一类高次多项式系统的定性分析

利用平面自治系统的极限环与分支理论研究了一类高次多项式系统,得到了该系统极限环的存在惟一性,所得结论改进了有关结果.     

ONP脱墨浆二氧化硫脲漂白研究

实验主要探讨了ONP脱墨浆FAS单段漂白的工艺条件,找出了FAS漂白的最佳工艺条件为:FAS用量0.6%,NaOH用量0.3%,漂白温度65℃,漂白时间30min,浆浓10%,在此条件下漂后浆白度达66.6%ISO。     

超电锂电用柔性电极材料制备方法研究进展

随着可穿戴电子器件的发展,开发具有柔性结构的电极受到储能领域研究人员的高度重视.研究认为,具有高韧性的柔性复合电极在小型可穿戴电子器件储能设备中有广阔的发展前景,尤其是在商用小型锂离子电池和超级电容器领域,柔性电极更应具有柔韧性和稳定性优势.基于此,笔者从柔性电极的构建出发,综述了最近柔性电极制备方法的研究进展,并展望了柔性电极的未来发展趋势.     

面向云制造的有限资源多任务调度博弈

为解决云制造环境下云服务组合优化调度问题,在深入分析目前优化调度问题存在的难点及研究不足的基础上,提出一种云制造环境下有限资源的多任务调度模型。考虑服务需求者间存在的利益冲突及重要的服务评价指标,以每个服务需求者作为博弈参与者,将每个任务的执行制造路径当作博弈策略,把时间、合格率、成本和服务质量组成的综合服务水平看作博弈支付函数,最终把有限资源的多任务调度问题转变为多个静态非合作博弈问题。在此基础上,将求解纯策略纳什均衡解的过程编制为算法,该算法所得的均衡解为每个任务的最终执行制造路径。实验仿真表明该模型及算法具有可行性及有效性。     

医疗资源可达性与居民就医行为研究进展

医疗资源配置与居民就医行为分别反映了医疗系统的供给和需求两个侧面,相关研究对于推进基本公共服务均等化、解决医疗资源的供需结构性矛盾具有重要意义。地理学长期关注医疗资源的可达性,但对于就医行为的关注有所不足;而医疗和公共卫生领域的就医行为及其影响因素研究的空间视角相对缺乏。本研究对地理学和医疗卫生领域已有的医疗资源可达性和就医行为研究进行了梳理,构建了"空间-就医-健康"研究框架,以人文地理与城市规划的学科理论为基础,将行为主义、可达性模型、就医行为决策模型等方法论相结合,从微观个体的视角出发,试图探讨医疗资源可达性、就医行为、健康3者之间的关系,以期为后续研究提供参考。     

突发事件下的城市轨道交通列车运行仿真与延误评估

应用系统仿真的方法,建立了突发事件下的城市轨道交通列车运行仿真模型,并应用北京地铁亦庄线的实际数据进行了案例分析。基于离散事件模型的仿真方法,使用Processing和G4P控件库开发仿真软件,实现列车的超速防护、移动闭塞系统生成列车移动授权、列车运行控制和列车停站控制。通过系统仿真,针对城市轨道交通单线多列车的运行场景,对突发事件下的全线运行、延误情况进行模拟和评估。结果表明,故障发生的不同位置和持续时间会对列车延误情况造成不同影响,并且通过运行调整手段如发车调整和停站调整可以有效缓解突发事件下列车的延误情况。     

星载SAR图像定位模型综述及分析

定位是星载SAR图像几何处理的关键内容之一.论文主要综述几种常见的定位模型,列出他们的基本方程式,简要分析他们的优缺点.这些模型包括一般多项式模型、有理函数模型、共线方程模型、距离-多普勒模型和SAR影像模拟模型.同时,还简要介绍了一些相关研究.最后展望了这些模型的发展.这些内容可以为SAR图像定位模型的选择和进一步研究提供参考.     

稀土元素三角格子体系中的阻挫磁性与量子涨落

稀土元素三角格子阻挫体系在近几年受到了广泛的关注,稀土元素中存在较强的自旋轨道耦合作用,容易形成各向异性的磁相互作用,结合复杂的晶体场结构,可以产生很多新奇的物理性质,实现包括量子自旋液体、内禀量子伊辛磁体和隐藏序在内的一系列新奇量子态。文章以最近的中子散射研究为例,介绍稀土元素三角格子体系中的新奇磁关联与量子涨落现象。     

基于金属卤化物钙钛矿材料的高效发光二极管

金属卤化物钙钛矿半导体既在光伏器件研究中获得巨大进展,又在发光应用中体现出明显优势。金属卤化物钙钛矿半导体的荧光转化效率高、发光峰形窄、发射光谱可调控并可覆盖整个可见光范围,从而使得该类材料所制备的发光二极管有望满足下一代显示技术应用的性能要求。文章在简要叙述发光二极管基本原理的基础上,分别介绍了钙钛矿材料的结构和荧光特性、钙钛矿发光二极管的电致发光特性,以及钙钛矿发光二极管进入实际应用所必须解决的器件寿命、离子迁移和光谱不稳定性等主要技术问题,最后讨论了钙钛矿发光技术所面临的机遇和挑战。     

n-In0.35Ga0.65N/p-Si异质结的制备及其电学性能研究

采用双光路双靶材脉冲激光沉积(PLD)系统在p-Si衬底上外延生长InGaN薄膜,研究了InGaN薄膜的显微组织结构和n-InGaN/p-Si异质结的电学性能.研究表明,InGaN薄膜为单晶结构,沿[0001]方向择优生长,薄膜表面光滑致密,In的原子含量为35％.霍尔(Hall)效应测试表明In0.35Ga0.65N...