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51.
Baker‘s yeast mediated reduction of optically active diketone is described. The two keto groups are efficiently differentiated and the ee value of the recovered material is considerably raised. It affords highly optically active key intermediates efficiently for the synthesis of natural polyhydroxylated agarofuran products. 相似文献
52.
PinHuaLI LeiWANG MinWANG JinCanYAN 《中国化学快报》2004,15(11):1295-1298
A Glaser coupling reaction of terminal alkynes in the presence of nickel chloride withoutany organics and bases in hot water has been developed, which produces the correspondinghomo-coupling products in good yields. 相似文献
53.
对溴分子在68800-7200cm^-1范围内的两个被观察到的[^2Π3/2]4d偶宇称里堡态的转动光谱进行了计算模拟,确定了转动常数,并且证实了原先对实验光谱的传动结构和电子角动量的标识。 相似文献
54.
55.
56.
Klein发表著名的埃尔兰根纲领,由群论角度研究了空间变换群的不变量,从而引进了各种不同的几何学.本文利用Felix Klein的观念,研究Carnot-Caratheodory空间{M,Q,g}(又称为次黎曼流形)上的类似问题,给出了次黎曼流形中的共形不变量和射影不变量.本文给出的共形和射影不变量可视为黎曼情形的一种自然推广.由于次黎曼流形与黎曼流形之间有着本质的差异,故此,本文通过次黎曼流形上存在的唯一非完整联络(Nonholonomic connections)来刻画所提的问题. 相似文献
57.
We study the domain of existence of a solution to a Riemann problem for the pressure gradient equation in two space dimensions. The Riemann problem is the expansion of a quadrant of gas of constant state into the other three vacuum quadrants. The global existence of a smooth solution was established in Dai and Zhang [Z. Dai, T. Zhang, Existence of a global smooth solution for a degenerate Goursat problem of gas dynamics, Arch. Ration. Mech. Anal. 155 (2000) 277-298] up to the free boundary of vacuum. We prove that the vacuum boundary is the coordinate axes. 相似文献
58.
利用Harris模型,通过求解等离子体平衡方程,计算俘获粒子份额,分别对常规剪切和中心负剪切下tokamak中的自举电流的大小和剖面准直性进行了计算和分析.自举电流分布与等离子体平衡电流分布之间的剖面准直性可以通过调整等离子体的密度、温度和电流分布参数,以及描述等离子体形状的拉长度k和三角变形因子d来获得.中心负剪切位形有利于自举电流产生,并有好的剖面准直性.通过计算比较,分别在常规剪切位形下和中心负剪切位形下获得了一组优化的等离子体参数,在这组参数下,自举电流有较大的份额和好的剖面准直性
关键词:
tokamak
自举电流
剖面准直性 相似文献
59.
本文介绍应用热管原理,设计用于冷却10kW速调管的热管—散热器。采用径向热管和紧凑散热器,并利用计算机对紧凑散热器进行了优化设计。为了考验热管的性能和寿命,除了进行一般的性能试验外,还在5kW左右条件下进行1154小时的寿命试验,结果表明热管—散热器性能可靠。计算结果和实测数据具有良好的一致性。 相似文献
60.
We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics. 相似文献