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41.
陈莺飞  彭炜  李洁  陈珂  朱小红  王萍  曾光  郑东宁  李林 《物理学报》2003,52(10):2601-2606
在超高真空分子束外延(MBE)生长技术中,反射式高能电子衍射仪(RHEED)能实时显示半导体和金属外延生长过程,给出薄膜表面结构和平整度的信息,成为MBE必备的原位表面分 析仪.为了研究氧化物薄膜如高温超导(YBa2Cu3O7) 、铁电薄膜(Sr1-xBax TiO3)及它们的同质和异质外延结构的生长机理,获得高质量的符合各种应用 需要的氧化 物多层薄膜结构,在常规的制备氧化 关键词: 高温超导薄膜 RHEED  相似文献   
42.
Bi12TiO20纳米粉体的制备及其光吸收特性研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
以钛酸四丁酯和硝酸铋为原料 ,利用化学溶液分解法制备了Bi12 TiO2 0 纳米多晶粉体 .采用XRD和TEM对其结构和形貌进行了表征 .结合热重 差热 (TG DTA)分析 ,探讨了Bi12 TiO2 0 晶相的形成机理 .通过UV Vis漫反射谱的测定 ,研究了Bi12 TiO2 0 纳米晶粉体的光吸收特性 .结果显示 ,从组成为化学计量比的前驱液中可以很容易制得纯Bi12 TiO2 0 纳米晶粉体 ,该Bi12 TiO2 0 纳米晶粉体呈现了在很宽的波长范围内 (5 6 0~ 385nm )对光的吸收的特性 .  相似文献   
43.
Vacuum microelectronic triode performance, based upon a unit cell with a nanotube field emitter, gate, and anode, was evaluated via computer simulation. Electron emission was calculated from the modified Fowler-Nordheim equation. The dependence of emitted current, upon geometrical factors, e.g., nanotube radius, nanotube height, and gate's hole radius, is shown. The device design parameters of trans-conductance, and cutoff frequency have been calculated, which show that this structure can be used as a microwave and millimeter wave amplifier. Electron current flux is shown for time-dependent 1–Thz sinusoidal variation frequency input.  相似文献   
44.
The centrosymmetric binuclear structure of [Pb2(H‐Norf)2(ONO2)4]shows the geometry around each lead(II) atom to be distorted trigonal bipyramidal with Pb–O distances ranging from 2.357(3) to 2.769(4) Å. Copyright © 2003 John Wiley & Sons, Ltd.  相似文献   
45.
本文讨论定义在Banach空间上的,既具有等式约束又具有不等式约束的,非光滑(F,P)不变凸多目标规划的Wolfe对偶性,Mond-Weir型对偶性可类似讨论之。  相似文献   
46.
Electronic structure calculations based on density functional theory were performed for solids and large molecules. The solids were represented by clusters of 60–100 atoms embedded in the potential of the external crystal. Magnetic moments and Mössbauer hyperfine parameters were derived.  相似文献   
47.
本文分析了稀土永磁同步电机直轴电枢反应。主要分析了负载时由直轴电枢反应引起的漏磁通,其中包括合群漏磁和“曾氏漏磁”,并推导了这些漏磁通的定性计算公式,完善了永磁同步电机的电磁设计计算。  相似文献   
48.
讨论了Poisson单和一类广义Poisson单的基本刻划问题。  相似文献   
49.
50.
高填方路基沉降处理及裂缝分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
分析了裂缝产生的原因,介绍了高填方路基沉降的处理方法。  相似文献   
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