了NiS2粉晶的合成机理. 相似文献
26.
使用近距离升华(CSS)方法在玻璃衬底上制备了CdTe自掺杂Te薄膜.通过XRD,SEM,EDS,紫外可见分光光度计,以及光致发光(PL)谱分析讨论了掺Te薄膜的结构变化,其表面形貌以及掺杂浓度对CdTe薄膜光学性质的影响.结果表明:适量掺Te改善了CdTe薄膜的结晶质量,CdTe薄膜的晶格常数变大,禁带宽度Eg有略微减小,晶体中施主能级深度无变化——掺Te对CdTe薄膜的光学性质影响不大. 相似文献
27.
用INDO/2和INDO/CI方法研究了足球分子的电子结构和UV谱。几何构型优化后得到2种键长:R_(5-6)=1.4507,R_(6-6)=1.3979,相应的键序为1.1356和1.4385。SCF计算得到120个成键轨道和120个反键轨道,符合我们建议的结构规则。足球分子的光谱计算结果是振子强度不为零的跃迁只有一个,其值为386.0 nm,和实测的UV谱符合得较好。 相似文献
28.
取代基间电荷转移对分子二阶非线性极化系数的影响 总被引:2,自引:9,他引:2
计算了苯胺、硝基苯、邻硝基苯胺、间硝基苯胺、对硝基苯胺及2,4-二硝基苯胺的二阶非线性光学系数β_2,讨论了取代基间电荷转移对分子二阶非线性光学系数的影响。得知β′=β_(add)+β_(ct)不是很好的计算公式,但考虑取代基间的电荷转移对β的贡献仍有其价值。 相似文献
29.
用INDO/CI法研究了[M_2(η~5-C_5H_5)_2(CO)_4]及M(η~5-C_5H_5)(CO)_2Cl(M=Fe,Ru)体系的电子光谱,讨论了谱带的跃迁机理、电荷转移性质及同一标号谱带的蓝移现象,并对[MC_p(CO)_2]_2体系的异构化反应性及光化学反应的可能机理进行了探讨。 相似文献
30.
研究了聚乙烯亚胺 钴络合物 (PEI Co)在电解质溶液中的氧可逆结合特性及对氧还原电流的影响 .PEI Co络合物溶解于电解质的水溶液中 ,在氧气气氛中络合物与氧结合 ,UV Vis光谱在 310nm处出现了新的吸收峰 ,并在 2 80nm处观察到等吸光点 .PEI Co络合物与氧结合平衡曲线服从Langmuir行为 ,络合物与氧结合的亲和力 (p50 )为 0 6 6 7kPa .氧与PEI Co加成物的解离反应表观速率常数为 1 1× 10 5s- 1 ,表明络合物具有快速、可逆的氧结合特性 .在PEI Co络合物存在下 ,氧电极的还原电流显著增加 ,并且随PEI Co络合物的浓度以及气氛中氧浓度的增加而增加 .[PEI链节 ] [Co]=5 1时 ,氧还原电流达到极大值 ,说明PEI Co络合物与氧形成了结构为 [N5CoⅢ O2 CoⅢ N5]的加成物 . 相似文献