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991.
本文研究了一维模型分子离子(初态为基态和一个激发束缚态叠加的相干态)在超强超短激光脉冲作用下的谐波发射谱.我们发现在高次谐波谱平台区域出现了周期性的结构变化.我们利用小波变换对谐波谱进行了暂态时间频率分析,结果表明该谐波结构产生的原因是由电离电子返回母离子时与不同束缚态复合而产生的谐波光脉冲之间相干叠加.同时采用半经典计算,对所得到的计算结果进行了分析,验证了我们的结论. 相似文献
992.
993.
In this paper, the structure of cubic CaTiO3 (001) surfaces with CaO and TiO2 terminations has been studied from density functional calculations. It has been found that the Ca atom has the largest relaxation for both kinds of terminations, and the rumpling of the CaO-terminated surface is much larger than that of TiO2-terminated surface. Also we have found that the metal atom relaxes much more prominently than the O atom does in each layer. The CaO-terminated surface is slightly more energetically favourahle than the TiO2-terminated surface from the analysis of the calculated surface energy. 相似文献
994.
995.
单核苷酸多态性(Singlenucleotidepolymorphism,SNP)是人类基因组中单个碱基的变异,其最低基因频率不低于1%,是倍受关注的第三代多态性遗传标记,为法医物证检验提供了新的方向,本文就其研究最新进展、应用及检测手段作一综述. 相似文献
996.
文章针对焊件检测过程中需大量采集和分析实时图像的要求 ,利用小波分析的特点 ,相关跟踪识别视频图像运动状态 ,实现自动采集、分析处理和储存一并完成 ,解决了视频图像连续捕获不能得到高像质的问题。 相似文献
997.
998.
Summary Wet-chemical cleaning procedures of Si(100) wafers are surface analytically characterized and compared. Hydrophobic surfaces show considerably less native oxides in comparison to hydrophilic surfaces.The growth of the oxide is determined as a function of exposure to air by means of XPS measurements. The chemically shifted Si2p XPS signal is utilized for the quantification of the growth kinetics.One hour after cleaning no chemically shifted Si2p XPS peak is discernible on the hydrophobic surfaces. Assuming homogeneous oxide growth, the detection limit of native oxides is estimated to be below 0.05 nm using an emission angle of 18° with respect to the wafer surface. The calculation of the oxide thickness from the chemically shifted and nonchemically shifted Si2p XPS peak intensities is carried out according to Finster and Schulze [1]. For more than a day after cleaning no surface oxides can be identified on the hydrophobic surfaces. The oxide growth kinetics is logarithmic. The very slow oxidation rate cannot be attributed to fluorine residues since no fluorine is seen by XPS. We explain the slow oxidation rate by a homogeneous hydrogen saturated Si(100) wafer surface.
Oberflächenanalytische Charakterisierung oxidfreier Si(100)-Waferoberflächen相似文献
999.
分析了影响分光光度分析的因素,从而选择适宜的测量条件及最佳显色反应条件,以提高仪器的灵敏度. 相似文献
1000.
Effects of Nb2O5 on thermal stability and optical properties of Er3+-doped tellurite glasses
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Er3+-doped tellurite glasses with molar compositions of
xNb2O5-(14.7-x)Na2O--10ZnO--5K2O--10GeO2--
60TeO2--0.3Er2O3
(x=0, 3, 5, 7 and 9) have been investigated for developing 1.5~μm
fibre and planar amplifiers. The effects of Nb2O5 on the thermal stability
and optical properties of Er3+-doped tellurite glasses have been discussed.
It is noted that the incorporation of Nb2O5 (x=5) increases the thermal
stability of tellurite glasses significantly. Er3+-doped niobium tellurite
glasses exhibit a large stimulated emission cross-section (7.2\times 10-21-
10.7×10-21~cm2 and the gain bandwidth, FWHM×\sigmae^{\rm peak} (274\times 10-28 - 480×10-28~cm3), which are
significantly higher than that of silicate and phosphate glasses. In addition, the
intensity of upconversion luminescence of the Er3+-doped niobium tellurite
glasses decreases rapidly with increasing Nb2O5 content. As a result,
Er3+-doped niobium tellurite glasses might be a potential candidate for
developing laser or optical amplifier devices. 相似文献