全文获取类型
收费全文 | 41061篇 |
免费 | 5328篇 |
国内免费 | 5053篇 |
专业分类
化学 | 17384篇 |
晶体学 | 428篇 |
力学 | 1461篇 |
综合类 | 456篇 |
数学 | 3001篇 |
物理学 | 9570篇 |
综合类 | 19142篇 |
出版年
2024年 | 123篇 |
2023年 | 561篇 |
2022年 | 1006篇 |
2021年 | 1089篇 |
2020年 | 1222篇 |
2019年 | 1123篇 |
2018年 | 1028篇 |
2017年 | 1087篇 |
2016年 | 1345篇 |
2015年 | 1677篇 |
2014年 | 2221篇 |
2013年 | 2628篇 |
2012年 | 3013篇 |
2011年 | 3316篇 |
2010年 | 2683篇 |
2009年 | 2848篇 |
2008年 | 3085篇 |
2007年 | 2882篇 |
2006年 | 2682篇 |
2005年 | 2341篇 |
2004年 | 1798篇 |
2003年 | 1409篇 |
2002年 | 1500篇 |
2001年 | 1385篇 |
2000年 | 1201篇 |
1999年 | 1047篇 |
1998年 | 656篇 |
1997年 | 646篇 |
1996年 | 619篇 |
1995年 | 522篇 |
1994年 | 498篇 |
1993年 | 385篇 |
1992年 | 314篇 |
1991年 | 308篇 |
1990年 | 275篇 |
1989年 | 233篇 |
1988年 | 197篇 |
1987年 | 143篇 |
1986年 | 98篇 |
1985年 | 49篇 |
1984年 | 41篇 |
1983年 | 35篇 |
1982年 | 31篇 |
1981年 | 20篇 |
1980年 | 21篇 |
1979年 | 9篇 |
1976年 | 7篇 |
1975年 | 9篇 |
1971年 | 4篇 |
1959年 | 5篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 281 毫秒
41.
42.
陀螺仪转子的安装精度对其运行的稳定性和精确性有很大的影响。由于要求的安装误差很好,因此,对其误差的测量要求准则。其测量误差应经安装误差小1/10以及上,一般的检测方法很难达到要求,为此介绍了一种新型的光电检测方法,该方法利用狭缝的光学傅立叶变换提取陀螺仪转子的误差信息,采用计算机进行信息处理,从而完成陀螺仪转子的自动检测和分类,该方法也可用于其他一些精密年的自动检测处理。 相似文献
43.
44.
新疆玛纳斯湖水蒸发过程研究 总被引:3,自引:0,他引:3
本文依据Na^ ,K^ ,Mg^2 //Cl^-,SO4^2--H2O五元水盐体系相图,对新疆玛纳斯盐湖水进行原料分析、理论研究、25℃等温蒸发实验和自然蒸发实验,研究了该湖水蒸发过程中盐类的析出规律及湖水中各组分浓度变化的规律,为进行工艺实验及将来的综合开发利用提供了可靠依据。 相似文献
45.
空心阴极灯激发的微波等离子体炬原子/离子荧光光谱研究--钙的原子/离子荧光光谱 总被引:2,自引:0,他引:2
用强短脉冲供电技术的空心阴极灯作激发源、微波等离子体炬作原子/离子化器,建立了原子/离子荧光光谱实验装置。详细研究了微波等离子体功率、观察高度、空心阴极灯电流等因素对原子/离子荧光信号强度的影响,测量了系统对Ca的原子/离子荧光光谱的检出限。 相似文献
46.
对铝电解中的阴极反应、阴极过电压、阴极表面的双电层结构等阴极过程进行了研究,发现在+005~-005V(相对于铝阴极)电位区有一个还原电流峰和一个氧化电流峰,它们是Al3++3e→Al和Al-3e→Al3+·与阳极相比,阴极过电压较小,在001~3A/cm2的Taffel区,约为01V·在阴极表面的双电层中,第一层为Ca2+,Mg2+,Li+和Al3+离子,没有Na+离子,这说明,阴极过电压是因为Mg2+,Ca2+等离子形成的电化学双电层阻力所引起,同时也说明别略耶夫猜想基本是正确的· 相似文献
47.
Bo Jin Xi Wang Jing Chen Feng Zhang Xinli Cheng Zhijun Chen 《Applied Surface Science》2006,252(16):5627-5631
The oxidation of SiGe film epitaxial grown on top of SOI wafers has been studied. These SiGe/SOI samples were oxidized at 700, 900, 1100 °C. Germanium atoms were rejected from SiGe film to SOI layer. A new Si1−xGex (x is minimal) layer formed at SiGe/Si interface. As the germanium atoms diffused, the new Si1−xGex (x is minimal) layer moved to Si/SiO2 interface. Propagation of threading dislocation in SiGe film to SOI substrate was hindered by the new SiGe/Si interface. Strain in SOI substrate transferred from SiGe film was released through dislocation nucleation and propagation inner. The relaxation of SiGe film could be described as: strain relaxed through strain equalization and transfer process between SiGe film and SOI substrates. Raman spectroscopy was used to characterize the strain of SiGe film. Microstructure of SiGe/SOI was observed by transmission electron microscope (TEM). 相似文献
48.
许希哲对爱情的探索与阐释,颅具个性色彩,具体表现为不受世俗观念局囿,有创新意识,敢立一家之言。其思其言,对于年轻人或许不无启发。 相似文献
49.
50.