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讨论了一类非定常对流占优扩散方程的差分-流线扩散格式(FDSD),利用插值后处理技术,提高了特殊网格下该FDSD格式在双线性元空间的精度,从而按L∞(L2(Ω) 模达到最优.  相似文献   
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In this paper the authors establish the concept of generalized ball-intersection (GBI) and prove that an injective metric space is freely contractible to its each GBI, which generalizes a result of Isbell from a point to a GBI.  相似文献   
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The hydrothermal synthesis and magnetic entropy change for the perovskite manganite La0.5Ca0.3Sr0.2MnO3 have been studied. The La0.5Ca0.3Sr0.2MnO3 can be produced as phase-pure, crystalline powders in one step from solutions of metal salts in aqueous potassium hydroxide solution at a temperature of 513 K in 72 h. Scanning electron microscopy shows that the materials are made up of cuboid-shaped particles in typical dimension of 4.0×2.5×1.6 μm. Heat treatment can improve the magnetocaloric effect for the hydrothermal sample. The maximum magnetic entropy change ΔSM for the as-prepared sample is 0.88 J kg−1 K−1 at 315 K for a magnetic field change of 2.0 T. It increases to 1.52 J kg−1 K−1, near its Curie temperature (317 K) by annealing the sample at 1473 K for 6 h. The hydrothermal synthesis method is a feasible route to prepare high-quality perovskite material for magnetic refrigeration application.  相似文献   
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电流引线是高温超导变压器的主要外部漏热来源,它的漏热量直接影响了超导变压器的经济性能,因此,引线的设计与漏热测量一直备受关注。文中构建了一个实验方案,运用量热法测量低压引线的漏热,并将试验结果与仿真预期值进行了对比和分析,从而验证了仿真设计的正确性。  相似文献   
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C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响,然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试,提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中,采用不同的扫描速率,分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测 关键词: C-V法 SiC 隐埋沟道MOSFET 沟道载流子浓度  相似文献   
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